Список выбранных публикаций

Внимание! В перечне, помимо стандартных, выводятся следующие параметры публикации:

Условия выборки 
Автор Матвеев,БА  Лаборатория Андреева, ИА 
Происхождение not specified  Тип  not specified 
Год  not specified  Язык  all 

Используемые обозначения

ID - идентификатор записи
CI: I|S - индексы цитирования, рассчитанные по версии ISI (I) и Scopus (S)
Лаб. - перечень лабораторий, к которым принадлежат сотрудники, выведенные в графе Авторы (ФТИ)
Всего записей: 94

1.

  Low frequency noise in reverse biased P-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes
Авторы: Dyakonova,N; Karandashev,SA; Levinshtein,ME; Matveev,BA; Remennyi,MA
2019, Semicond. Sci. Technol., v.34, 1 ArtNo: #015013
DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aaf0c6
Web of Science® times cited — 1, WoS_ID — WOS:000452393000002
Показатели используемости: последние 180 дней — 8, с 2013 года — 12.
Scopus® times cited — 1, Sco_ID — 2-s2.0-85059234150
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Карандашев,СА; Левинштейн,МЕ; Матвеев,БА; Ременный,МА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

2.

  Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур p-InAsSbP/n-InAs, облучаемых со стороны p- и n-типа проводимости
Авторы: Матвеев,БА; Ратушный,ВИ; Рыбальченко,АЮ
2019, ЖТФ, т.89, 8 страницы: 1233-1237
DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2019.08.47897.355-18
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Матвеев,БА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Comparative Characteristic Analysis of Thermophotovoltaic p-InAsSbP/n-InAs Converters Irradiated on p- and n-Sides
Авторы: Matveev,BA; Ratushnyi,VI; Rybal`chenko,AY
2019, Tech. Phys., v.64, 8 страницы: 1164-1167
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784219080140
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000482448200015
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 0.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-85070933446
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Матвеев,БА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

3.

  InAs-Nanowire-Based Broadband Ultrafast Optical Switch
Авторы: Liu,J; Khayrudinov,V; Yang,H; Sun,Y; Matveev,BA; Remennyi,MA; Yang,K; Haggren,T; Lipsanen,H; Wang,F; Zhang,B; He,J
2019, J. Phys. Chem. Lett., v.10, 15 страницы: 4429-4436
DOI: http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpclett.9b01626
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-85070849639
Происхождение: primary; Тип: jour_letter
Авторы (ФТИ): Матвеев,БА; Ременный,МА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

4.

  Светодиоды средневолнового ИК диапазона на основе гетероструктур A3B5 в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения 2014-2018
Авторы: Матвеев,БА; Сотникова,ГЮ
2019, Оптика спектроск., т.127, 2 страницы: 300-305
DOI: http://dx.doi.org/10.21883/OS.2019.08.48046.357-18
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Матвеев,БА; Сотникова,ГЮ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

5.

  Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
Авторы: Карандашев,СА; Матвеев,БА; Ременный,МА
2019, ФТП, т.53, 2 страницы: 147-157
DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799
Происхождение: primary; Тип: jour_review
Авторы (ФТИ): Карандашев,СА; Матвеев,БА; Ременный,МА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  Indium Arsenide-Based Spontaneous Emission Sources (Review: a Decade Later)
Авторы: Karandashev,SA; Matveev,BA; Remennyi,MA
2019, Semiconductors, v.53, 2 страницы: 139-149
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619020131
Web of Science® times cited — 0, WoS_ID — WOS:000465524800001
Показатели используемости: последние 180 дней — 4, с 2013 года — 4.
Scopus® times cited — 0, Sco_ID — 2-s2.0-85064923574
Происхождение: translation; Тип: jour_review
Авторы (ФТИ): Карандашев,СА; Матвеев,БА; Ременный,МА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

6.

  P-InAsSbP/p-InAs0.88Sb0.12/n-InAs0.88Sb0.12/n+-InAs PDs with a smooth p-n junction
Авторы: Il`inskaya,ND; Karandashev,SA; Lavrov,AA; Matveev,BA; Remennyi,MA; Stus`,NM; Usikova,AA
2018, Infrared Phys. Technol., v.88 страницы: 223-227
DOI: https://doi.org/10.1016/j.infrared.2017.11.003
Web of Science® times cited — 1, WoS_ID — WOS:000423650700030
Показатели используемости: последние 180 дней — 4, с 2013 года — 8.
Scopus® times cited — 1, Sco_ID — 2-s2.0-85035789413
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Ильинская,НД; Карандашев,СА; Лавров,АА; Матвеев,БА; Ременный,МА; Стусь,НМ; Усикова,АА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

7.

  Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes
Авторы: Dyakonova,N; Karandashev,SA; Levinshtein,ME; Matveev,BA; Remennyi,MA
2018, Semicond. Sci. Technol., v.33, 6 ArtNo: #065016
DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aac15d
Web of Science® times cited — 2, WoS_ID — WOS:000432917000003
Показатели используемости: последние 180 дней — 1, с 2013 года — 5.
Scopus® times cited — 2, Sco_ID — 2-s2.0-85048088322
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Карандашев,СА; Левинштейн,МЕ; Матвеев,БА; Ременный,МА
ID
Cl: I|S
Лаб. 

8.

  Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени
Авторы: Александров,СЕ; Гаврилов,ГА; Капралов,АА; Матвеев,БА; Ременный,МА; Сотникова,ГЮ
2018, ЖТФ, т.88, 9 страницы: 1433-1438
DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2018.09.46433.35-18
Происхождение: primary; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Александров,СЕ; Гаврилов,ГА; Капралов,АА; Матвеев,БА; Ременный,МА; Сотникова,ГЮ
ID
Cl: I|S
Лаб. 

Перевод:

  InAsSb Diode Optical Pairs for Real-Time Carbon Dioxide Sensors
Авторы: Aleksandrov,SE; Gavrilov,GA; Kapralov,AA; Matveev,BA; Remennyi,MA; Sotnikova,GY
2018, Tech. Phys., v.63, 9 страницы: 1390-1395
DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784218090025
Web of Science® times cited — 1, WoS_ID — WOS:000445659000024
Показатели используемости: последние 180 дней — 0, с 2013 года — 4.
Scopus® times cited — 1, Sco_ID — 2-s2.0-85053907154
Происхождение: translation; Тип: jour_paper
Авторы (ФТИ): Александров,СЕ; Гаврилов,ГА; Капралов,АА; Матвеев,БА; Ременный,МА; Сотникова,ГЮ
ID
Cl: I|S
Лаб. 
  Pages:  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last