Программа

четверг, 15 ноября 2012 года

Санкт-Петербургский Академический университет. Актовый зал

Различные конструкции полупроводниковых лазеров

10:30 М.С. Буяло, И.М. Гаджиев, А.Ю. Егоров, Н.Д. Ильинская, Е.Л. Портной
Две области существования пассивной синхронизации мод в лазерах со связанными квантовыми ямами
10:50 С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, А.Ю. Лешко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов.
Полупроводниковые модуляторы мощного лазерного излучения на основе принципов внутрирезонаторных модовых переключений
11:10 В.П. Дураев, С.В. Медведев
Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры
11:30 А.А. Ангелуц, М.Г. Евдокимов, В.Г. Тункин, А.П. Шкуринов, С.Ю. Саркисов, В.В. Безотосный, М.В. Горбунков, А.Л. Коромыслов, М.С. Кривонос, Е.А. Чешев
Генерация разностной частоты 1,63 ТГц излучения двухчастотного Nd:YLF лазера в кристале GaSe
11:50 Coffee break
12:10 В.И. Козловский, О.Г. Охотников
Непрерывный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInAs/GaAs с накачкой электронным пучком
12:30 А.А. Донцов, А.М. Монахов, Н.С. Аверкиев
Моды шепчущей галереи в неидеальных дисковых резонаторах
12:50 Ю.П. Яковлев, В.В. Шерстнев, А.М. Монахов, M.И. Ларченков, Е.А. Гребенщикова, А.Н. Баранов
Перестраиваемые по частоте полупроводниковые лазеры на модах шепчущей галереи
13:10 Е.А. Гребенщикова, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, В.В. Шерстнев, А.М. Монахов, Ю.П. Яковлев
Методы получения высокодобротных резонаторов для лазеров на модах шепчущей галереи (WGM–лазеров)
13:30 Обед

Квантово–каскадные лазеры

14:30 А.А. Богданов, Р.А. Сурис
Теоретический анализ потерь на свободных носителях в квантовом каскадном лазере
14:50 М.П. Теленков, Ю.А. Митягин, П.Ф. Карцев
Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцового диапазона между уровнями ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs в наклонном магнитном поле
15:10 Г.Г. Зегря, Н.В. Ткач, И.В. Бойко, Ю.А. Сети
Коротковолновые λ ~ 3–4 мкм квантово каскадные лазеры, работающие при температурах до 400 К
15:30 Е.А. Аврутин, Б.С. Рывкин
Нелинейное сопротивление волноводного слоя мощных полупроводниковых лазеров: аналитическая модель и влияние на характеристики прибора
15:50 Coffee break

Исследования полупроводниковых лазерных и диэлектрических структур

16:10 Е.В. Лебедок, Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, В.В. Кабанов, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев
Влияние содержания индия на свойства дефектов в соединениях InGaAs, InGaN
16:30 М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, С.Г. Конников
Доменная структура рабочего материала лазеров на основе GaN/SiC
16:50 В.П. Дзюба, Ю.Н. Кульчин, В.А. Миличко
Аномальная оптическая нелинейность диэлектрических наносистем. Деформирование формы наносферы и квантово-размерные состояния частицы в ней
18:30 Конференционный ужин
© 2012, Ioffe Institute