Atomic arrangement and emission properties of GaAs(In, Sb)N quantum wells
2009
, Semicond. Sci. Technol., v.24, 7
ISSN: 0268-1242
Номер статьи:
#075013
Авторы:Mintairov,AM; Sun,K; Merz,JL; Yuen,H; Bank,S; Wistey,M; Harris,JS; Peake,G; Egorov,A; Ustinov,V; Kudrawiec,R; Misiewicz,J
Авторы (ФТИ):Mintairov,AM; Ustinov,V
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/24/7/075013
Scopus® times cited:18
Scopus® ID:2-s2.0-68849125959
Web of Science® times cited:20
Web of Science® ID:WOS:000267402800014
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/24/7/075013