ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Электрические характеристики и зонная энергетическая диаграмма изотипного n-Si1-xGex/n-Si-гетероперехода в релаксированных структурах

Л.К.Орлов, Ж.Й.Хорват *, А.В.Потапов, М.Л.Орлов **, С.В.Ивин **,
В.И.Вдовин ***, Э.А.Штейнман ****, В.М.Фомин **

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Research Institute for Technical Physics and Materials Science,
Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
** Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
*** Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
**** Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: orlov@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 27 января 2004 г.
В окончательной редакции 9 марта 2004 г.)

Исследованы электрические характеристики релаксированного изотипного n-Si1-xGex/n-Si-гетероперехода в условиях формирования в окрестности гетерограницы сетки дислокаций несоответствия и на основе этих измерений изучены особенности структуры энергетических зон гетеросистемы. Показано, что зонная структура кристалла в окрестности границы формируется зарядом на дефектах решетки. Параметры потенциального барьера оценены на основании анализа температурных зависимостей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик системы.

Работа выполнена по соглашению между Российской и Венгерской академиями наук (программа N 15) в рамках проектов МНТЦ N 2372 и ОТКА (Венгрия) N T035272.

 PDF версия (345Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster