Determination of strain-induced valence-band splitting in GaAsN thin films from circularly polarized photoluminescence
2005
, J. Appl. Phys., v.98, 1
ISSN: 0021-8979
В книге (сборнике):
Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV
Номер статьи:
#013539
Авторы:Egorov,AY; Kalevich,VK; Afanasiev,MM; Shiryaev,AY; Ustinov,VM; Ikezawa,M; Masumoto,Y
Авторы (ФТИ):Egorov,AY; Kalevich,VK; Afanasiev,MM; Shiryaev,AY; Ustinov,VM
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.1949718
Scopus® times cited:25
Scopus® ID:2-s2.0-22944454884
Web of Science® times cited:25
Web of Science® ID:WOS:000231062200049
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1063/1.1949718