Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Лаборатория not specified 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 151

73.

 Физика и жизнь
Авторы: Алферов,ЖИ
В книге (сборнике): Физика и жизнь (288 стр.)
2001 НАУКА ISBN: 5-02-022619-X, ISBN: 5-02-024962-9
Происхождение: primary; Тип: book_history
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

74.

  Radiative inter-sublevel transitions in InGaAs/AlGaAs quantum dots
Авторы: Weber,A; Goede,K; Grundmann,M; Heinrichsdorff,F; Bimberg,D; Ustinov,VM; Zhukov,AE; Ledentsov,NN; Kopev,PS; Alferov,ZI
2001, Phys. Status Solidi B-Basic Res., v.224, 3 страницы: 833-837
DOI: http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<833::AID-PSSB833>3.0.CO;2-H
Web of Science® times cited — 1, WoS_ID — WOS:000168432100043
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 3, Sco_ID — 2-s2.0-18044389324
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Леденцов,НН; Копьев,ПС; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

75.

  Nobel lecture: The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics, and technology
Авторы: Alferov,ZI
2001, Rev. Mod. Phys., v.73, 3 страницы: 767-782
DOI: http://dx.doi.org/10.1103/RevModPhys.73.767
Web of Science® times cited — 157, WoS_ID — WOS:000172250600009
Показатели используемости: последние 180 дней — 8, с 2013 года — 53.
Scopus® times cited — 173, Sco_ID — 2-s2.0-0035540772
Происхождение: primary; Тип: jour_review
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

76.

  Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation
Авторы: Maximov,MV; Asryan,LV; Shernyakov,YM; Tsatsul`nikov,AF; Kaiander,IN; Nikolaev,VV; Kovsh,AR; Mikhrin,SS; Ustinov,VM; Zhukov,AE; Alferov,ZI; Ledenstov,NN; Bimberg,D
2001, IEEE J. Quantum Electron., v.37, 5 страницы: 676-683
DOI: http://dx.doi.org/10.1109/3.918581
Web of Science® times cited — 54, WoS_ID — WOS:000168358500009
Показатели используемости: последние 180 дней — 1, с 2013 года — 8.
Scopus® times cited — 59, Sco_ID — 2-s2.0-0035338667
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максимов,МВ; Асрян,ЛВ; Шерняков,ЮМ; Цацульников,АФ; Каяндер,ИН; Николаев,ВВ; Ковш,АР; Михрин,СС; Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

77.

  Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties
Авторы: Cirlin,GE; Polyakov,NK; Petrov,VN; Egorov,VA; Denisov,DV; Volovik,BV; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Heitz,R; Bimberg,D; Zakharov,ND; Werner,P; Gosele,U
2001, Mater. Sci. Eng. B-Solid State Mater. Adv. Technol., v.80, 1 страницы: 108-111
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00624-3
Web of Science® times cited — 6, WoS_ID — WOS:000168260800025
Показатели используемости: последние 180 дней — 1, с 2013 года — 5.
Scopus® times cited — 8, Sco_ID — 2-s2.0-0035932329
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Цырлин,ГЭ; Поляков,НК; Петров,ВН; Егоров,ВА; Денисов,ДВ; Воловик,БВ; Устинов,ВМ; Алферов,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

78.

 Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками
Авторы: Устинов,ВМ; Малеев,НА; Жуков,АЕ; Ковш,АР; Сахаров,АВ; Воловик,БВ; Цацульников,АФ; Леденцов,НН; Алферов,ЖИ; Лотт,ДжА; Бимберг,Д
2001, УФН, т.171, 8 страницы: 855-857
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Малеев,НА; Жуков,АЕ; Ковш,АР; Сахаров,АВ; Воловик,БВ; Цацульников,АФ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

79.

 Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
Авторы: Крестников,ИЛ; Лундин,ВВ; Сахаров,АВ; Бедарев,ДА; Заварин,ЕЕ; Мусихин,ЮГ; Шмидт,НМ; Цацульников,АФ; Усиков,АС; Леденцов,НН; Алферов,ЖИ
2001, УФН, т.171, 8 страницы: 857-858
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Крестников,ИЛ; Лундин,ВВ; Сахаров,АВ; Бедарев,ДА; Заварин,ЕЕ; Мусихин,ЮГ; Шмидт,НМ; Цацульников,АФ; Усиков,АС; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

80.

 Гетероструктуры с квантовыми точками в системе InAs/Si для нового поколения приборов опто- и микроэлектроники
Авторы: Петров,ВН; Цырлин,ГЭ; Голубок,АО; Комяк,НИ; Устинов,ВМ; Леденцов,НН; Алферов,ЖИ; Бимберг,Д
2001, Микроэлектрон., т.30, 2 страницы: 119-126
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Петров,ВН; Цырлин,ГЭ; Устинов,ВМ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  InAs/Si-Based Quantum-Dot Heterostructures for New-Generation Optoelectronic and Microelectronic Devices
Авторы: Petrov,VN; Tsyrlin,GE; Golubok,AO; Komyak,NI; Ustinov,VM; Ledentsov,NN; Alferov,ZI; Bimberg,D
2001, Russ. Microelectron., v.30, 2 страницы: 99-105
DOI: http://dx.doi.org/10.1023/A:1009481810935
Scopus® times cited — 1, Sco_ID — 2-s2.0-0345859641
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Петров,ВН; Цырлин,ГЭ; Устинов,ВМ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages: firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last