ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний в оксидах и сульфидах щелочно-земельных металлов

Ю.М.Басалаев, Ю.Н.Журавлев, А.В.Кособуцкий, А.С.Поплавной

Кемеровский государственный университет,
650043 Кемерово, Россия
E-mail: zhur@kemsu.ru

(Поступила в Редакцию 30 июля 2003 г.)

На основе теории функционала плотности методом псевдопотенциала в базисе локализованных орбиталей вычислены самосогласованные зонные спектры кристаллов и заряженных подрешеток оксидов и сульфидов щелочно-земельных металлов. Рассмотрены различные совместимые с электронейтральностью кристалла зарядовые состояния подрешеток включая крайние: нейтральные подрешетки, пустая металлическая и двукратно заряженная анионная. Показано, что валентные зоны кристаллов наиболее близки к валентным зонам двукратно заряженных анионных подрешеток, при этом соответствующие электронные плотности практически совпадают. Нижние зоны проводимости MgO и MgS также довольно близки для кристаллов и двукратно заряженных анионных подрешеток, однако в CaO и CaS имеются существенные расхождения. Это обусловлено различием вкладов анионов и катионов в зону проводимости этих кристаллов, зависящим от взаимного энергетического расположения незанятых p- и d-состояний.

Работа поддержана грантом УР.01.01.047 программы Университеты России.

 PDF версия (295Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster