The Hanle effect in nonuniformly doped GaAs
2003 , Phys. Solid State, v.45, 12
ISSN: 1063-7834

Страницы: 2255 - 2263
Авторы:Dzhioev,RI; Zakharchenya,BP; Kavokin,KV; Lazarev,MV
Авторы (ФТИ):Dzhioev,RI; Zakharchenya,BP; Kavokin,KV; Lazarev,MV DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1635494 Scopus® times cited:4 Scopus® ID:2-s2.0-0346307494 Web of Science® times cited:5 Web of Science® ID:WOS:000187342100008
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1635494