Страницы: 130 - 135
Авторы:Власов,АС; Аксенов,ВЮ; Анкудинов,АВ; Берт,НА; Калюжный,НА; Павлов,НВ; Пирогов,ЕВ; Салий,РА; Сошников,ИП; Щенин,АС; Минтаиров,АМ
Авторы (ФТИ):Власов,АС; Аксенов,ВЮ; Анкудинов,АВ; Берт,НА; Калюжный,НА; Павлов,НВ; Салий,РА; Сошников,ИП; Щенин,АС; Минтаиров,АМ
Подразделения:

• лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
• лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
• сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
• лаб. наногетероструктурных излучателей и фотоприёмников (Шарова,ВА)
• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
• лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
• лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)

DOI:https://doi.org/10.61011/FTP.2025.03.61090.7740
Полный текст:https://doi.org/10.61011/FTP.2025.03.61090.7740