Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 12 » Статья стр. 1654
<<<>>>
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Домашевскя Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.
PDF версия
Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs. PACS: 64.70.N... , 68.37.-d, 68.55.-a
  1. Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42, 9 (2008)
  2. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 3 (2005)
  3. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interf. Analysis., 8 (4), 828 (2006)
  4. A. Zunger. MRS-IRS Bulletin/July 1997; http://www.sst.nrel.gov/images/mrs97
  5. W.B.Pearson. Crystal Chemistry and Physics of Metals and Alloys (Wiley; N.Y., 1972)
  6. В.С. Земсков. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник (М., Наука, 1978)
  7. Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Sci., London, 1999) v. 2. p. 1
  8. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  9. Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D.J. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. Spring Thorpe. J. Appl. Phys., 81, 1683 (1997)
  10. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  11. Л.К. Водопьянов, С.П. Козырев, Ю.Г. Садофьев. ФТТ, 41 (6), 982 (1999)
  12. I.F. Chang, S.S. Mitra. Phys. Rev. B, 2 (4), 1215 (1970)
  13. M. Ilegems, G.L. Pearson. Phys. Rev. B. 1 (4), 1576 (1970)
  14. S. Fleisher, C.D. Beling, S. Fung, W.R. Nieveen, J.E. Squire, J.Q. Zheng, M. Missous. J. Appl. Phys., 81 (1), 190 (1997)
  15. А.В. Бойцов, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43 (2), 278 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme