Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si (100) методом регистрирующей дифрактометрии

Никифоров А.И.¹, Черепанов В.А.¹, Пчеляков О.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом регистрации картины дифракции быстрых электронов in situ построена диаграмма структурного и морфологического состояния пленки Ge на поверхности Si (100), включающая в себя следующие области: сплошная пленка, hut- и dome-кластеры, dome-кластеры с дислокациями несоответствия на границе раздела. Впервые определено изменение параметров решетки пленки Ge в процессе ее роста на поверхности Si (100) при молекулярно-лучевой эпитаксии и обнаружены осцилляции изменения параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости (100) на стадии двумерного слоевого роста.

A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Sol. Films, 336, 332 (1998)
D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990)
Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
F.K. LeGoues, M.C. Reuter, J. Tersoff, M. Hammar, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 73, 300 (1994)
H.T. Johnson, L.B. Freund. J. Appl. Phys., 81, 6081 (1997)
V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. J. Cryst. Growth, 175/176, 736 (1997)
I. Goldfarb, G.A.D. Briggs. Surf. Sci., 433--435, 449 (1999)
O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 306, 299 (1997)
L. Kubler, D. Dentel, J.L. Bischoff, C. Ghica, C. Ulhag-Bouillet, J. Werckmann. Appl. Phys. Lett., 73, 1053 (1998)
A. Ohtake, M. Ozeki, J. Nakamura. Phys. Rev. Lett., 84, 4665 (2000)
P. Turban, L. Hennet, S. Andrieu. Surf. Sci., 446, 241 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель