Номер статьи: #241904
Авторы:Wang,XJ; Puttisong,Y; Tu,CW; Ptak,AJ; Kalevich,VK; Egorov,AY; Geelhaar,L; Riechert,H; Chen,WM; Buyanova,IA
Авторы (ФТИ):Kalevich,VK; Egorov,AY
Подразделения:

• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.3275703 Scopus® times cited:56 Scopus® ID:2-s2.0-77956155396 Web of Science® times cited:25 Web of Science® ID:WOS:000272954900015
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1063/1.3275703