Номер статьи: #035205
Авторы:Kalevich,VK; Afanasiev,MM; Shiryaev,AY; Egorov,AY
Авторы (ФТИ):Kalevich,VK; Afanasiev,MM; Shiryaev,AY; Egorov,AY
Подразделения:

• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.035205 Scopus® times cited:19 Scopus® ID:2-s2.0-84856507151 Web of Science® times cited:19 Web of Science® ID:WOS:000299274500011
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.035205