Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами
Патент РФ #2448900 от
27 апреля 2012, тип: Изобретение Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Солтамова,АА; Шахов,ФМ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ, Вуль,АЯ, Кидалов,СВ, Солтамова,АА, Шахов,ФМ
Подразделения: Баранова,ПГ, Вуля,АЯ, Вуля,АЯ, Баранова,ПГ, Вуля,АЯ
Способ получения водной суспензии детонационных наноалмазов
Патент РФ #2446097 от
27 марта 2012, тип: Изобретение Алексенский,АЕ; Дидейкин,АТ; Вуль,АЯ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ, Дидейкин,АТ, Вуль,АЯ
Подразделения: Вуля,АЯ, Вуля,АЯ, Вуля,АЯ
Инжекционный лазер
Патент РФ #2444101 от
27 февраля 2012, тип: Изобретение Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Слипченко,СО, Тарасов,ИС, Пихтин,НА
Подразделения: Тарасова,ИС, Тарасова,ИС, Тарасова,ИС
Инжекционный лазер
Патент РФ #2443044 от
20 февраля 2012, тип: Изобретение Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Слипченко,СО, Тарасов,ИС, Пихтин,НА
Подразделения: Тарасова,ИС, Тарасова,ИС, Тарасова,ИС
Солнечный фотоэлектрический субмодуль
Патент РФ #2442244 от
10 февраля 2012, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Румянцев,ВД
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Малевская,АВ, Румянцев,ВД
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ