Программа конференции

Понедельник, 10 ноября 2014 года

Академический университет. Актовый зал
9:30–11:00 Регистрация, кофе
11:00 Открытие симпозиума
11:30 О.Н. Крохин
Интерференция одиночных фотонов: что такое фотон?
11:50 В.Н. Жмерик
Награждение изобретателей эффективных синих светодиодов Нобелевской премией по физике 2014 года в области полупроводниковой технологии
12:10 Е.В. Луценко
Полупроводниковые лазеры на основе III-нитридов: история, достижения и перспективы развития
12:30 А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, А.А. Липовский, А.М. Надточий, Ю.В. Кудашова, И.И. Шостак, Э.И. Моисеев, A. Mintairov
Микролазеры на основе мод шепчущей галереи c квантовыми точками в активной области
12:50 Вл.В. Кочаровский, А.С. Гаврилов, Е.Р. Кочаровская, В.В. Кочаровский, Е.М. Лоскутов, Д.Н. Мухин
Холодные, горячие и блуждающие моды в сверхизлучающих гетеролазерах
13:10-14:10 Обед

Мощные полупроводниковые лазеры, лазерные линейки и решетки

14:10 А.А. Мармалюк, П.В. Горлачук, А.В. Иванов, Ю.П. Коваль, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.В. Лобинцов, А.А. Падалица, С.М. Сапожников, В.А. Симаков, И.В. Яроцкая
Мощные полупроводниковые лазерные излучатели: пути повышения выходных характеристик
14:30 С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, В.В. Васильева, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, В.В. Золотарев, О.С. Соболева, Д.А. Веселов, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов, Т.А. Багаев, М.В. Зверков, В.П. Коняев, Ю.В. Курнявко, М.А. Ладугин, А.В. Лобинцов, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков
Мощные лазеры-тиристоры на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (890-910нм)
14:50 В.В. Безотосный, О.Н. Крохин, В.А. Олещенко, В.Ф. Певцов, Ю.М. Попов, Е.А. Чешев
Влияние типа теплоотводящего элемента и параметров сабмаунта на тепловой режим мощных лазерных диодов
15:10 А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов
Анализ и пути оптимизации конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов
15:30 М.В. Зверков, В.В. Кричевский, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, С.М. Сапожников
Излучательные характеристики решеток лазерных диодов импульсного режима работы на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
15:50 М.А. Ладугин, А.А. Падалица, И.В. Яроцкая, Т.А. Багаев, А.В. Лобинцов, Ю.В. Курнявко, С.М. Сапожников, А.И. Данилов, Е.Б. Иванова, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков
Мощные лазерные линейки и решетки на основе гетероструктур с квантовыми ямами AlGaAs и GaAsP
16:10 Кофе

Применение полупроводниковых лазеров

16:30 И.Н. Завестовская
Лазерное наноструктурирование материалов
16:50 Е.А. Чешев, В.В. Безотосный, В.И. Дашкевич, М.В. Горбунков, А.Л. Коромыслов, П.В. Кострюков, Ю.М. Попов, В.Г. Тункин, Р.В. Чулков
Особенности режима синхронизации поперечных мод в твердотельных лазерах с продольной диодной накачкой при модуляции добротности резонатора
17:10 Ю.В. Алексеев, О.В. Миславский, А.В. Иванов, С.Д. Захаров
Применение светокислородного эффекта для управления иммунной реакцией
© 2014, Ioffe Institute