Программа конференции

Пятница, 12 ноября 2010 года

Академический университет. Актовый зал

Туннельно- связанные эпитаксиально–интегрированные полупроводниковые лазеры

10:00 В.А. Симаков
Перспективные источники накачки твердотельных лазеров на основе интегрированных наногетероструктур
10:20 М.В. Зверков, В.В. Кричевский, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков, С.М. Сапожников
Лазерные диоды с несколькими излучающими областями и импульсные излучатели повышенной мощности на основе эпитаксиально – интегрированных гетероструктур
10:40 М.А. Ладугин, М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков, А.В. Соловьева, И.В. Яроцкая
Влияние режима работы на выходные характеристики лазерных диодов с несколькими излучающими областями (In,Al)GaAs/AlGaAs

Полупроводниковые излучатели и приемники терагерцового излучения

11:00 Д.Р. Хохлов
Чувствительные приемники терагерцового излучения на основе полупроводников IV–VI
11:20 С.Ю. Саркисов, М.М. Назаров, О.П. Толбанов, А.П. Шкуринов
Генерация импульсного терагерцового излучения в полупроводниковых кристаллах GaSe и GaSe1-xSx
11:40 Coffee break

Диагностика полупроводниковых лазерных структур

12:00 Б.Я. Бер
Вторично–ионная масс спектрометрия низкоразмерных гетероструктур. Возможности и приложения
12:20 П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, В.Е. Руднева, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов
Структурные и оптические исследования
мос–гидридных Al x Ga 1 – x As:Si⁄GaAs(100) гетероструктур
12:40 М.В. Заморянская, А.Л.Бакалейников, Я.В.Кузнецова, Т.Б.Попова, А.Н.Трофимов, А.А.Шахмин, Е.Ю.Флегантова
Исследование лазерных гетероструктур локальными методами
13:00–15:00 Стендовая сессия
13:00 Обед

Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазонов

15:00 E.В. Луценко, Н.П. Тарасюк, Н.В. Ржеуцкий, А.В. Данильчик, Г.П. Яблонский, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, П.С. Копьев, С.В. Иванов
Оптические и лазерные свойства гетероструктур с активной областью на основе AlGaN квантовых ям, излучающих в глубокой УФ области спектра
15:20 В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, А.А. Ситникова, М.А. Яговкина, П.С. Копьев, Е.В. Луценко, Н.П. Тарасюк, Н.В. Ржеуцкий, А.В. Данильчик, Г.П. Яблонский, С.В. Иванов
Молекулярно–пучковая эпитаксия лазерных гетероструктур с квантовыми ямами AlGaN для ультрафиолетовой области спектра
15:40 Г.П. Яблонский, В.З. Зубелевич, Е.В. Луценко
Катастрофическая деградация оптически накачиваемых лазеров на основе выращенных на кремнии гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN
16:00 К.А. Булашевич, М.С. Рамм, С.Ю. Карпов
Особенности электронного и оптического ограничения в гетеролазерах на основе нитридов III группы
16:20 М.М. Мездрогина, Ю.В. Жиляев, С.Н. Родин, Ю.В. Кожанова
GaN, легированный РЗИ (Tm,Eu,Er,Sm,Yb) — перспективный материал для создания излучающих структур для видимой, ИК–областей спектра
16:20 Е.В. Луценко,А.Г. Вайнилович, Н.П. Тарасюк, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, И.В. Седова, С.В. Гронин, С.В. Иванов
Лазерные характеристики гетероструктур с ZnCdSe квантовыми точками и ямами в варизонном волноводе
17:00 Coffee break

Вертикально-излучающие полупроводниковые лазеры

17:20 Н.А. Малеев, С.А. Блохин, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов
Мощные одномодовые и сверхбыстродействующие вертикально–излучающие лазеры
17:40 С.А. Блохин, Л.Я. Карачинский, А.М. Надточий, М.В. Максимов, А. Мутиг, Г. Фиол, Д. Бимберг, Д.А. Лотт, В.А. Щукин, Н.Н. Леденцов
Сверхскоростные оптические линии связи нового поколения на основе вертикально-излучающих лазеров диапазона 850 нм
18:00 Ж.И. Алферов
Заключительное слово
(c) 2008, Ioffe Institute