Страницы: 3728 - 3730
Авторы:Krestnikov,IL; Heitz,R; Ledentsov,NN; Hoffmann,A; Mintairov,AM; Kosel,TH; Merz,JL; Soshnikov,IP; Ustinov,VM
Авторы (ФТИ):Krestnikov,IL; Ledentsov,NN; Mintairov,AM; Soshnikov,IP; Ustinov,VM
Подразделения:

• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.1623320 Scopus® times cited:6 Scopus® ID:2-s2.0-0344066260 Web of Science® times cited:6 Web of Science® ID:WOS:000186256300028
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1063/1.1623320