ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Эффективность электролюминесценции кремниевых диодов

М.С.Бреслер, О.Б.Гусев, Б.П.Захарченя, И.Н.Яссиевич

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: mikhail.bresler@mail.ioffe.ru

Исследована\label01k собственная электролюминесценция (ЭЛ) кремниевого светодиода при прямом смещении на p-n-переходе. Значительное возрастание интегральной интенсивности ЭЛ при изменении температуры от температуры жидкого азота до комнатной и одновременном увеличении времени спада ЭЛ при выключении тока через диод указывает на термическое подавление канала нерадиационной рекомбинации, связанного с глубокими ловушками. Построенная нами простая модель излучательных процессов в p-n-переходе позволяет объяснить всю совокупность полученных экспериментальных результатов. Показано, что при оптимальных уровнях легирования p- и n-областей диода внутренний квантовый выход ЭЛ может достигать нескольких процентов.

Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований, Нидерландской организации научных исследований (NWO), Министерства науки и технологии Российской Федерации и программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq Отделения физических наук РАН.

 PDF версия (192Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster