Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Лаборатория not specified 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 151

33.

  MBE growth of low-threshold long-wavelength QD lasers on GaAs substrates
Авторы: Maleev,NA; Kovsh,AR; Zhukov,AE; Mikhrin,SS; Vasil`ev,AV; Semenova,ES; Shernyakov,YuM; Nikitina,EV; Kryjanovskaya,NV; Sizov,DS; Soshnikov,IP; Maximov,MV; Ledentsov,NN; Ustinov,VM; Bimberg,D; Alferov,ZI
В книге (сборнике): 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology (610 стр.) Proc. SPIE, v.5023, 1 страницы: 357-360
2003 SPIE ISSN: 0277-786X ISBN: 0-8194-4824-9
10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology. June 17-21, 2002. St Petersburg, Russia
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000184080700095
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-0041375484
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Малеев,НА; Ковш,АР; Жуков,АЕ; Михрин,СС; Васильев,АВ; Семенова,ЕС; Шерняков,ЮМ; Никитина,ЕВ; Крыжановская,НВ; Сизов,ДС; Сошников,ИП; Максимов,МВ; Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

34.

  Output power and its limitation in ridge-waveguide 1.3 mu m wavelength quantum-dot lasers
Авторы: Zhukov,AE; Kovsh,AR; Livshits,DA; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2003, Semicond. Sci. Technol., v.18, 8 страницы: 774-781
DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/18/8/310
Web of Science® times cited — 32, WoS_ID — WOS:000185040400010
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 32, Sco_ID — 2-s2.0-0041513233
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Жуков,АЕ; Ковш,АР; Лившиц,ДА; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

35.

  A 2.78-mu m laser diode based on hybrid AlGaAsSb/InAs/CdMgSe double heterostructure grown by molecular-beam epitaxy
Авторы: Ivanov,SV; Kaygorodov,VA; Sorokin,SV; Meltser,BY; Solov`ev,VA; Terent`ev,YV; Lyublinskaya,OG; Moiseev,KD; Grebenshchikova,EA; Mikhailova,MP; Toropov,AA; Yakovlev,YP; Kop`ev,PS; Alferov,ZI
2003, Appl. Phys. Lett., v.82, 21 страницы: 3782-3784
DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1577834
Web of Science® times cited — 19, WoS_ID — WOS:000182993700066
Показатели используемости: последние 180 дней — 1, с 2013 года — 2.
Scopus® times cited — 19, Sco_ID — 2-s2.0-0038305940
Происхождение: primary; Тип: jour_letter
Авторы (ФТИ): Иванов,СВ; Сорокин,СВ; Мельцер,БЯ; Соловьев,ВА; Терентьев,ЯВ; Люблинская,ОГ; Моисеев,КД; Гребенщикова,ЕА; Михайлова,МП; Торопов,АА; Яковлев,ЮП; Копьев,ПС; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

36.

 Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм
Авторы: Новиков,ИИ; Максимов,МВ; Шерняков,ЮМ; Гордеев,НЮ; Ковш,АР; Жуков,АЕ; Михрин,СС; Малеев,НА; Васильев,АП; Устинов,ВМ; Алферов,ЖИ; Леденцов,НН; Бимберг,Д
2003, ФТП, т.37, 10 страницы: 1270-1273
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Новиков,ИИ; Максимов,МВ; Шерняков,ЮМ; Гордеев,НЮ; Ковш,АР; Жуков,АЕ; Михрин,СС; Малеев,НА; Васильев,АП; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Temperature characteristics of low-threshold high-efficiency quantum-dot lasers with the emission wavelength from 1.25 to 1.29 mu m
Авторы: Novikov,II; Maksimov,MV; Shernyakov,YM; Gordeev,NY; Kovsh,AR; Zhukov,AE; Mikhrin,SS; Maleev,NA; Vasil`ev,AP; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
2003, Semiconductors, v.37, 10 страницы: 1239-1242
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1619525
Web of Science® times cited — 12, WoS_ID — WOS:000185576600019
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 12, Sco_ID — 2-s2.0-3042764223
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Новиков,ИИ; Максимов,МВ; Шерняков,ЮМ; Гордеев,НЮ; Ковш,АР; Жуков,АЕ; Михрин,СС; Малеев,НА; Васильев,АП; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

37.

 Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs
Авторы: Жуков,АЕ; Васильев,АП; Ковш,АР; Михрин,СС; Семенова,ЕС; Егоров,АЮ; Одноблюдов,ВА; Малеев,НА; Никитина,ЕВ; Крыжановская,НВ; Гладышев,АГ; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Алферов,ЖИ
2003, ФТП, т.37, 12 страницы: 1461-1464
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Жуков,АЕ; Васильев,АП; Ковш,АР; Михрин,СС; Семенова,ЕС; Егоров,АЮ; Одноблюдов,ВА; Малеев,НА; Никитина,ЕВ; Крыжановская,НВ; Гладышев,АГ; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Lasing at 1.5 mu m in quantum dot structures on GaAs substrates
Авторы: Zhukov,AE; Vasil`yev,AP; Kovsh,AR; Mikhrin,SS; Semenova,ES; Egorov,AY; Odnoblyudov,VA; Maleev,NA; Nikitina,EV; Kryjanovskaya,NV; Gladyshev,AG; Shernyakov,YM; Maximov,MV; Ledentsov,NN; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2003, Semiconductors, v.37, 12 страницы: 1411-1413
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1634663
Web of Science® times cited — 18, WoS_ID — WOS:000187004100010
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 17, Sco_ID — 2-s2.0-0346938390
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Жуков,АЕ; Васильев,АП; Ковш,АР; Михрин,СС; Семенова,ЕС; Егоров,АЮ; Одноблюдов,ВА; Малеев,НА; Никитина,ЕВ; Крыжановская,НВ; Гладышев,АГ; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

38.

  High external differential efficiency and high optical gain of long-wavelength quantum dot diode laser
Авторы: Zhukov,AE; Kovsh,AR; Mikhrin,SS; Vasil`ev,AP; Semenova,ES; Maleev,NA; Ustinov,VM; Kulagina,MM; Nikitina,EV; Soshnikov,IP; Shernyakov,YM; Livshits,DA; Kryjanovskaya,NV; Sizov,DS; Maximov,MV; Tsatsul`nikov,AF; Ledentsov,NN; Bimberg,D; Alferov,ZI
Physica E, v.17, 1-4 страницы: 589-592
2003 ELSEVIER SCIENCE BV ISSN: 1386-9477
International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices (ICSNN 2002), Toulouse, France, 22 - 26 July 2002
Web of Science® times cited — 18, WoS_ID — WOS:000182700700197
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 4.
Scopus® times cited — 19, Sco_ID — 2-s2.0-0037391553
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Жуков,АЕ; Ковш,АР; Михрин,СС; Васильев,АП; Семенова,ЕС; Малеев,НА; Устинов,ВМ; Кулагина,ММ; Никитина,ЕВ; Сошников,ИП; Шерняков,ЮМ; Лившиц,ДА; Крыжановская,НВ; Сизов,ДС; Максимов,МВ; Цацульников,АФ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

39.

 Инжекционный ИК лазер (lambda=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/InAs/CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Авторы: Иванов,СВ; Моисеев,КД; Кайгородов,ВА; Соловьев,ВА; Сорокин,СВ; Мельцер,БЯ; Гребенщикова,ЕА; Седова,ИВ; Терентьев,ЯВ; Семенов,АН; Астахова,АП; Михайлова,МП; Торопов,АА; Яковлев,ЮП; Копьев,ПС; Алферов,ЖИ
2003, ФТП, т.37, 6 страницы: 762-766
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Иванов,СВ; Моисеев,КД; Кайгородов,ВА; Соловьев,ВА; Сорокин,СВ; Мельцер,БЯ; Гребенщикова,ЕА; Седова,ИВ; Терентьев,ЯВ; Семенов,АН; Астахова,АП; Михайлова,МП; Торопов,АА; Яковлев,ЮП; Копьев,ПС; Алферов,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Mid-infrared (lambda=2.775 mu m) injection laser based on AlGaAsSb/InAs/CdMgSe hybrid double heterostructure grown by molecular-beam epitaxy
Авторы: Ivanov,SV; Moiseev,KD; Kaigorodov,VA; Solov`ev,VA; Sorokin,SV; Meltser,BY; Grebenshchikova,EA; Sedova,IV; Terent`ev,YV; Semenov,AN; Astakhova,AP; Mikhailova,MP; Toropov,AA; Yakovlev,YP; Kop`ev,PS; Alferov,ZI
2003, Semiconductors, v.37, 6 страницы: 736-739
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1582546
Web of Science® times cited — 3, WoS_ID — WOS:000183349100024
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 2, Sco_ID — 2-s2.0-0037482969
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Иванов,СВ; Моисеев,КД; Кайгородов,ВА; Соловьев,ВА; Сорокин,СВ; Мельцер,БЯ; Гребенщикова,ЕА; Седова,ИВ; Терентьев,ЯВ; Семенов,АН; Астахова,АП; Михайлова,МП; Торопов,АА; Яковлев,ЮП; Копьев,ПС; Алферов,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

40.

 Управление параметрами массивов квантовых точек InAs--GaAs в режиме роста Странского-Крастанова
Авторы: Черкашин,НА; Максимов,МВ; Макаров,АГ; Щукин,ВА; Устинов,ВМ; Луковская,НВ; Мусихин,ЮГ; Цырлин,ГЭ; Берт,НА; Алферов,ЖИ; Леденцов,НН; Бимберг,Д
2003, ФТП, т.37, 7 страницы: 890-895
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Черкашин,НА; Максимов,МВ; Макаров,АГ; Щукин,ВА; Устинов,ВМ; Мусихин,ЮГ; Цырлин,ГЭ; Берт,НА; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Control over the parameters of InAs-GaAs quantum dot arrays in the Stranski-Krastanow growth mode
Авторы: Cherkashin,NA; Maksimov,MV; Makarov,AG; Shchukin,VA; Ustinov,VM; Lukovskaya,NV; Musikhin,YG; Cirlin,GE; Bert,NA; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
2003, Semiconductors, v.37, 7 страницы: 861-865
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/1.1592865
Web of Science® times cited — 17, WoS_ID — WOS:000184103700025
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 3.
Scopus® times cited — 16, Sco_ID — 2-s2.0-0043173770
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Черкашин,НА; Максимов,МВ; Макаров,АГ; Щукин,ВА; Устинов,ВМ; Мусихин,ЮГ; Цырлин,ГЭ; Берт,НА; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages: firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last