Программа

вторник, 13 ноября, 2012 года

Санкт-Петербургский Академический университет. Актовый зал
9:00–10:00 Регистрация
10:00 Ж.И. Алферов
Гетероструктуры в оптоэлектронике: история и тенденции развития
10:40 О.Н. Крохин
Роль и место полупроводниковых лазеров в развитии квантовой электроники
11:10 Ю.М. Попов
50–летие инжекционного лазера (по материалам юбилейной сессии в Великобритании)
11:40 Е.Л. Портной
Полупроводниковые лазеры — первое десятилетие
12:10 Coffee break

Мощные полупроводниковые лазеры, лазерные линейки и решетки

12:30 Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Шашкин, Д.А. Веселов, И.С. Тарасов
Мощные непрерывные и импульсные полупроводниковые лазеры
12:50 А.А. Мармалюк, А.А. Андреев, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, А.С. Мешков, А.Н. Морозюк, С.М. Сапожников, В.А. Симаков, К.Ю. Телегин, И.В. Яроцкая
Линейки лазерных диодов (λ=808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
13:10 В.В. Безотосный, В.Ю. Бондарев, О.Н. Крохин, В.А. Олещенко, В.Ф. Певцов, Ю.М. Попов, Е.А. Чешев
Мощные инжекционные лазеры спектральных диапазонов 808, 980 и 1064 нм
13:30 Обед
14:30 В.П. Коняев, М.В. Зверков, В.В. Кричевский, М.А.  Ладугин, А.А. Мармалюк
Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
14:50 П.В. Горлачук
Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
15:10 М.А. Ладугин, Ю.П. Коваль,А.А. Мармалюк, В.А. Петровский
Импульсные лазерные решетки спектрального диапазона 850–870 нм на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с узкими и широкими волноводами
15:30 Г.И. Рябцев, М.В. Богданович, А.В. Григорьев, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, К.В. Лепченков, А.Г. Рябцев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, М.А. Щемелев
Оптимизация параметров мощных лазерных диодных линеек для накачки твердотельных лазеров
15:50 Coffee break

Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазонов

16:10 Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, И.В. Седова, С.В. Гронин, С.В. Иванов
Полупроводниковый A3N-А2В6 лазерный микрочип–конвертер желто– зеленого спектрального диапазона
16:30 В.Н. Жмерик, Д.В. Нечаев, А.А. Торопов, Т.В. Шубина, Е.А. Шевченко, В.В. Ратников, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, Е.В. Луценко, Н.В. Ржеуцкий,В.Н. Павловский, Г.П. Яблонский, С.В. Иванов
Лазерные AlGaN гетероструктуры с оптическим возбуждением для глубокого ультрафиолетового диапазона
16:50 С.В. Гронин, С.В. Сорокин, И.В. Седова, Г.В. Климко, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Г.П. Яблонский
Лазерные гетероструктуры ZnMgSSe с квантовыми точками CdSe для высокоэффективных сине–зеленых лазерных конвертеров A2B6/A3N
© 2012, Ioffe Institute