ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск   KOI  WIN  DOS 

Электронная структура кристаллообразующих фуллеренов C2n, фулсиценов SinCn и кристаллов из них --- фулсиценитов

Л.И.Овсянникова, В.В.Покропивный, В.Л.Бекенев

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
Киев, Украина
E-mail: avilon@ipms.kiev.ua

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 24 февраля 2009 г.)

Предложен ряд кристаллообразующих полиэдрических кластеров XnYn, из которых кополимеризацией гранями могут быть построены и синтезированы цеолитоподобные ковалентные кристаллы. Построен ряд наименьших кристаллообразующих кластеров углерода --- C2n, где n=10, 12, 14, 16, 18, 24, 36, 60, и карбида кремния --- SinCn, где n=12, 16, 18, 24, 36, 60. Методом Хартри-Фока, ограниченным по спину, в базисе 6-31G(d) рассчитаны их оптимизированная геометрия, электронная структура, величина переноса заряда, ширина запрещенной щели, энергия когезии и построены карты электронной плотности. Из кластеров Si12C12 и Si24C24, названных фулсиценами, построены возможные кристаллы с решетками каменной соли --- КСФ-Si12C12, простой кубической --- ПКФ-Si24C24, объемно центрированной кубической --- ОЦКФ-Si12C12, гранецентрированной кубической --- ГЦКФ-Si24C24 и гипералмазной --- ГАФ-Si12C12, названные фулсиценитами. Рассчитаны их дифрактограммы.

Работа выполнена в рамках программы НАН Украины \glqq НАНОматериалы\grqq и при поддержке фонда RAK/ESF MEEDE1.1.

PACS: 31.15.-p, 36.40.-c, 61.46.+w

 PDF версия (1.4Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster