Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 9 » Статья стр. 1102
<<<>>>
Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs
Альперович В.Л.1, Болховитянов Ю.Б.1, Чикичев С.И.1, Паулиш А.Г.1, Терехов А.С.1, Ярошевич А.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований, направленных на создание высокоэффективных источников спин-поляризованных электронов на базе гетероэпитаксиальных, упруго-деформированных пленок четверного твердого раствора InGaAsP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках GaAs. Синтезированы пленки InGaAsP толщиной 0.1-0.2 мкм, имеющие ширину запрещенной зоны в диапазоне 1.4-1.9 эВ и упругую деформацию до 1%, что обеспечило расщепление потолка валентной зоны на 40-60 мэВ и степень спиновой поляризации P фотоэмиттированных электронов до 80% с высоким квантовым выходом фотоэмиссии Y после активирования до состояния отрицательного электронного сродства путем адсорбции цезия и кислорода. Достигнуты рекордные значения эффективного параметра качества P2Y.
  1. G.H. Olsen, T.J. Zamerowski. Progr. Cryst. Growth Charact., 2, 309 (1979)
  2. M.B. Panich. Progr. Cryst. Growth Charact., 12, 1 (1986)
  3. M. Razeghi. The MOCVD challenge (Inst. Phys. Publ., Bristol, 1995) v. 2
  4. K. Nakajima. GaInAsP Alloy Semicond. ed. by T.P. Pearsall (J. Wiley \& Sons, Ltd. London, 1982) p. 43
  5. R. Prepost, T. Maruyama. Ann. Rev. Nucl. Part. Sci., 45, 41 (1995)
  6. G. Lampel, C. Weisbuch. Sol. St. Commun., 16, 877 (1975)
  7. D.T. Pierce, R.J. Celotta, G.G. Wang, W.N. Unertl, A. Galejs, C.E. Kuyatt, S.R. Mielczarek. Rev. Sci. Insnrum., 51, 478 (1980)
  8. T. Nakanishi, H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, M. Tsubata. Phys. Lett. A, 158, 345 (1991)
  9. R. Alley, H. Aoyagi, J. Clendenin, J. Frisch, C. Garden, E. Hoyt, R. Kirbi, L. Klaisner, A. Kulikov, R. Miller, G. Mullhollan, C. Prescott, P. Saez, D. Schultz, H. Tang, J. Turner, K. Witte, M. Woods, A.D. Yeremin, M. Zolotarev. Nucl. Instr. and Meth. A, 365, (1995)
  10. Yu.A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin, H.-J. Drouhin, G. Lampel. Sol. St. Commun., 114, 401 (2000)
  11. G.A. Antypas, R.L. Moon. J. Electrochem. Soc., 120, 1574 (1973)
  12. T. Omori, Y. Kurihara, T. Nakanishi, H. Aoyagi, T. Baba, T. Furuya, K. Itoga, M. Mizuta, S. Nakamura, Y. Takeuchi, M. Tsubata, M. Yoshioka. Phys. Rev. Lett., 67, 3294 (1991)
  13. Y. Kurihara, T. Omori, Y. Takeuchi, M. Yoshioka, T. Nakanishi, S. Okumi, M. Tawada, K. Togawa, M. Tsubata, T. Baba, M. Mizuta, R. Alley, H. Aoyagi, J. Clendenin, J. Frisch, G. Mulhollan, P. Saez, D. Schultz, H. Tang, K. Witte. KEK Preprint 94-59; SLAC-PUB-6530 (1994)
  14. A. Gomio, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  15. S.H. Lee, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys. 83, 3620 (1998)
  16. Yu.A. Mamaev, Yu.A. Yashin, A.V. Subashiev, M.S. Galactionov, B.S. Yavich, O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, N.N. Faleev. Phys. Low-Dim. Structur., 27, 7 (1994)
  17. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zapalac, J.C. Smith, J.D. Walker. Phys. Rev. Lett., 66, 2376 (1991)
  18. В.Л. Альперович, Ю.Б. Болховитянов, А.Г. Паулиш, А.С. Терехов. Письма ЖТФ, 18 (22), 67 (1992)
  19. V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. A, 340, 429 (1994)
  20. Yu.B. Bolkhovityanov, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, N.V. Nomerotsky, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, E.M. Trukhanov. J. Cryst. Growth, 146, 310 (1995)
  21. Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, N.V. Nomerotsky, E.M. Trukhanov, A.S. Jaroshevich. J. Cryst. Growth, 149, 17 (1995)
  22. V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Jaroshevich, A.V. Katkov, M.A. Revenko, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. J. Appl. Phys., 82, 1214 (1997)
  23. V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, A.S. Jaroshevich, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. InP and Related Compounds: Materials, Appl. and Devices, ed. by M.O. Manasreh, Gordon Breach (Singapore, 2000) v. 9. p. 651
  24. P. Drescher, S. Pluetzer, E. Reichert, M. Schemies, V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Jaroshevich, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. A, 381, 169 (1996)
  25. Yu.B. Bolkhovityanov, R.I. Bolkhovityanova, S.I. Chikichev. J. Electron. Mater., 12, 525 (1983)
  26. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  27. Yu.B. Bolkhovityanov, F.S. Jaroshevich, M.A. Revenko, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Semicond. Sci. Technol., 11, 1847 (1996)
  28. T. Saka, T. Kato, T. Nakanishi, M. Tsubata, K. Kishino, H. Horinaka, Y. Kamiya, S. Okumi, C. Takanashi, Y. Tanimoto, M. Tawada, K. Tagawa, H. Aoyagi, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1837 (1993)
  29. Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, C.W. deoJager, E.S. Konstantinov, S.G. Konstantinov, B.L. Militsyn, N.H. Papadakis, S.G. Popov, M.J.J. van den Putte, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. Proc. 12th Int. Symp. on High--Energy Spin Phys. (Amsterdam, The Netherlands, 1997) p. 700.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme