Study of tunneling transport of carriers in structures with an InGaN/GaN active region
2010
, Semiconductors, v.44, 12
ISSN: 1063-7826
Страницы:
1567 - 1575
Авторы:Sizov,VS; Neploh,VV; Tsatsulnikov,AF; Sakharov,AV; Lundin,WV; Zavarin,EE; Nikolaev,AE; Mintairov,AM; Merz,JL
Авторы (ФТИ):Sizov,VS; Tsatsulnikov,AF; Sakharov,AV; Lundin,WV; Zavarin,EE; Nikolaev,AE; Mintairov,AM
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782610120067
Scopus® times cited:9
Scopus® ID:2-s2.0-78650662289
Web of Science® times cited:9
Web of Science® ID:WOS:000289570600006
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782610120067