Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate
2014 , Semiconductors, v.48, 11
ISSN: 1063-7826

Страницы: 1535 - 1538
Авторы:Mynbaeva,MG; Golovatenko,AA; Pechnikov,AI; Lavrent`ev,AA; Mynbaev,KD; Nikolaev,VI
Авторы (ФТИ):Mynbaeva,MG; Golovatenko,AA; Lavrent`ev,AA; Mynbaev,KD; Nikolaev,VI
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782614110189 Scopus® times cited:2 Scopus® ID:2-s2.0-84920931337 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000344812300026
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782614110189