Страницы: 350 - 353
Авторы:Mynbaeva,MG; Lebedev,SP; Lavrent`ev,AA; Mynbaev,KD; Golovatenko,AA; Lebedev,AA; Nikolaev,VI
Авторы (ФТИ):Mynbaeva,MG; Lebedev,SP; Lavrent`ev,AA; Mynbaev,KD; Golovatenko,AA; Lebedev,AA; Nikolaev,VI
Подразделения:

• лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
• лаб. фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Мынбаева,КД)
• лаб. физики профилированных кристаллов (Николаева,ВИ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S106378261403018X Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-84897807615 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000332739400013
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S106378261403018X