Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Лаборатория not specified 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 151

17.

  Semiconductor quantum dot lasers
Авторы: Ustinov,V; Zhukov,A; Egorov,A; Kovsh,A; Maleev,N; Semenova,E; Maximov,M; Ledentsov,N; Alferov,Z
В книге (сборнике): Optical Materials and Applications Proc. SPIE, v.5946 ArtNo: #594615
2005 SPIE ISSN: 0277-786X ISBN: 0-8194-5953-4
4th International Conference on Advanced Optical Materials and Devices Location: Tartu, ESTONIA Date: JUL 06-09, 2004
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000231924400041
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 2.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-32144449752
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Малеев,НА; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

18.

  High power temperature-insensitive 1.3 mu m InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers
Авторы: Mikhrin,SS; Kovsh,AR; Krestnikov,IL; Kozhukhov,AV; Livshits,DA; Ledentsov,NN; Shernyakov,YM; Novikov,II; Maximov,MV; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2005, Semicond. Sci. Technol., v.20, 5 страницы: 340-342
DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/20/5/002
Web of Science® times cited — 115, WoS_ID — WOS:000229797900005
Показатели используемости: последние 180 дней — 2, с 2013 года — 11.
Scopus® times cited — 127, Sco_ID — 2-s2.0-24144498705
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Михрин,СС; Ковш,АР; Крестников,ИЛ; Лившиц,ДА; Леденцов,НН; Шерняков,ЮМ; Новиков,ИИ; Максимов,МВ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

19.

  Long-wavelength lasers based on metamorphic quantum dots
Авторы: Zhukov,AE; Kovsh,AR; Ustinov,VM; Ledentsov,NN; Alferov,ZI
2005, Microelectron. Eng., v.81, 2-4 страницы: 229-237
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2005.03.012
Web of Science® times cited — 7, WoS_ID — WOS:000231964900011
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 2.
Scopus® times cited — 8, Sco_ID — 2-s2.0-23444434962
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Жуков,АЕ; Ковш,АР; Устинов,ВМ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

20.

 Наука и общество
Авторы: Алферов,ЖИ
(383 стр.)
2005 НАУКА, СПб ISBN: 5-020-25055-4
Происхождение: primary; Тип: book_history
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

21.

 Научные слушания Отделения физических наук в рамках Общего собрания Российской академии наук (17 мая 2004)
Авторы: Алферов,ЖИ; Тимофеев,ВБ; Гапонов,СВ; Ковальчук,МВ
2004, УФН, т.174, 10 страницы: 1109-1116
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Physical Sciences Division session at the general meeting of the Russian Academy of Sciences (17 May 2004)
Авторы: Alferov,ZI; Timofeev,VB; Gaponov,SV; Koval`chuk,MV
2004, Phys. Usp., v.47, 10 страницы: 1037-1044
DOI: http://dx.doi.org/10.1070/PU2004v047n10ABEH001929
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-12944286378
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

22.

  16W continuous-wave output power from 100 mu m-aperture laser with quantum well asymmetric heterostructure
Авторы: Pikhtin,NA; Slipchenko,SO; Sokolova,ZN; Stankevich,AL; Vinokurov,DA; Tarasov,IS; Alferov,ZI
2004, Electron. Lett., v.40, 22 страницы: 1413-1414
DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el:20045885
Web of Science® times cited — 79, WoS_ID — WOS:000225106800019
Показатели используемости: последние 180 дней — 3, с 2013 года — 14.
Scopus® times cited — 92, Sco_ID — 2-s2.0-9144224424
Происхождение: primary; Тип: jour_letter
Авторы (ФТИ): Пихтин,НА; Слипченко,СО; Соколова,ЗН; Станкевич,АЛ; Винокуров,ДА; Тарасов,ИС; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

23.

  Mode-locking at 9.7 GHz repetition rate with 1.7 ps pulse duration in two-section QD lasers
Авторы: Gubenko,AE; Gadjiev,IM; Il`inskaya,ND; Zadiranov,YuM; Zhukov,AE; Ustinov,VM; Alferov,Z; Portnoi,EL; Kovsh,AR; Livshits,DA; Ledentsov,NN
В книге (сборнике): Semiconductor Laser Conference, 2004. Conference Digest, IEEE 19th International IEEE Int. Semicond. Laser Conf. страницы: 51-52
2004 IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC ISSN: 0899-9406 ISBN: 0-7803-8627-2
IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference 2004, 21-25 Sept. 2004
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000224835600024
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 2.
Scopus® times cited — 4, Sco_ID — 2-s2.0-20144387311
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Губенко,АЕ; Гаджиев,ИМ; Ильинская,НД; Задиранов,ЮМ; Жуков,АЕ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Портной,ЕЛ; Ковш,АР; Лившиц,ДА; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

24.

  Local electronic structure of N atoms in Ga(In)AsN by soft-X-ray absorption and emission: Optical efficiency
Авторы: Strocov,VN; Claessen,R; Nilsson,PO; Schmitt,T; Egorov,AYu; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2004, Int. J. Nanoscience, v.3, 1-2 страницы: 95-103
DOI: http://dx.doi.org/10.1142/S0219581X04001869
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-13844266417
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Егоров,АЮ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages: firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last