ФТТ, 2007, том 49, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS

Г.Е.Давидюк, В.В.Божко, Г.Л.Мирончук, В.З.Панкевич

Волынский государственный университет им. Леси Украинки,
43025 Луцк, Украина
E-mail: ftt@lab.univer.lutsk.ua

(Поступила в Редакцию 5 декабря 2006 г.
В окончательной редакции 17 апреля 2007 г.)

Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E=1.2 MeV, Phi=2· 1017 cm-2) монокристаллов СdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E=2 MeV, Phi=2·1018 cm-2). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с lambdam=0.72, 1.03 и 0.605 mum делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах СdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки.

PACS: 78.55.Et

 PDF версия (117Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster