Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates
2016
, Semiconductors, v.50, 7
ISSN: 1063-7826
Страницы:
980 - 983
Авторы:Nikolaev,VI; Pechnikov,AI; Stepanov,SI; Sharofidinov,SS; Golovatenko,AA; Nikitina,IP; Smirnov,AN; Bugrov,VE; Romanov,AE; Brunkov,PN; Kirilenko,DA
Авторы (ФТИ):Nikolaev,VI; Sharofidinov,SS; Golovatenko,AA; Nikitina,IP; Smirnov,AN; Romanov,AE; Brunkov,PN; Kirilenko,DA
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616070186
Scopus® times cited:10
Scopus® ID:2-s2.0-84978153433
Web of Science® times cited:9
Web of Science® ID:WOS:000379173600024
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616070186