Общая информация

7–10 июля  2014  состоялась IX международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»., проходящая в институте каждые два года. В работе конференции участвовало около 160 ученых (из них 24  — зарубежные), было представлено 60 устных и около 140 стендовых сообщений  В последний день состоялось посещение НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

1–5 июня 2014 г. в институте состоялась международная конференция-школа «Уединенные примеси» (Single dopants), собравшая более 100 участников. Конференция продолжила серию мероприятий, посвященных обсуждению наиболее актуальных проблем в этой области. Приглашенные лекции ведущих ученых сопровождались обсуждениями, в которых активно участвовала молодежь. Российские и зарубежные студенты и аспиранты представили и обсудили свои результаты на двух стендовых сессиях.

25 апреля 2014 г. институт посетили Чрезвычайный и Полномочный Посол Индии в РФ Пунди Шринивасан Рагхаван и Генеральный консул Индии в Санкт-Петербурге Вишвас Сапкал. Гости ознакомились с музеем института, с разработками Научно-технического центра тонкоплёночных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

18 апреля 2014 года в рамках поездки в Санкт-Петербург на Russian Startup Tour, зам. председателя правительства Аркадий Дворкович и президент фонда «Сколково»  Виктор Вексельберг посетили Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, где осмотрели оборудование Научно-технического центра тонкоплёночных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, являющегося участником проекта «Сколково». Руководители института и центра представили гостям разработки в области солнечной энергетики и ознакомили их с перспективами развития высокоэффективных солнечных модулей на базе технологических возможностей НТЦ.

Продолжается прием документов в аспирантуру ФТИ по специальностям: физика конденсированного состояния, физика плазмы, астрофизика и звездная астрономия, физическая электроника, теоретическая физика.

Заявления должны быть поданы до 30 мая 2014.

Подробная информация здесь.

24 января 2014 состоялось торжественное заседание Ученого совета ФТИ, посвященное 70-летию снятия блокады Ленинграда.

Заседание открылось докладом директора института А.Г. Забродского, рассказавшем о работе физтеховцев в блокадные годы. Жителей блокадного Ленинграда поздравила представительница Администрации СПб И.Ю. Ганус. Были зачитаны другие поздравления и вручены грамоты ветеранам института, кавалерам медали «За оборону Ленинграда» — О.В. Ошурковой, С.П. Никанорову, Н.Н.  Васильевой и Ю.М. Педро.  Были заслушаны доклады Б.Б. Дьякова, Р.Ф. Витман, Е.В. Остроумовой. С воспоминаниями о блокадном детстве выступила Л.П. Мясникова. Завершилось заседание концертом камерного хора ФТИ и праздничным банкетом.

25 декабря 2013 года в актовом зале института состоялось традиционное новогоднее представление для детей, внуков и правнуков сотрудников. Коридоры главного здания и актовый зал преобразились от гомонящей нарядной детворы в возрасте от 2 до 12 лет (около 230 человек), а самой младшей гостье только что исполнился годик.  Детская музыкальная филармония дала спектакль «Волшебный посох деда Мороза», очень понравившийся детям.

Праздник был организован профкомом и дирекцией ФТИ.

11–14 ноября 2013 в институте была проведена девятая Российская конференция «Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики». Конференция проводится в институте ежегодно. На конференции было представлено 52 устных и 105 стендовых сообщений. В последний день состоялось посещение НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 

С материалами конференции можно ознакомиться, обратившись к сборнику трудов конференции ФПВЭ.

31 октября –1 ноября 2013 года состоялась научная конференция «Физтех в шаге от столетия», приуроченная к 95-летию института. Конференция открылась сессией Ученого совета, на которой были объявлены результаты выборов новых почетных членов Института. Ими стали бывший директор ФТИ, а ныне глава Академического университета, академик Ж.И. Алферов и профессор Тошиаки Еноки (Токийский технологический институт). С докладами выступили почетные члены Института, избранные в 2012 году, — академик Р.А. Сюняев (ИКИ РАН) и Анри Мариетт (Университет в Гренобле, Франция), а также лауреаты именных премий 2013 года — проф. М.Я. Амусья и Н.А. Соболев.

В рамках конференции прошли две научные сессии. Первая — «Из славного прошлого» — завершилась докладом директора РФЯЦ–ВНИИЭФ, академика Р.И. Илькаева, вторая — «ФТИ: Взгляд в будущее» — открылась докладом директора института А.Г. Забродского «Физтех–2018». С детальной научной программой конференции можно ознакомиться здесь.

16–20 сентября 2013 в отеле «Санкт-Петербург» прошла 11-я Российская конференция по физике полупроводников («РКФП-2013»). Конференция проводится раз в 2 года на ротационной основе.

На конференции было представлено 119 устных и около 330 стендовых сообщений. С материалами конференции можно ознакомиться, обратившись к сборнику тезисов XI РКФП.

1 июля 2013 в большом актовом зале ФТИ состоялось чрезвычайное собрание работников института, протестующих против правительственного законопроекта о реформе госакадемий, в спешном порядке представленного на рассмотрение ГД 27 июня 2013.

 Митинг открыл и вел председатель профкома ФТИ А.Н. Зиновьев. Среди выступавших — руководители и рядовые сотрудники института. Присутствовали представители информационных агентств и телеканалов. Участники митинга (около 300 человек) приняли резолюцию, направленную в адрес высших руководителей государства.

Продолжается прием документов в аспирантуру ФТИ по специальностям: физика конденсированного состояния, физика плазмы, астрофизика и звездная астрономия, физическая электроника, теоретическая физика, механика жидкости, газа и плазмы.

Заявления должны быть поданы до 31 июля 2013.

Подробная информация здесь.

11 июня 2013 Президиум РАН утвердил чл.-корр. РАН А.Г. Забродского на посту директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе на очередной пятилетний период (2013–2017). Утверждению предшествовало рассмотрение кандидатуры на ученом совете (12 апреля 2013), затем на конференции научных работников ФТИ (20 мая 2013) и, наконец, на собрании Отделения физических наук РАН, которое 27 мая 2013 г. тайным голосованием избрало А.Г. Забродского директором института.

29 мая 2013, 17:40. По сообщению из зала заседаний Общего собрания РАН, только что были утверждены результаты первого тура тайного голосования, согласно которым президентом РАН избран почетный член ФТИ (с 1997 года), академик Владимир Евгеньевич Фортов. В соответствии с действующим уставом РАН «избранный общим собранием президент Российской академии наук вступает в должность после его утверждения Президентом Российской Федерации»

20 мая 2013 состоялась конференция научных работников ФТИ им. А.Ф. Иоффе, на которой был заслушан отчетный доклад директора института А.Г. Забродского о работе за период 2008–12 гг. Основываясь на решении Ученого совета ФТИ от 12 апреля 2013, конференция рассмотрела также вопрос о рекомендации А.Г. Забродского на пост директора на очередной пятилетний срок.

А.Г. Забродский ответил на вопросы делегатов, затрагивающие оплату труда руководства и молодых сотрудников, работу центра коллективного пользования и криогенных станций, медицинское обслуживание сотрудников, оплату стоимости публикаций в высокоцитируемых иностранных журналах и др. В поддержку выдвижения А.Г. Забродского на очередной срок выступили Р.В. Парфеньев, М.П. Петров, Ю.П. Яковлев, А.Н. Зиновьев, Б.Г. Подласкин.

Конференция единогласно признала работу А.Г. Забродского в 2008–12 годах удовлетворительной и рекомендовала его на пост директора института на очередной срок. В тайном голосовании участвовало 183 делегата (из 203). Результаты голосования: за — 137, против — 37, 9 бюллетеней признаны недействительными.

В середине мая 2013 г. состоялись три научных семинара, посвященных выдающимся ученым, работавшим в разные годы в институте. Семинар, прошедший 13 мая, был приурочен к 85-летию со дня рождения основоположника научной школы по спектроскопии и магнитооптике полупроводников академика Б.П. Захарчени (1928–2005). Российский семинар «Симметрия и физика. Сохранение через развитие» (14–15 мая) — к 90-летию Г.Е. Пикуса (1923–1998) — одного из основателей современной теории полупроводников.

Завершил эту серию мероприятий однодневный семинар (16 мая), посвященный 100-летию со дня рождения Н.И. Ионова (1913–1992) — пионера в использовании масс-спектрометрии в физической электронике и при исследовании взаимодействий атомов и молекул с твердой поверхностью.

22 марта 2013 года в ФТИ состоялось совещание представителей научно-технического совета (НТС) Военно-промышленной комиссии (ВПК) при Правительстве Российской Федерации, посвященное созданию отечественной компонентной базы специального назначения. Совещание вел председатель НТС ВПК, зам. председателя ВПК Ю.М. Михайлов. На совещании было представлено более 20 разработок ФТИ.

4 марта 2013 г. завершила работу очередная Международная зимняя школа по физике полупроводников. Школа была посвящена последним достижениям в области разработки и применения сенсоров и детекторов. Традиционно в программу Школы была включена лекция, посвященная работам, отмеченным Нобелевской премией по физике предшествующего, 2012 года.

В рамках школы среди молодых ученых были проведены конкурс докладов и оценка работ, имеющих инновационную перспективу для участия в программе «УМНИК».