Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Лаборатория not specified 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 151

65.

  Stoichiometry and absolute atomic concentration profiles obtained by combined Rutherford backscattering spectroscopy and secondary-ion mass spectroscopy: InAs nanocrystals in Si
Авторы: Karl,H; Grosshans,I; Wenzel,A; Stritzker,B; Claessen,R; Strocov,VN; Cirlin,GE; Egorov,VA; Polyakov,NK; Samsonenko,YB; Denisov,DV; Ustinov,VM; Alferov,ZI
2002, Nanotechnology, v.13, 5 страницы: 631-634
DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/13/5/318
Web of Science® times cited — 2, WoS_ID — WOS:000179070200020
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 2, Sco_ID — 2-s2.0-18644384954
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Цырлин,ГЭ; Егоров,ВА; Поляков,НК; Самсоненко,ЮБ; Денисов,ДВ; Устинов,ВМ; Алферов,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

66.

  Applications of quantum dots in semiconductor lasers
Авторы: Ledentsov,NN; Bimberg,D; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Lott,JA
2002, Int. J. High Speed Electron. Syst., v.12, 1 страницы: 177-205
DOI: http://dx.doi.org/10.1142/S0129156402001150
Scopus® times cited — 2, Sco_ID — 2-s2.0-1542474437
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

67.

  InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 mu m range with high (88%) differential efficiency
Авторы: Kovsh,AR; Maleev,NA; Zhukov,AE; Mikhrin,SS; Vasil`ev,AP; Shernyakov,YM; Maximov,MV; Livshits,DA; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
2002, Electron. Lett., v.38, 19 страницы: 1104-1106
DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el:20020793
Web of Science® times cited — 118, WoS_ID — WOS:000178703800024
Показатели используемости: последние 180 дней — 1, с 2013 года — 14.
Scopus® times cited — 127, Sco_ID — 2-s2.0-0037068705
Происхождение: primary; Тип: jour_letter
Авторы (ФТИ): Ковш,АР; Малеев,НА; Жуков,АЕ; Михрин,СС; Васильев,АП; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Лившиц,ДА; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

68.

  Long-wavelength quantum-dot lasers
Авторы: Grundmann,M; Ledentsov,NN; Hopfer,F; Heinrichsdorff,F; Guffarth,F; Bimberg,D; Ustinov,VM; Zhukov,AE; Kovsh,AR; Maximov,MV; Musikhin,YG; Alferov,ZI; Lott,JA; Zhakharov,ND; Werner,P
2002, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., v.13, 11 страницы: 643-647
DOI: http://dx.doi.org/10.1023/A:1020610109933
Web of Science® times cited — 5, WoS_ID — WOS:000178619300003
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 6.
Scopus® times cited — 4, Sco_ID — 2-s2.0-0036863131
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Ковш,АР; Максимов,МВ; Мусихин,ЮГ; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

69.

 High performance long-wavelength QD diode lasers on GaAs substrates
Авторы: Maleev,NA; Kovsh,AR; Zhukov,AE; Mikhrin,SS; Vasil`ev,AP; Shernyakov,YuM; Livshits,DA; Maximov,MV; Ustinov,VM; Alferov,ZI; Ledentsov,NN; Bimberg,D
В книге (сборнике): SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, 2002, 18th IEEE INTERNATIONAL IEEE Int. Semicond. Laser Conf., v.1 страницы: 153-154
2002 IEEE ISSN: 0899-9406 ISBN: 0-7803-7598-X
The 15th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 10-14 November 2002.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-0036451925
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Малеев,НА; Ковш,АР; Жуков,АЕ; Михрин,СС; Васильев,АП; Шерняков,ЮМ; Лившиц,ДА; Максимов,МВ; Устинов,ВМ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

70.

  1.3-mu m edge- and surface-emitting quantum dot lasers grown on GaAs substrates
Авторы: Ustinov,VM; Zhukov,AE; Maleev,NA; Egorov,AY; Kovsh,AR; Mikhrin,SS; Cherkashin,NA; Shernyakov,YuM; Maximov,MV; Tsatsul`nikov,A; Ledentsov,NN; Alferov,ZI; Lott,JA; Bimberg,D
В книге (сборнике): PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES X Proc. SPIE, v.4646, 1 страницы: 38-50
2002 SPIE ISSN: 0277-786X ISBN: 0-8194-4385-9
Conference on Physics and Simulation of Optoelectronic Devices X Location: SAN JOSE, CA Date: JAN 21-25, 2002
Web of Science® times cited — 2, WoS_ID — WOS:000177343700005
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 1.
Scopus® times cited — 2, Sco_ID — 2-s2.0-18644374196
Происхождение: primary; Тип: conf_paper
Авторы (ФТИ): Устинов,ВМ; Жуков,АЕ; Малеев,НА; Егоров,АЮ; Ковш,АР; Михрин,СС; Черкашин,НА; Шерняков,ЮМ; Максимов,МВ; Леденцов,НН; Алфёров,ЖИ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

71.

  Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures
Авторы: Musikhin,YG; Gerthsen,D; Bedarev,DA; Bert,NA; Lundin,WV; Tsatsul`nikov,AF; Sakharov,AV; Usikov,AS; Alferov,ZI; Krestnikov,IL; Ledentsov,NN; Hoffmann,A; Bimberg,D
2002, Appl. Phys. Lett., v.80, 12 страницы: 2099-2101
DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1462868
Web of Science® times cited — 29, WoS_ID — WOS:000174498700019
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 8.
Scopus® times cited — 30, Sco_ID — 2-s2.0-79955998327
Происхождение: primary; Тип: jour_letter
Авторы (ФТИ): Мусихин,ЮГ; Бедарев,ДА; Берт,НА; Лундин,ВВ; Цацульников,АФ; Сахаров,АВ; Усиков,АС; Алфёров,ЖИ; Крестников,ИЛ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 

72.

  Large spectral splitting of TE and TM components of QDs in a microcavity
Авторы: Maximov,MV; Krestnikov,IL; Makarov,AG; Zhukov,AE; Maleev,NA; Ustinov,VM; Tsatsulnikov,AF; Alferov,ZI; Chernyshov,AY; Ledentsov,NN; Bimberg,D; Torres,CMS
2001, Phys. Status Solidi B-Basic Res., v.224, 3 страницы: 811-814
DOI: http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<811::AID-PSSB811>3.0.CO;2-X
Web of Science® times cited — 1, WoS_ID — WOS:000168432100038
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 1, Sco_ID — 2-s2.0-18044383331
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Максимов,МВ; Крестников,ИЛ; Макаров,АГ; Жуков,АЕ; Малеев,НА; Устинов,ВМ; Цацульников,АФ; Алфёров,ЖИ; Леденцов,НН
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages: firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last