Electrical detection and magnetic-field control of spin states in phosphorus-doped silicon
2009 , Phys. Rev. B, v.80, 20
ISSN: 1098-0121

Номер статьи: #205206
Авторы:Morishita,H; Vlasenko,LS; Tanaka,H; Semba,K; Sawano,K; Shiraki,Y; Eto,M; Itoh,KM
Авторы (ФТИ):Vlasenko,LS DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.205206 Scopus® times cited:38 Scopus® ID:2-s2.0-77954768949 Web of Science® times cited:36 Web of Science® ID:WOS:000272311400056
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.205206