ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск | KOI | WIN | DOS |
|---|
| Материалы Совещания | |
| Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Хуснуллин Н.М., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Мосина Г.Н., Андреев Б.А., Крыжков Д.И. Структура, примесный состав и фотолюминесценция механически полированных слоев монокристаллического кремния | 5 |
|---|---|
| Штейнман Э.А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода | 9 |
| Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Селюков Р.В. Сечения возбуждения и девозбуждения излучающих нанокластеров в кремнии, легированном редкоземельными элементами | 13 |
| Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гапонова Д.М., Морозов С.В. О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO | 17 |
| Ежевский А.А., Лебедев М.Ю., Морозов С.В. Фотолюминесценция нанокристаллического кремния, полученного методом имплантации ионов инертных газов | 22 |
| Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Филатов Д.О., Круглова М.В., Морозов С.В., Ремизов Д.Ю., Николичев Д.Е., Шенгуров В.Г. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция -диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si | 26 |
| Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Stoffel M., Denker U., Schmidt O.G., Горбенко О.М., Сошников И.П. Влияние предосаждения SiGe слоя на рост SiGe/Si(001) самоформирующихся островков | 29 |
| Шегай О.А., Березовский А.Ю., Никифоров А.И., Ульянов В.В. Фотопроводимость структур Si / Ge / SiO и Si / Ge / Si с квантовыми точками германия | 33 |
| Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Никифоров А.И. Ge / Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи | 37 |
| Востоков Н.В., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н. Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001) | 41 |
| Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Новиков А.В., Перевощиков В.А., Шалеев М.В. Релаксированные буферные слои SiGe / Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении | 44 |
| Антонов А.В., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Ускова Е.А., Шалеев М.В. Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si : B с двумерным дырочным газом | 47 |
| Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Кузнецов О.А., де Виссер А., Пономаренко Л. Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме GeSi / Ge / GeSi с помощью гальваномагнитных эффектов | 50 |
| Валах М.Я., Голиней Р.Ю., Джаган В.Н., Красильник З.Ф., Литвин О.С., Лобанов Д.Н., Милехин А.Г., Никифоров А.И., Новиков А.В., Пчеляков О.П., Юхимчук В.А. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах | 54 |
| Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицын В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P. Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si(100)-квантовых точек | 58 |
| Пчеляков О.П., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Паханов Н.А., Соколов Л.В., Чикичев С.И., Якимов А.И. Наногетероструктуры SiGeGaAs для фотоэлектрических преобразователей | 63 |
| Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П., Тийс С.А., Гутаковский А.К. Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si | 67 |
| Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Рзаев М.М., Погосов А.О., Сибельдин Н.Н., Цветков В.А., Lichtenberger H., Schaffler F., Leitao J.P., Sobolev N.A., Carmo M.C. Морфологическая перестройка слоя германия на кремнии при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии | 70 |
| Алешкин В.Я., Антонов А.В., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А., Спирин К.Е. Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле | 74 |
| Шамирзаев Т.С., Сексенбаев М.С., Журавлев К.С., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П. Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO | 80 |
| Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz T., Klik M.A.J. Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er | 83 |
| Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шиляев П.А., Степихова М.В., Красильникова Л.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире | 86 |
| Красильникова Л.В., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Светлов С.П., Гусев О.Б. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si / SiGe : Er / Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе | 90 |
| Ремизов Д.Ю., Шмагин В.Б., Антонов А.В., Кузнецов В.П., Красильник З.Ф. Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er в светодиодах на основе Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии | 95 |
| Кузнецов В.П., Рубцова Р.А., Шабанов В.Н., Касаткин А.П., Седова С.В., Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Демидов Е.В. Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии | 99 |
| Тетеруков С.А., Лисаченко М.Г., Шалыгина О.А., Жигунов Д.М., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Влияние неоднородностей диэлектрической проницаемости твердотельной матрицы на ширину спектра люминесценции ионов эрбия | 102 |
| Гусев О.Б., Войдак М., Клик М., Форкалес М., Грегоркевич Т. Возбуждение эрбия в матрице SiO : Si-nc при импульсной накачке | 105 |
| Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию | 108 |
| Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Паршин Е.О. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства | 112 |
| Тимошенко В.Ю., Шалыгина О.А., Лисаченко М.Г., Жигунов Д.М., Тетеруков С.А., Кашкаров П.К., Kovalev D., Zacharias M., Imakita K., Fujii M. Люминесценция ионов эрбия в слоях кремниевых нанокристаллов в матрице диоксида кремния при сильном оптическом возбуждении | 116 |
| Шмагин В.Б., Ремизов Д.Ю., Оболенский С.В., Крыжков Д.И., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция ионов Er в режиме пробоя диодной структуры -Si/-Si : Er/-Si | 120 |
| Юрасова И.В., Антипов О.Л., Ермолаев Н.Л., Черкасов В.К., Лопатина Т.И., Чесноков С.А., Ильина И.Г. Новые полимерные нанокомпозиции с гигантской динамической оптической нелинейностью | 124 |
| Германенко А.В., Миньков Г.М., Рут О.Э., Ларионова В.А., Звонков Б.Н., Шашкин В.И., Хрыкин О.И., Филатов Д.О. Влияние шероховатости двумерных гетероструктур на слабую локализацию | 128 |
| Демидов Е.С., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Белорунова И.С., Горшков О.Н., Степихова М.В., Шаронов А.М. Свойства силиката магния с примесью хрома в пористом кремнии | 136 |
| Гиппиус Н.А., Тиходеев С.Г., Крист А., Куль Й., Гиссен Х. Плазмонно-волноводные поляритоны в металлодиэлектрических фотонно-кристаллических слоях | 139 |
| Сычев Ф.Ю., Мурзина Т.В., Ким Е.М., Акципетров О.А. Сегнетоэлектрические фотонные кристаллы на основе наноструктурированного цирконата-титаната свинца | 144 |
| Мурзина Т.В., Ким Е.М., Капра Р.В., Акципетров О.А., Иванченко М.В., Лифшиц В.Г., Кузнецова С.В., Кравец А.Ф. Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники в наноструктурах и тонких пленках | 147 |
| Акципетров О.А., Долгова Т.В., Соболева И.В., Федянин А.А. Анизотропные фотонные кристаллы и микрорезонаторы на основе мезопористого кремния | 150 |
| Кашкаров П.К., Головань Л.А., Заботнов С.В., Мельников В.А., Круткова Е.Ю., Коноров С.О., Федотов А.Б., Бестемьянов К.П., Гордиенко В.М., Тимошенко В.Ю., Желтиков А.М., Петров Г.И., Яковлев В.В. Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках | 153 |
| Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Васильков В.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga) | 160 |
| Пахомов Г.Л., Гапонова Д.М., Лукьянов А.Ю., Леонов Е.С. Люминесценция в тонких пленках фталоцианина | 164 |
| Багаев В.С., Онищенко Е.Е. Особенности температурной зависимости фотолюминесценции сверхрешеток квантовых точек CdTe / ZnTe | 168 |
| Teperik T.V., Popov V.V., Garc'a de Abajo F.J. Total resonant absorption of light by plasmons on the nanoporous surface of a metal | 172 |
| \leaders \hrule \kern Магнетизм. Сегнетоэлектричество | |
| Балашова Е.В., Леманов В.В., Панкова Г.А. Акустические свойства кристаллов глицин фосфита с примесью глицин фосфата | 176 |
| Атомные кластеры. Фуллерены | |
| Чистяков А.Л., Станкевич И.В., Корлюков А.А. Новая аллотропная форма углерода [C] на основе фуллерена C и кубического кластера C и ее аналоги для элементов Si и Ge: компьютерное моделирование | 184 |