The sign of electron g-factor in GaAs1-xNx measured by using the Hanle effect
2008 , Semicond. Sci. Technol., v.23, 11
ISSN: 0268-1242

Номер статьи: #114008
Авторы:Kalevich,VK; Ivchenko,EL; Shiryaev,AY; Afanasiev,MM; Egorov,AY; Ikezawa,M; Masumoto,Y
Авторы (ФТИ):Kalevich,VK; Ivchenko,EL; Shiryaev,AY; Afanasiev,MM; Egorov,AY
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/11/114008 Scopus® times cited:7 Scopus® ID:2-s2.0-67649520220 Web of Science® times cited:7 Web of Science® ID:WOS:000260495100010
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/11/114008