GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE
2015
, Mater. Phys. Mech., v.22, 1
ISSN: 1605-2730
Страницы:
59 - 63
Авторы:Nikolaev,VI; Pechnikov,AI; Maslov,VN; Golovatenko,AA; Krymov,VM; Stepanov,SI; Zhumashev,NK; Bougrov,VE; Romanov,AE
Авторы (ФТИ):Nikolaev,VI; Maslov,VN; Golovatenko,AA; Krymov,VM; Romanov,AE
Подразделения:
Scopus® times cited:10
Scopus® ID:2-s2.0-84922933967
Web of Science® times cited:8
Web of Science® ID:WOS:000216878100008