Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Лаборатория not specified 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 151

25.

 Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Авторы: Лундин,ВВ; Заварин,ЕЕ; Бесюлькин,АИ; Гладышев,АГ; Сахаров,АВ; Кокорев,МФ; Шмидт,НМ; Цацульников,АФ; Леденцов,НН; Алферов,ЖИ; Каканаков,Р
2004, ФТП, т.38, 11 страницы: 1364-1367
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Лундин,ВВ; Заварин,ЕЕ; Гладышев,АГ; Сахаров,АВ; Шмидт,НМ; Цацульников,АФ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  MOCVD-grown AlGaN/GaN heterostructures with high electron mobility
Авторы: Lundin,VV; Zavarin,EE; Besulkin,AI; Gladyshev,AG; Sakharov,AV; Kokorev,MF; Shmidt,NM; Tsatsul`nikov,AF; Ledentsov,NN; Alferov,ZI; Kakanakov,R
2004, Semiconductors, v.38, 11 страницы: 1323-1325
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1823068
Web of Science® times cited — 4, WoS_ID — WOS:000224854200017
Показатели используемости: последние 180 дней — 2, с 2013 года — 3.
Scopus® times cited — 4, Sco_ID — 2-s2.0-10044277083
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Лундин,ВВ; Заварин,ЕЕ; Гладышев,АГ; Сахаров,АВ; Шмидт,НМ; Цацульников,АФ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

26.

 Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения
Авторы: Слипченко,СО; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Соколова,ЗН; Станкевич,АЛ; Тарасов,ИС; Алферов,ЖИ
2004, ФТП, т.38, 12 страницы: 1477-1486
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Слипченко,СО; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Соколова,ЗН; Станкевич,АЛ; Тарасов,ИС; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Ultralow internal optical loss in separate-confinement quantum-well laser heterostructures
Авторы: Slipchenko,SO; Vinokurov,DA; Pikhtin,NA; Sokolova,ZN; Stankevich,AL; Tarasov,IS; Alferov,ZI
2004, Semiconductors, v.38, 12 страницы: 1430-1439
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1836066
Web of Science® times cited — 54, WoS_ID — WOS:000225507500015
Показатели используемости: последние 180 дней — 2, с 2013 года — 24.
Scopus® times cited — 49, Sco_ID — 2-s2.0-13644261766
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Слипченко,СО; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Соколова,ЗН; Станкевич,АЛ; Тарасов,ИС; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

27.

  Nitrogen local electronic structure in Ga(In)AsN alloys by soft-x-ray absorption and emission: Implications for optical properties
Авторы: Strocov,VN; Nilsson,PO; Schmitt,T; Augustsson,A; Gridneva,L; Debowska-Nilsson,D; Claessen,R; Egorov,AY; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2004, Phys. Rev. B, v.69, 3 ArtNo: #035206
DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.69.035206
Web of Science® times cited — 10, WoS_ID — WOS:000188883800040
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 13, Sco_ID — 2-s2.0-4644261401
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Егоров,АЮ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

28.

 Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs
Авторы: Максимов,МВ; Шерняков,ЮМ; Крыжановская,НВ; Гладышев,АГ; Мусихин,ЮГ; Леденцов,НН; Жуков,АЕ; Васильев,АП; Ковш,АР; Михрин,СС; Семенова,ЕС; Малеев,НА; Никитина,ЕВ; Устинов,ВМ; Алферов,ЖИ
2004, ФТП, т.38, 6 страницы: 763-766
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максимов,МВ; Шерняков,ЮМ; Крыжановская,НВ; Гладышев,АГ; Мусихин,ЮГ; Леденцов,НН; Жуков,АЕ; Васильев,АП; Ковш,АР; Михрин,СС; Семенова,ЕС; Малеев,НА; Никитина,ЕВ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  High-power 1.5 mu m InAs-InGaAs quantum dot lasers on GaAs substrates
Авторы: Maksimov,MV; Shernyakov,YM; Kryzhanovskaya,NV; Gladyshev,AG; Musikhin,YG; Ledentsov,NN; Zhukov,AE; Vasil`ev,AP; Kovsh,AR; Mikhrin,SS; Semenova,ES; Maleev,NA; Nikitina,EV; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2004, Semiconductors, v.38, 6 страницы: 732-735
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1766381
Web of Science® times cited — 23, WoS_ID — WOS:000221951800020
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 6.
Scopus® times cited — 23, Sco_ID — 2-s2.0-3042849120
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максимов,МВ; Шерняков,ЮМ; Крыжановская,НВ; Гладышев,АГ; Мусихин,ЮГ; Леденцов,НН; Жуков,АЕ; Васильев,АП; Ковш,АР; Михрин,СС; Семенова,ЕС; Малеев,НА; Никитина,ЕВ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

29.

 Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики
Авторы: Алферов,ЖИ; Андреев,ВМ; Румянцев,ВД
2004, ФТП, т.38, 8 страницы: 937-948
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ; Андреев,ВМ; Румянцев,ВД
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Solar photovoltaics: Trends and prospects
Авторы: Alferov,ZI; Andreev,VM; Rumyantsev,VD
2004, Semiconductors, v.38, 8 страницы: 899-908
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1787110
Web of Science® times cited — 50, WoS_ID — WOS:000223273800002
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 4.
Scopus® times cited — 45, Sco_ID — 2-s2.0-4544357912
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ; Андреев,ВМ; Румянцев,ВД
ID
Cl: I|S
Лаб. 

30.

  Chapter 2: Trends in the development of solar photovoltaics
Авторы: Alferov,ZhI; Rumyantsev,VD
В книге (сборнике): Next Generation Photovoltaics. High efficiency through full spectrum utilization страницы: 19-49
2004 IOP PUBLISHING LTD ISBN: 0-7503-0905-9
Происхождение: primary; Тип: book_chapter
Авторы (ФТИ): Алфёров,ЖИ; Румянцев,ВД
ID
Cl: I|S
Лаб. 

31.

  1.5 micron InAs quantum dot lasers based on metamorphic InGaAs/GaAs heterostructures
Авторы: Ustinov,VM; Zhukov,AE; Kovsh,AR; Maleev,NA; Mikhrin,SS; Vasil`ev,AP; Nikitina,EV; Semenova,ES; Kryzhanovskaya,NV; Musikhin,YuG; Shernyakov,YuM; Maximov,MV; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
В книге (сборнике): SELF-ORGANIZED PROCESSES IN SEMICONDUCTOR HETEROEPITAXY Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.794 страницы: 189-194
2003 MATERIALS RESEARCH SOCIETY ISSN: 0272-9172 ISBN: 1-55899-732-6
Symposium on Self-Organized Processes in Semiconductor Epitaxy held at the 2003 MRS Fall Meeting Location: Boston, MA Date: DEC 01-05, 2003
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000222180100027
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-2942670486
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Ковш,АР; Малеев,НА; Михрин,СС; Васильев,АП; Никитина,ЕВ; Семенова,ЕС; Крыжановская,НВ; Мусихин,ЮГ; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

32.

  1.5 micron InAs quantum dot lasers based on metamorphic InGaAs/GaAs heterostructures
Авторы: Ustinov,VM; Zhukov,AE; Kovsh,AR; Maleev,NA; Mikhrin,SS; Vasil`ev,AP; Nikitina,EV; Semenova,ES; Kryzhanovskaya,NV; Musikhin,YuG; Shernyakov,YuM; Maximov,MV; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
В книге (сборнике): PROGRESS IN COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS III - ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.799 страницы: 369-374
2003 MATERIALS RESEARCH SOCIETY ISSN: 0272-9172 ISBN: 1-55899-737-7
Symposium on Progress in Compound Semiconductor Materials III held at MRS Fall Meeting Location: BOSTON, MA Date: FEB 17, 2003
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000221673900052
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-3042645677
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Ковш,АР; Малеев,НА; Михрин,СС; Васильев,АП; Никитина,ЕВ; Семенова,ЕС; Крыжановская,НВ; Мусихин,ЮГ; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages: firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last