ФТТ, 2009, том 51, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Экспериментальное определение толщины \glqq мертвого слоя\grqq
для экситонов в широкой квантовой яме GaAs/AlGaAs

Е.В.Убыйвовк, Д.К.Логинов, И.Я.Герловин, Ю.К.Долгих, Ю.П.Ефимов,
С.А.Елисеев, В.В.Петров, О.Ф.Вывенко, А.А.Ситникова\kern1pt*, Д.А.Кириленко\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный университет,
Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: loginov\_dmitriy@mail.ru

(Поступила в Редакцию 20 ноября 2008 г.
В окончательной редакции 25 декабря 2008 г.)

Выполнено прямое измерение толщины \glqq мертвого слоя\grqq для материала GaAs в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Проведено сопоставление полученных в эксперименте значений ширины мертвого слоя с ранее найденными значениями для того же материала, граничащего с внешней средой, а также с результатами теоретических предсказаний различных авторов.

Работа поддержана РФФИ и Минобрнауки.

PACS: 71.36.+c, 78.40.Fy, 78.67.De

 PDF версия (231Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster