Основные достижения
Отчет ФТИ 2016
|
|
|
|
|
|
Общая информация
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из
крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом
ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях
современной физики и технологии.
Институт был основан в 1918 году
Абрамом Федоровичем Иоффе,
который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт
носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.
До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением
Российской академии наук и
входил в состав
Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р
институт был передан в ведение
Федерального агентства научных организаций России.
Из событий последних месяцев
Физтех ждет аспирантов
|
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН объявляет дополнительный осенний приём в аспирантуру (10 бюджетных мест) по специальностям:
- Физика конденсированного состояния
- Физика полупроводников
- Физика плазмы
- Астрофизика и звёздная астрономия
- Физическая электроника
- Теоретическая физика
Прием заявлений и документов проводится c 1 июля по 15 сентября 2017 г.
Сдача экзаменов — с 18 по 30 сентября 2017 г.
Информация о готовности подразделений Института принять аспирантов в таблице.
Подробная информация и список документов для поступления.
|
Визит индийской делегации
|
19 июня 2017 года ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетила делегация Индии, возглавляемая Секретарем Департамента науки и технологии Правительства Индии, профессором Ашутош Шарма (Ashutosh Sharma). Особенный интерес был проявлен в области работ ФТИ по направлению «Солнечная энергетика» под руководством В.М. Андреева.
Делегация также посетила лаб. квантоворазмерных гетероструктур (лаб. С.В. Иванова) и музеи ФТИ.
|
Фотоальбом
|
|
|
Мероприятия под эгидой ФТИ (март 2017)
|
C 15 по 17 марта 2017 года в ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла Международная научная школа «Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур», участие в которой приняли более 90 человек.
Лекции для участников школы читались 5 ведущими иностранными экспертами из Германии, Франции и Финляндии и 10 российскими учеными из передовых технологических центров, таких как ИФП СО РАН (Новосибирск), НИЯУ МИФИ (Москва) и ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
C 19 по 22 марта 2017 года в парк-отеле «Золотая Долина» (Коробицыно, Лен. область) прошел 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) (EuroMBE19), собравший 130 участников из 15 стран.
В рамках симпозиума состоялась выставка оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов, в которой приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.
С программой и тезисами докладов симпозиума можно ознакомиться на сайте.
|
| Подробнее...
|
Фотоальбом
|
О симпозиуме
Этому мероприятию предшествовали симпозиумы в Л’Алп д’Юэз (Франция, 2011), Леви (Финляндия, 2013) и Канацей (Италия, 2015) в серии, начавшейся в 1981.
В симпозиуме приняло участие более 130 участников из 13 стран Европы, а также США и Китая, которые представили 15 приглашенных, 32 устных и около 60 стендовых докладов. Число участников из РФ превысило 40 человек. В выставке оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов симпозиума приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.
Симпозиум проводился при частичной поддержке РНФ (грант 15-12-30022) и РФФИ.
О школе
Круг рассмотренных в рамках Школы технологий включал молекулярно-пучковую и газофазную эпитаксии из металлорганических соединений, а также сублимационные, лазерные и химические методы осаждения.
Среди новых материалов, помимо низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур на основе классических соединений А3В5, выращиваемых на гомоэпитаксиальных подложках и на Si, рассматривались наноструктуры на основе нитридов III группы, гетероструктуры широкозонных и узкозонных соединений А2В6, оксидов железа, наноструктуры на основе Si-Ge, эпитаксиальные пленки графена, пленки органических соединений и композитов на их основе.
Школа также проводилась при поддержке гранта РНФ 15-12-30022.
|
Визит в ФТИ замминистра образования и науки Г.В. Трубникова
|
10 марта 2017 года ФТИ посетил замминистра образования и науки Г. В. Трубников. В рамках знакомства с научной инфраструктурой института он посетил сферическй токамак «Глобус-М», где о проводимой модернизации ему рассказали директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе А.Г. Забродский, С.В. Лебедев, а также руководитель В.К. Гусев и сотрудники установки Н.В. Сахаров и В.Б. Минаев. Замминистра также посетил лабораторию Е.И. Терукова и ряд других лабораторий.
|
| Фотоальбом
|
|
|
Зимняя школа по физике полупроводников - 2017
|
6 марта 2017 г. завершила работу очередная Международная зимняя школа по физике полупроводников.
Школа была посвящена полупроводниковой микро- и оптомеханике и последним достижениям в области полупроводниковых композитных структур для диагностики социально значимых заболеваний.
В работе Школы приняли участие 130 человек из 15 научных организаций. На конкурсной молодежной сессии были представлены 12 устных докладов молодых ученых-физиков по материалам собственных оригинальных работ. С 23 сообщениями молодых ученых можно было ознакомиться на стендовой сессии.
|
| Подробнее...
|
Фотоальбом
|
В рамках Школы состоялся круглый стол «Есть ли фундаментальные проблемы в современной физике?», который провели директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, академик А.Г. Забродский и проф. Е.Л. Ивченко.
Традиционно в программу Школы была включена лекция, посвященная работам, отмеченным Нобелевской премией по физике предшествующего, 2016 года. Победителями конкурсной сессии стали:
I место А.А. Жихорева (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, СПбПУ Петра Великого);
II место П.Д. Курилович (МФТИ);
III место М.С. Котова (МГУ им. М.В. Ломоносова) и А.С. Шепелев (Академический университет).
Также в рамках молодежной сессии проводилась оценка работ, имеющих инновационную перспективу, для участия в программе «У.М.Н.И.К.». Школа была организована ФТИ им. А.Ф. Иоффе для студентов, аспирантов и молодых ученых при поддержке РФФИ, ФАНО России, ООО «ИоффеЛЕД».
|
О результатах 10-летней реализации проекта «РИМ-Памела»
|
17 ноября 2016 года состоялось заседание Совета РАН по космосу, на котором был заслушан доклад д.ф.-м.н. А.М. Гальпера (НИЯУ «МИФИ») «Результаты 10-летней реализации российско-итальянского проекта «РИМ-Памела» с использованием КА «Ресурс-ДК» N 1».
В решении Совета отмечен вклад ФТИ им. А.Ф. Иоффе в успешную реализацию проекта.
|
В преддверии 2017 года
|
27 декабря 2016 года в актовом зале института состоялось традиционное новогоднее представление для детей, внуков и правнуков сотрудников. Детская музыкальная филармония дала спектакль «Осторожно, Шапокляк!», который привел в восторг всех детей и их родителей.
Праздник был организован профкомом и дирекцией ФТИ.
|
| Фотоальбом
|
|
|
Санкт-Петербургский образовательный форум 2016
|
18-19 ноября 2016 года ФТИ им. А.Ф. Иоффе принял участие в международной выставке «Санкт-Петербургский образовательный форум 2016», организованной Комитетом по науке и высшему образованию Правительства Петербурга.
Стенд посетили зам. министра образования и науки РФ В.Ш. Каганов и председатель Комитета по науке и высшему образованию Правительства Петербурга А.С. Максимов. Разработки представил директор ФТИ А.Г. Забродский.
|
| Подробнее...
|
Фотоальбом
|
Институт представил свои разработки мощных полупроводниковых лазеров, сверхярких светодиодов, а также результаты работы над Приоритетной научной задачей «Исследования и разработка принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики» — о сооружении сферического токамака Глобус-М2.
|
Визит Брешиньяк
|
18 ноября 2016 года ФТИ посетила постоянный секретарь Академии наук Франции профессор Катрин Брешиньяк. Визит был организован УВС РАН, в связи с празднованием 50-летия юбилея визита Президента Французской республики Шарля де Голля в СССР, в результате которого было подписано первое соглашение о научно-техническом и экономическом сотрудничестве между двумя государствами.
|
| Фотоальбом
|
|
|
Избрание почетных членов ФТИ
|
21 октября 2016 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны вице-президент РАН, директор Института космических исследований, академик Лев Матвеевич Зелёный (Россия) и профессор Феликс Агаронян (Felix Aharonian, Dublin Institute for Advanced Studies).
|
Завершилось Общее собрание РАН
|
28 октября 2016 года завершилось Общее собрание Российской академии наук, на котором состоялись выборы новых членов Академии.
Действительным членом РАН (академиком) избран А.Г. Забродский.
Членами-корреспондентами РАН избраны В.М. Андреев, М.М. Глазов и А.В. Иванчик.
Иностранными членами РАН избраны почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе с 2008 г. Манфред Байер и почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе с 1996 г. Фридрих Вагнер.
|
| Подробнее...
|
Фотоальбом
|
Академик РАН:
- Андрей Георгиевич Забродский — директор Института, специалист в области физики и технологии полупроводников и возобновляемой энергетики.
Члены-корреспонденты РАН:
- Вячеслав Михайлович Андреев — заведующий лабораторией фотоэлектрических преобразователей, специалист в области разработки солнечных модулей наземного и космического базировани.
- Михаил Михайлович Глазов — ведущий научный сотрудник, специалист в области теории спиновой физики и физики экситонов.
- Александр Владимирович Иванчик — ведущий научный сотрудник, специалист в области физики квазаров и космологии.
Иностранные члены РАН:
- Манфред Байер — заведующий кафедрой экспериментальной физики Tехнического университета Дортмунда (Германия), заведующий лабораторией спинтроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе, специалист в области оптической и магнитооптической спектроскопии полупроводниковых наноструктур.
- Фридрих Вагнер — почетный директор Института физики плазмы общества Макса Планка в Грайфсвальде (Германия), специалист в области физики высокотемпературной плазмы и управляемого термоядерного синтеза в установках с магнитным удержанием.
|
|
|
