Evidence for a phosphorus-related interfacial defect complex at a GaP/GaNP heterojunction
2010 , Phys. Rev. B, v.81, 11
ISSN: 1098-0121

Номер статьи: #115334
Авторы:Dagnelund,D; Vorona,IP; Vlasenko,LS; Wang,XJ; Utsumi,A; Furukawa,Y; Wakahara,A; Yonezu,H; Buyanova,IA; Chen,WM
Авторы (ФТИ):Vlasenko,LS DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.81.115334 Scopus® times cited:11 Scopus® ID:2-s2.0-77955063981 Web of Science® times cited:11 Web of Science® ID:WOS:000276248800111
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.81.115334