Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18044
Цитируемость
суммарная 190876
на статью 10.6
Индекс Хирша 136
G-индекс 223
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19657
Цитируемость
суммарная 204396
на статью 10.4
Индекс Хирша 142
G-индекс 234
 

Премии для молодых ученых

Год

Премия


Всего записей: 84
2005, Вторая премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»
Родин,СН; Жиляев,ЮВ; Раевский,СД; Ботнарюк,ВМ; Коненкова,ЕВ; Бессолов,ВН
Газофазная хлоридная эпитаксия нитрида галлия на кремнии
Лаб. Жиляева,ЮВ;Жиляева,ЮВ;undef;undef;twin;Копьева,ПС
2005, Вторая премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»
Андроников,ДА;Кочерешко,ВП;Платонов,АВ
Синглетные и триплетные состояния в структурах с квантовыми ямами CdTe/CdMgTe
Лаб. Гуревича,СА;Каплянского,АА;Каплянского,АА
2005, Первая премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»
Конончук,МС
Наноструктурированные сверхпроводящие материалы на основе матрицы опала
Лаб. Парфеньева,РВ
2004, Поощрительная премия для молодых ученых ФТИ
Николаев,ВВ
Теория ухода частиц в применении к расчету свойств насыщающихся поглотителей с квантовыми ямами
Лаб. Копьева,ПС
2004, Поощрительная премия для молодых ученых ФТИ
Сванидзе,АВ;Лушников,СГ;Шувалов,ЛА
Дейтерированные кристаллы белка лизоцима: рост и морфология
Лаб. Лушникова,СГ;Лушникова,СГ;undef
2004, Третья премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»
Гуревич,АС;Кочерешко,ВП;Платонов,АВ;Зякин,БА
Таммовские интерфейсные состояния в периодических гетероструктурах ZnSe/BeTe
Лаб. Каплянского,АА;Каплянского,АА;Каплянского,АА;Каплянского,АА
2004, Вторая премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»
Семенов,АН
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе антимонидов и арсенидов металлов III группы
Лаб. twin
2004, Первая премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»
Гусаков,ЕЗ;Сурков,АВ
Рассеяние волн в неоднородной плазме в условиях сильной рефракции
Лаб. Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ
2003, Поощрительная премия для молодых ученых ФТИ
Новиков,ИИ;Карачинский,ЛЯ
Электролюминесцентное исследование низкотемпературных характеристик лазеров на 1.3 мкм на подложках GaAs
Лаб. Копьева,ПС;Копьева,ПС
2003, Поощрительная премия для молодых ученых ФТИ
Шакура,ДВ
Переход свехпроводник - изолятор в PbSnTe:In
Лаб. Парфеньева,РВ
Страницы: « | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9| »
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика