Международная научная школа, организуемая ФТИ им. А.Ф. Иоффе, будет посвящена вопросам создания и исследования современных материалов, полупроводниковых гетероструктур, наноструктур с квантовыми точками и нанопроволоками, изготавливаемых различными технологическими методами, главным образом, эпитаксиальными: молекулярно-пучковой (МПЭ) и газофазной из металлорганических соединений (ГФЭ МОС), но также сублимационными и химическими, предназначенных для фундаментальных исследований и перспективных приборных применений в нанофотонике (лезерные диоды, лазеры с вертикальными резонаторами, солнечные элементы и т.д.) и СВЧ-электронике (НЕМТ-транзисторы, органические транзисторы).
Круг рассматриваемых материалов включает полупроводниковые структуры на основе классических соединений А3В5, выращиваемых на гомоэпитаксиальных подложках и на Si, А3-нитридов, также выращиваемых на всевозможных гетероподложках, широкозонных и узкозонных соединений А2В6, наногетероструктур на основе Si-Ge, пленки графена, пленки органических соединений и композитов на их основе.
Будет дан исторический обзор становления полупроводниковых эпитаксиальных нанотехнологий, их современных достижений и вызовов, стоящих перед ними, рассмотрены теоретические аспекты технологических процессов, перспективы применений эпитаксиальных гетероструктур в приборах современной фотоники и электроники.
В течение трех дней в Большом конференц-зале ФТИ им А.Ф. Иоффе будут читаться лекции ведущими международными экспертами в данной области из Германии, Франции, Италии и Финляндии и российскими экспертами из передовых технологических центров, таких как Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), НИЯУ МИФИ & Институт полупроводниковой СВЧ электроники (Москва) и Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. Все лектора неоднократно представляли свои результаты в виде приглашенных и пленарных докладов на крупнейших международных и российских конференциях.
Приглашаются все заинтересованные студенты, аспиранты и сотрудники Санкт-Петербургских университетов и исследовательских организаций. Для участия в Школе (оформления пропусков на вход в ФТИ им. А.Ф. Иоффе) требуется предварительная регистрация в оргкомитете Школы по e-mail. Оргвзнос для участия в Школе отсутствует.
