Доклады и докладчики


В.Я. Алешкин (ИФМ РАН, Нижний Новгород), А.А. Бирюков, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.Н. Колесников, С.М. Некоркин
Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям
В.Я. Алешкин (ИФМ РАН, Нижний Новгород), А.А. Дубинов, В.И. Рыжий
Лазерные перспективы графена
Ю.А. Алещенко (ФИАН, Москва), В.В. Капаев, Ю.В. Копаев
Многопериодные структуры с асимметричными барьерами как прототип активного элемента униполярного лазера
А.А. Андронов (ИФМ РАН, Нижний Новгород) , Д.Е. Святошенко
Диссипативные лазеры на квантовых точках и поверхностных плазмонах
Л.В. Асрян (Virginia Polytechnic Inst., and State University, USА), Р.А. Сурис
Максимально возможная полоса частот токовой модуляции лазера на квантовых точках
Б.Я. Бер (ФТИ им. Иоффе)
Вторично-ионная масс спектрометрия низкоразмерных гетероструктур. Возможности и приложения
C.А. Блохин (СПб АУ НОЦНТ РАН, ООО «Коннектор-Оптикс», СПб)
Сверхскоростные оптические линии связи нового поколения на основе вертикально-излучающих лазеров диапазона 850нм
А.А.Богданов, Р.А. Сурис (ФТИ им. Иоффе)
Модовая структура квантово-каскадных лазеров
К.А. Булашевич, М.С. Рамм, С.Ю. Карпов (Софтимпакт, СПб)
Особенности электронного и оптического ограничения в гетеролазерах на основе нитридов III группы
Л.И. Буров (БГУ, Минск), А.С. Горбацевич, Е.С. Соколов
Динамика поляризационных переключений и динамический отклик полупроводниковых инжекционных лазеров при поляризованной оптической инжекции
Л.И. Буров, А.С. Горбацевич, Ю.П. Яковлев (БГУ, Минск)
Динамика формирования излучения в лазерных диодах на основе гетероструктуры InAsSb/InAsSbP с большой шириной полоскового контакта
Л.Е. Воробьёв (СПбГПУ, СПб), L. Sterengas, В.Л. Зерова, G. Kipshidze, T. Hosoda, Д.А. Фирсов, G. Belenky
Разогрев и поглощение света носителями заряда в лазерных Sb-содержащих наноструктурах в режиме генерации
М.Л. Гельфонд, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, С.Н. Родин, А.Л. Тер-Мартиросян (ЗАО «Полупроводниковые приборы», СПб)
Мощные непрерывные диодные лазеры красного диапазона спектра для лечения онкологических заболеваний методом фотодинамической терапии
Н.Ю. Гордеев (ФТИ им. Иоффе)
Новые конструкции торцевых пространственно-одномодовых лазеров
Е.А. Гребенщикова (ФТИ им. Иоффе), В.В. Шерстнев, А.М. Монахов, А.Н. Баранов, Ю.П. Яковлев
Эффект шепчущей галереи в инфракрасных лазерах: технология резонатора
Н.В. Дьячков, А.П. Богатов (ФИАН, Москва)
Параметры Стокса излучения поперечно-одномодовых InGaAs/AlGaAs лазеров с квантоворазмерной активной областью
П.Г. Елисеев(ФИАН, Москва; Университет Нью Мехико, США)
Применение лазерных диодов
В.Н. Жмерик (ФТИ им. Иоффе), А.М. Мизеров, А.А. Ситникова, М.А. Яговкина, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, Н.П. Тарасюк, Н.В. Ржеуцкий, А.В. Данильчик, Г.П. Яблонский
Молекулярно-пучковая эпитаксия лазерных гетероструктур с квантовыми ямами AlGaN для ультрафиолетовой области спектра
И.Н. Завестовская(ФИАН, Москва), В.В. Безотосный, А.П. Канавин, Н.А. Козловская, О.Н. Крохин, В.А. Олещенко, Ю.М. Попов, Е.А. Чешев
Использование твердотельных лазеров с диодной накачкой для нано- и микроструктурирования поверхности металлов
А.Р. Ковш
Тема доклада будет объявлена позже
В.К. Кононенко(Институт физики НАН Беларуси, Минск), В.В. Паращук, С.С. Поликарпов, В.М. Стецик
Спектральные и мощностные характеристики ширококонтактных квантоворазмерных гетеролазеров в системе AlGaInAs-AlGaAs
В.П. Коняев(НИИ «Полюс», Москва)
Лазерные диоды с несколькими излучающими областями и импульсные излучатели повышенной мощности на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
В.В. Кочаровский(ИПФ РАН, Нижний Новгород)
Брэгговская селекция мод в сверхизлучающих гетеролазерах
О.Н. Крохин (ФИАН, Москва)
50 лет открытия лазера: ранние работы в России
А.Б. Крыса (Университет Шеффилда, Великобритания; ФИАН, Москва)
Лазеры на основе InP квантовых точек в AlGaInP, излучающие в диапазоне 700-800 нм
И.А. Андреев, О.В. Серебренникова, Г.С. Соколовский, Е.В. Kуницына (ФТИ им. Иоффе), В.В. Дюделев, И.М. Гаджиев, A.Г. Дерягин, Е.А. Гребенщикова, Г.Г. Коновалов, М.П. Михайлова, Н.Д. Ильинская, В.И. Кучинский, Ю.П. Яковлев
Регистрация коротких импульсов лазерного излучения в спектральном диапазоне 1.3-2.4 мкм с помощью быстродействующих p-i-n фотодиодов
М.А. Ладугин (НИИ «Полюс», Москва)
Влияние режима работы на выходные характеристики лазерных диодов с несколькими излучающими областями (In,Al)GaAs/AlGaAs
М.В. Богданович, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок(Институт физики НАН Беларуси, Минск), А.А. Романенко, Г.И. Рябцев(Институт физики НАН Беларуси, Минск), А.Г. Рябцев,М.А. Щемелев
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в мощных лазерных диодных линейках
Е.В. Луценко (Институт физики НАН Беларуси, Минск), А.Г. Вайнилович, Н.П. Тарасюк, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, И.В. Седова, С.В. Гронин, С.В. Иванов
Лазерные характеристики гетероструктур с ZnCdSe квантовыми точками и ямами в варизонном волноводе
Е.В. Луценко, Н.П. Тарасюк, Н.В. Ржеуцкий, А.В. Данильчик, Г.П. Яблонский, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, П.С. Копьев, С.В. Иванов (ФТИ им. Иоффе)
Оптические и лазерные свойства гетероструктур с активной областью на основе AlGaN квантовых ям, излучающих в глубокой УФ области спектра
М.В. Максимов(ФТИ им. Иоффе)
Полупроводниковые лазеры с дифракционным фильтром оптических мод
Н.А. Малеев(ООО «Коннектор-Оптикс», СПб), С.А. Блохин, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов
Мощные одномодовые и сверхбыстродействующие вертикально-излучающие лазеры
А.А. Мармалюк(НИИ «Полюс», Москва)
Лазерные излучатели для квантовых стандартов частоты
М.М. Мездрогина (ФТИ им. Иоффе), Е.С. Москаленко, С.М. Голубенко, Ю.В. Кожанова
Влияние тонких слоев ( Au, Ag, Al, Al Pc, Cu, CuPc )на вид спектров ФЛ гетероструктур на основе InGaN
М.М. Мездрогина, Н.К. Полетаев (ФТИ им. Иоффе), М.В. Еременко, С.Н. Разумов, С.А. Кукушкин, А.В.Осипов
Гетероструктуры n- ZnO/ p-GaN< REI>- полупроводниковые излучатели УФ, видимого диапазона спектра
Н.А. Пихтин (ФТИ им. Иоффе)
Мощные импульсные полупроводниковые лазеры
Д.Г. Ревин (Университет Шеффилда, Великобритания)
Коротковолновые 3-4 мкм квантово каскадные лазеры, работающие при температурах до 400 К
Б.С. Рывкин (ФТИ им. Иоффе), Е.А. Аврутин
Лазеры на КЯ с экстремально большим эквивалентным размером моды для генерации пикосекундных импульсов излучения с большой энергией методом модуляции усиления
C.Ю. Саркисов (Сибирский ФТИ ТГУ, Томск), М.М. Назаров, О.П. Толбанов, АП. Шкуринов
Генерация импульсного терагерцового излучения в полупроводниковых кристаллах GaSe и GaSe1-xSxС
С.Ю. Саркисов (Сибирский ФТИ ТГУ, Томск), С.А. Березная, З.В. Коротченко, А.Г. Ситников, А.Е. Тельминов, А.Н. Панченко
Лучевая стойкость кристаллов GaSe и GaSe0,7S0,3 и генерация второй гармоники при накачке излучением импульсного СО2 - лазера на длине волны 10.6 мкм
В.А. Симаков (НИИ «Полюс», Москва)
Перспективные источники накачки твердотельных лазеров на основе интегрированных наногетероструктур
П.В. Середин (ВГУ, Воронеж), А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, В.Е. Руднева, И.Н. Арсентьев, Д.А, Винокуров, А.Л.Станкевич, И.С. Тарасов
Структурные и оптические исследования мос-гидридных AlxGa1-xAs: Si/GaAs (100) гетероструктур
С.О. Слипченко (ФТИ им. Иоффе)
Модовый состава излучения мощных полупроводниковых лазеров и его динамические характеристики
И.С. Тарасов (ФТИ им. Иоффе)
Тема доклада будет объявлена позже
Д.Р. Хохлов(МГУ, Москва)
Чувствительные приемники терагерцового излучения на основе полупроводников IV-VI
В.В. Шерстнев (ФТИ им. Иоффе), Е.А. Гребенщикова, М.И. Ларченков, А.М. Монахов, А.Н. Именков, А.Н. Баранов, Ю.П. Яковлев
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры на модах шепчущей галереи (WGM)
А.Г. Колмаков, Н.М. Шмидт (ФТИ им. Иоффе)
Возможности мультифрактального анализа в диагностике светоизлучающих гетероструктур
Н.С. Аверкиев, А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев, П.В. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт (ФТИ им. Иоффе)
Низкочастотный шум в светоизлучающих гетероструктурах
В.А. Щукин (Технический университет, Берлин, Германия), Н.Н. Леденцов
Новые концепции мощных полупроводниковых лазеров высокой яркости
В.З. Зубелевич, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский(Институт физики НАН Беларуси, Минск), Х. Калиш, Р.Х. Янсен, Б.Шинеллер, М. Хойкен, H. Kalisch, R.H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken
Деградация оптически накачиваемых лазеров на основе гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на кремниевых подложках

Молодежная сессия


А.В. Глотов(ВГУ, Воронеж)
Исследование структурного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах InxGa1-xAs
М. Дурнев(СПб АУ НОЦНТ РАН)
Вхождение индия и оптические переходы в напряженных InGaN объемных слоях и квантовых ямах с произвольной ориентацией гексагональной оси кристалла
Е.И. Шабунина (ФТИ им. Иоффе)
Низкочастотный шум в светоизлучающих квантоворазмерных InGaN/GaN структурах
(c) 2008, Ioffe Institute