Electrical detection of cross relaxation between electron spins of phosphorus and oxygen-vacancy centers in silicon
2011 , Phys. Rev. B, v.84, 4
ISSN: 1098-0121

Номер статьи: #045204
Авторы:Akhtar,W; Morishita,H; Sawano,K; Shiraki,Y; Vlasenko,LS; Itoh,KM
Авторы (ФТИ):Vlasenko,LS DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.045204 Scopus® times cited:9 Scopus® ID:2-s2.0-79961176803 Web of Science® times cited:9 Web of Science® ID:WOS:000292546700002
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.045204