Страницы: 349 - 353
Авторы:Paillard,M; Marie,X; Vanelle,E; Amand,T; Kalevich,VK; Ustinov,VM; Ledentsov,NN
Авторы (ФТИ):Kalevich,VK; Ustinov,VM; Ledentsov,NN
Подразделения:

• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200003)178:1<349::AID-PSSA349>3.0.CO;2-A Scopus® times cited:4 Scopus® ID:2-s2.0-0033748442 Web of Science® times cited:3 Web of Science® ID:WOS:000086440500063
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200003)178:1<349::AID-PSSA349>3.0.CO;2-A