Лаборатория Физики термоэлементов
Физико-технического института Российской Академии Наук

История:

В течение первого столетия после открытия эффекта Зеебека, и Пельтье, т.е. примерно до 40-х годов 20-го столетия, эти эффекты, главным образом эффект Зеебека, успешно использовались в различного рода датчиках: термопары, измерители вакуума, датчики тепловых потоков. В основном использовались металлы и сплавы. Предпринимались также многочисленные попытки использования термоэлементов для генерации электричества. В конечном итоге, к началу 20-х годов 20-го столетия сформировалось мнение, что термоэлектрические эффекты не перспективны для генерации электричества или для охлаждения.

Первая теория эффективности ТЭ преобразования была предложена Алтенкирхом (E. Altenkirch, 1909). Она была основана на классической модели (Друде) электропроводности металлов. В частности, предполагалось, что теплопроводность и электпроводность связаны законом Видемана-Франца и при оценке эффективности игнорировалась решеточная теплопроводность.

А.Ф. Иоффе, возможно, был первым, кто понял, что полупроводники являются особым классом материалов, свойства которых зависят как от их основного химического состава, так и от присутствия относительно небольших количеств примесей, с помощью которых можно в широких пределах изменять эти свойства.

Интерес А.Ф. Иоффе к изучению полупроводников оказал большое влияние на дальнейшее развитие физики твердого тела в ФТИ и в СССР и определил развитие всей термоэлектрической технологии.

Позднее А.Ф. писал: “В связи с проблемами индустриализации СССР в связи с 1-м пятилетним планом в 1929 г., я обозначил проблему производства термоэлектрического генератора из полупроводников, оценив эффективность в 2.5-4% и возможное дальнейшее увеличение."

Работы по термоэлектричеству в ФТИ были начаты еще в 1931 г в лаб. Маслаковца Юрия Петровича.

История лаборатории:

В сентябре 1918 г. создан Государственный Рентгенологический и Радиологический Институт.

В 1922 Физико-Технический отдел этого института превратился в институт во главе с А.Ф. Иоффе.

В 1923 институт переехал в собственное здание, которое по сей день является его главным зданием.

В 1950 г Иоффе был уволен из ФТИ, в 1952 г была создана Лаборатория полупроводников.

В 1954 г. на базе Лаборатории полупроводников организуется Институт полупроводников Акадении наук СССР. Директор института – А.Ф. Иоффе

Структура Института полупроводников в 1954 году:

Термоэлектрической тематикой занимались:

Заведующие лабораторией Физики термоэлементов: