Физика и Техника Полупроводников

 Электронная версия   Другие журналы   Поиск     KOI   WIN   DOS 

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

FIRST ANNOUNCEMENT

25th International Conference on Defects in Semiconductors
July 20-24, 2009 St. Petersburg, Russia

Dear Colleagues

This is to inform you that the 25th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-25) will be held in July 20-24, 2009 in St. Petersburg, Russia. For detailed information please visit our site www.ioffe.ru/icds-25/. The Conference site will be constantly updated with new information.

The scope of ICDS-25 covers basic and applied research on point and extended defects, shallow and deep impurities (including magnetic impurities) in bulk materials as well as in low-dimensional structures, nanoscale structures, and oxide layers. Materials of current interest include the group-IV semiconductors and their alloys, II-V and II-VI compound semiconductors, III nitrides and alloys, organic and magnetic semiconductors.

If you are interested in such a meeting you are kindly invited to participate in the Conference. To be on the mailing list please pre-register in the Conference website www.ioffe.ru/icds-25/. We kindly ask you to forward this information to your colleagues and students who might be interested in participating.

The Organizing Committee

 Электронная версия журнала:

Правила оформления публикаций (в формате PDF, 80KB)

Редакционная коллегия:

  • Алферов Ж.И.,
  • Андронов А.А.,
  • Асеев А.Л.,
  • Гиппиус А.А.,
  • Гуляев Ю.В.,
  • Емцев В.В. (зам. главного редактора),
  • Иванов-Омский В.И.,
  • Келдыш Л.В.,
  • Конников С.Г.,
  • Копьев П.С.,
  • Красильник З.Ф.,
  • Леденцов Н.Н.,
  • Немов С.А.,
  • Мильвидский М.Г.,
  • Пожела Ю.К.,
  • Покровский Я.Е.,
  • Сурис Р.А. (главный редактор),
  • Таиров Ю.М.,
  • Шкловский Б.И.
  • Цэндин К.Д. (ответственный секретарь)

Адрес редакции:

199034 Санкт-Петербург,
Менделеевская линия 1.
Тел.: (812) 328-3612.

Адрес редакционной коллегии:

194021 Санкт-Петербург,
Политехническая ул., 26,
Физико-технический институт
им.А.Ф.Иоффе РАН.
Тел.: (812) 292-7106.
E-mail: semicond@mail.ioffe.ru
Copyright (C) 1997--2007, Коллектив авторов   Разработано...   webmaster