Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18811
Цитируемость
суммарная 205564
на статью 10.9
Индекс Хирша 141
G-индекс 231
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 20611
Цитируемость
суммарная 222276
на статью 10.8
Индекс Хирша 148
G-индекс 243
 

Патенты, полученные ФТИ

Название патента (фрагмент)
Номер патента
Год

Автор
 
Всего записей: 211, страниц: 43
Устройство для получения потока плазмы
Патент РФ #2330393 от 27 июля 2008, тип: Изобретение
Воронин,АВ
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Воронин,АВ
Подразделения: Гусакова,ЕЗ
Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления.
Патент РФ #2326993  от 20 июня 2008, тип: Изобретение
Парк,ХееСеок; Жиляев,ЮВ; Бессолов,ВН
Правообладатели: САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД, (KR), ФТИ им.Иоффе РАН (RU)
Авторы-сотрудники ФТИ: Жиляев,ЮВ, Бессолов,ВН
Подразделения: Жиляева,ЮВ, Иванова,СВ
Способ очистки наноалмазов
Патент РФ #2322389 от 20 апреля 2008, тип: Изобретение
Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ, Вуль,АЯ, Яговкина,МА
Подразделения: Вуля,АЯ, Вуля,АЯ, Конникова,СГ
Устройство для измерения электрического тока на участке цепи
Патент РФ #69312 от 10 декабря 2007, тип: Полезная модель
Щербаков,ИП; Самуйлов,СД
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Щербаков,ИП, Самуйлов,СД
Подразделения: Кадомцева,АГ, Кадомцева,АГ
Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений А3В5 методом жидкофазной эпитаксии
Патент РФ #2297690 от 20 апреля 2007, тип: Изобретение
Солдатенков,ФЮ
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Солдатенков,ФЮ
Подразделения: Андреева,ВМ
firstback10prev 41 42 43nextlast
Яндекс.Метрика
© 2005–19 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе