Raman Spectroscopy of GaN Epitaxial Layers Synthesized on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy with Nitridation
2020 , Semiconductors, v.54, 14
ISSN: 1063-7826

Страницы: 1847 - 1849
Авторы:Lubyankina,EA; Toporov,VV; Mizerov,AM; Timoshnev,SN; Shubina,KY; Bairamov,BH; Bouravleuv,AD
Авторы (ФТИ):Toporov,VV; Bairamov,BH; Bouravleuv,AD
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620140183 Scopus® times cited:2 Scopus® ID:2-s2.0-85099105979 Web of Science® times cited:2 Web of Science® ID:WOS:000607366700012
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620140183