ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Неоднородные состояния тонкопленочного несоразмерного сегнетоэлектрика

С.А.Ктиторов, О.С.Погорелова *, Е.В.Чарная **

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный медицинский университет им. И.И. Мечникова,
195067 Санкт-Петербург, Россия
** Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
E-mail: ktitorov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 28 февраля 2003 г.)

Рассмотрены неоднородные конфигурации параметра порядка в пленке несоразмерного сегнетоэлектрика, в разложении свободной энергии которого отсутствуют инварианты Лифшица. Уравнение, описывающее распределение параметра порядка по толщине пленки, получено в приближении медленно меняющихся амплитуд. Изучено влияние толщины пленки и свойств поверхности на температуру перехода в несоразмерную фазу.

 PDF версия (125Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster