Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Лаборатория not specified 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 151

145.

 Influence of the thick GaN buffer growth conditions on the electroluminescence properties of GaN/InGaN multilayer heterostructures
Авторы: Usikov,AS; Lundin,WV; Bedarev,DA; Zavarin,EE; Sakharov,AV; Tsatsul`nikov,AF; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Hoffmann,A; Bimberg,D
В книге (сборнике): PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS. IPAP CONFERENCE SERIES , v.1 страницы: 875-877
2000 INST PURE APPLIED PHYSICS ISBN: 4-900526-13-4
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2000) Location: NAGOYA, JAPAN Date: SEP 24-27, 2000
Web of Science® times cited — 1, WoS_ID — WOS:000171608500224
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Усиков,АС; Лундин,ВВ; Бедарев,ДА; Заварин,ЕЕ; Сахаров,АВ; Цацульников,АФ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

146.

 High output power CW operation of a quantum dot laser.
Авторы: Ustinov,VM; Kovsh,AR; Livshits,DA; Zhukov,AE; Egorov,AY; Maximov,MV; Tarasov,IS; Ledentsov,NN; Kop`ev,PS; Alferov,ZI; Bimberg,D
В книге (сборнике): Compound semiconductors 1999 (486 стр.) Inst. Phys. Conf., v.166 страницы: 277-280
2000 IOP PUBLISHING LTD ISSN: 0951-3248 ISBN: 0750-307048
Twenty-Sixth International Symposium on Compound Semiconductors, Berlin, Germany, 22-26 August 1999
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000177563100064
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 2.
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Ковш,АР; Лившиц,ДА; Жуков,АЕ; Егоров,АЮ; Максимов,МВ; Тарасов,ИС; Леденцов,НН; Копьев,ПС; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

147.

 1.3 mu m CW operation of InGaAsN lasers
Авторы: Egorov,AY; Bernklau,D; Livshits,D; Ustinov,V; Alferov,ZI; Riechert,H
В книге (сборнике): Compound semiconductors 1999 (486 стр.) Inst. Phys. Conf., v.166 страницы: 359-362
2000 IOP PUBLISHING LTD ISSN: 0951-3248 ISBN: 0750-307048
Twenty-Sixth International Symposium on Compound Semiconductors, Berlin, Germany, 22-26 August 1999
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000177563100083
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Егоров,АЮ; Лившиц,ДА; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

148.

  GaAs-based 1.3 mu m InGaAs quantum dot lasers: A status report
Авторы: Maximov,MV; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
2000, J. Electron. Mater., v.29, 5 страницы: 476-486
DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s11664-000-0032-5
Web of Science® times cited — 15, WoS_ID — WOS:000089057300003
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 14, Sco_ID — 2-s2.0-0033735007
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максимов,МВ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

149.

  InGaAs-GaAs quantum dots for application in long wavelength (1.3 mu m) resonant vertical cavity enhanced devices
Авторы: Maximov,MV; Krestnikov,IL; Shernyakov,YuM; Zhukov,AE; Maleev,NA; Musikhin,YuG; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Chernyshov,AYu; Ledentsov,NN; Bimberg,D; Maka,T; Sotomayor Torres,CM
2000, J. Electron. Mater., v.29, 5 страницы: 487-493
DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s11664-000-0033-4
Web of Science® times cited — 3, WoS_ID — WOS:000089057300004
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 5, Sco_ID — 2-s2.0-0033743042
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максимов,МВ; Крестников,ИЛ; Шерняков,ЮМ; Жуков,АЕ; Малеев,НА; Мусихин,ЮГ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

150.

  Electromagnetic response of 3D arrays of quantum dots
Авторы: Maksimenko,SA; Slepyan,GY; Kalosha,VP; Maly,SV; Ledentsov,NN; Herrmann,J; Hoffmann,A; Bimberg,D; Alferov,ZI
2000, J. Electron. Mater., v.29, 5 страницы: 494-503
DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s11664-000-0034-3
Web of Science® times cited — 14, WoS_ID — WOS:000089057300005
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 2.
Scopus® times cited — 15, Sco_ID — 2-s2.0-0033742444
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максименко,СА; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

151.

 InAs nanostructures in a silicon matrix: growth and properties
Авторы: Cirlin,GE; Egorov,VA; Petrov,VN; Golubok,AO; Komyak,NI; Polyakov,NK; Samsonenko,YU; Denisov,DV; Volovik,BV; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Heitz,R; Bimberg,D; Zakharov,ND; Werner,P; Gosele,U
Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.583 страницы: 51-56
2000 MATERIALS RESEARCH SOCIETY ISSN: 0272-9172
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-0033680515
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Цырлин,ГЭ; Егоров,ВА; Петров,ВН; Поляков,НК; Денисов,ДВ; Воловик,БВ; Устинов,ВМ; Алферов,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages: firstback10prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19