2022

  1. Высокотемпературная диффузия акцепторной примеси Ве в AlN
    О.П. Казарова, С.С. Нагалюк, В.А. Солтамов, М.В. Музафарова, Е.Н. Мохов
    Физика и Техника полупроводников 56, вып. 3, 275-278 (2022)
    Semiconductors 56, iss. 3, 275-278 (2022)
  2. Cross-relaxation interactions in ZnO:Mn2+: The ground state optical pumping
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, N.G. Romanov, M. Hrabovsky, L. Jastrabik, A. Dejneka, D.R. Yakovlev, M. Bayer
    Appl. Phys. Lett. 120, iss. 4, #041104 (2022)
  3. Inverted fine structure of a 6H-SiC qubit enabling robust spin-photon interface
    I.D. Breev, Z. Shang, A.V. Poshakinskiy, H. Singh, Y. Berencén, M. Hollenbach,
    S.S. Nagalyuk, E.N. Mokhov, R.A. Babunts, P.G. Baranov, D. Suter, S.A. Tarasenko,
    G.V. Astakhov, A.N. Anisimov
    npj Quantum Information 8, 23 (2022)
  4. Широкополосная ЭПР-спектроскопия кристалла Y3Al5O12:Ho3+
    Г.Р. Асатрян, Г.С. Шакуров, А.Г. Петросян, Д.Д. Крамущенко, К.Л. Ованесян
    Физика твёрдого тела 64, вып. 6, 697-699 (2022)
  5. Multi-photon multi-quantum transitions in the spin -3/2 silicon-vacancy centers of SiC
    H. Singh, M.A. Hollberg, A.N. Anisimov, P.G. Baranov, D. Suter
    Phys. Rev. Research 4, 023022 (2022)
  6. Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом C-13
    Р.А. Бабунц, Ю.А. Успенская, А.С. Гурин, А.П. Бундакова, Г.В. Мамин, А.Н. Анисимов, Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖЭТФ 116, вып. 7, 481 - 489 (2022)
  7. Light and spins in rare-earth doped garnets
    Y.A. Uspenskaya, E.V. Edinach, A.S. Gurin, R.A. Babunts, H.R. Asatryan, N.G. Romanov, P.G. Baranov
    J. Lumines. 251, 119166 (2022)
  8. The Effect of Liquid Silicon on the AlN Crystal Growth
    A.N. Anisimov, I.D. Breev, K.V. Likhachev, O.P. Kazarova, S.S. Nagalyuk, P.G. Baranov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantcev, M.P. Scheglov, E.N. Mokhov
    Semiconductors 56, iss. 5, 281 - 287 (2022)
  9. Элементная база высокотемпературной квантовой сенсорики и фотоники на основе атомоподобных квантовых систем
    А.Н. Анисимов, И.Д. Бреев, П.Г. Баранов
    Наноиндустрия 15, S8-2 (113), 519 - 523 (2022)
  10. Probing Wave Functions of Electrically Active Shallow Level Defects by Means of High-Frequency Pulsed ENDOR in Wide Bandgap Materials: SiC, AlN, ZnO, and AgCl
    S.B. Orlinskii, V.A. Soltamov, G.V. Mamin, O.G. Poluektov, J. Schmidt, P.G. Baranov
    Appl. Magn. Reson. 53, iss. 3-5, 821 - 853 (2022)
  11. Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами
    Ф.Ф. Мурзаханов, И.Э. Мумджи, Г.В. Мамин, Р.В. Юсупов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, М.В. Музафарова, С.С. Нагалюк, В.А. Солтамов
    ФТТ 64, вып. 8, 1033 - 1037 (2022)
  12. Non-Kramers iron S = 2 ions in β-Ga2O3 crystals: High-frequency low-temperature EPR study
    R.A. Babunts, A.S. Gurin, E.V. Edinach, H.-J. Drouhin, V.I. Safarov, P.G. Baranov
    Journal of Applied Physics 132, iss. 15, 155703 (2022)
  13. Interaction between NV centers and substituting nitrogen complexes in diamond as a diagnostic probe of the local nitrogen concentration
    R.A. Babunts, I.D. Breev, D.D. Kramushchenko, A.P. Bundakova, M.V. Muzafarova,
    A.N. Anisimov, P.G. Baranov
    Journal of Applied Physics 132, iss. 17, 175705 (2022)

2021

  1. Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC
    И.Д. Бреев, К.В. Лихачев, В.В. Яковлева, И.П. Вейшторт, А.М. Скоморохов,
    С.С. Нагалюк, Е.Н. Мохов, Г.В. Астахов, П.Г. Баранов, А.Н. Анисимов
    Письма в ЖЭТФ 114, вып. 5, 323-327 (2021)
    JETP Lett. 114, iss. 5, 274–278 (2021)
  2. Probing Wave Functions of Electrically Active Shallow Level Defects by Means of High-Frequency Pulsed ENDOR in Wide Bandgap Materials: SiC, AlN, ZnO, and AgCl
    S.B. Orlinskii, V.A. Soltamov, G.V. Mamin, O.G. Poluektov, J. Schmidt, P.G. Baranov
    Appl. Magn. Reson. 52, вып. 5, 1-33 (2021)
  3. Высокочастотная ЭПР-спектроскопия парамагнитных центров марганца в кристаллах GaAs:Mn
    Р.А. Бабунц, А.С. Гурин, И.В. Ильин, А.П. Бундакова, М.В. Музафарова,
    А.Г. Бадалян, Н.Г. Романов, П.Г. Баранов
    ФТТ 63, вып. 11, 1906-1914 (2021)
    Physics of the Solid State 64, iss. 13, 2202 - 2209 (2022)
  4. Relaxation processes and high-field coherent spin manipulation in color center ensembles in 6H-SiC
    V.A. Soltamov, B.V. Yavkin, A.N. Anisimov, H. Singh, A.P. Bundakova, G.V. Mamin,
    S.B. Orlinskii, E.N. Mokhov, D. Suter, P.G. Baranov
    Phys. Rev. B 103, вып. 19, #195201 (2021)
  5. Optical spin initialization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC at room temperature
    H. Singh, A.N. Anisimov, I.D. Breev,P.G. Baranov, D D. Suter
    Phys. Rev. B 103, вып. 10, #104103 (2021)
  6. Stress-controlled zero-field spin splitting in silicon carbide
    I.D. Breev, A.V. Poshakinskiy, V.V. Yakovleva, S.S. Nagalyuk, E.N. Mokhov, R. Hubner, G.V. Astakhov, P.G. Baranov, A.N. Anisimov
    Appl. Phys. Lett. 118, iss. 8, #084003 (2021)
  7. Stress distribution at the AlN/SiC heterointerface probed by Raman spectroscopy
    I.D. Breev, K.V. Likhachev, V.V. Yakovleva, R. Hubner, G.V. Astakhov, P.G. Baranov,
    E.N. Mokhov, A.N. Anisimov
    Journal of Applied Physics 129, iss. 5, #055304 (2021)
  8. Распределение азотно-вакансионных центров NV- в кубических кристаллах алмаза из россыпей анабара по данным ОДМР- и ФЛ-томографии
    С.В. Титков, В.В. Яковлева, И.Д. Бреев, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов,
    А.И. Дорофеева, академик РАН Н.С. Бортников
    Доклады Российской академии наук. Науки о Земле 496, вып. 1, 45-48 (2021)
    Doklady Earth Sciences 496, iss. 1, 45-47 (2021)
  9. Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия,легированного бериллием
    И.Д. Бреев, В.Д. Яковлева, О.С. Кудрявцев, П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, А.Н. Анисимов
    ФТП 55, вып. 3, 251-255 (2021)
    Semiconductors 55, iss. 3, 328-332 (2021)
  10. Кристаллы, активированные ионами Cr3+, как перспективные материалы для лазерного охлаждения твердых тел
    Г.Р. Асатрян, А.Б. Кулинкин, С.П. Феофилов, А.С. Хомченко, А.Г. Петросян
    ФТТ 63, вып. 10, 1633-1636 (2021)
  11. Широкополосная ЭПР-спектроскопия ионов Tb3+ и Fe2+ в монокристаллах YAlO3
    Г.Р. Асатрян, Г.С. Шакуров, И.В. Ильин, А.Г. Петросян, К.Л. Ованесян, М.В. Дердзян
    ФТТ 63, вып. 10, 1612-1616 (2021)
  12. Сверхтонкое и квадрупольное взаимодействия в ЭПР изотопов 153Eu2+ и 151Eu2+ в иттрий-алюминиевом гранате
    А.П. Потапов, В.А. Важенин, А.Г. Петросян, К.Л. Ованесян, Г.Р. Асатрян,
    М.Ю. Артемов
    ФТТ 63, вып. 9, 1394-1399 (2021)
  13. Electron nuclear interactions in spin-3/2 color centers in silicon carbide: A high-field pulse EPR and ENDOR study
    V.A. Soltamov, B.V. Yavkin, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, I.D. Breev, A.P. Bundakova,
    R.A. Babunts, A.N. Anisimov, P.G. Baranov
    Phys. Rev. B 104, iss. 12, #125205 (2021)
  14. Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом 13C
    Р.А. Бабунц, А.Н. Анисимов, И.Д. Бреев, А.С. Гурин, А.П. Бундакова,
    М.В. Музафарова, Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖЭТФ 114, вып. 8, 533 – 540 (2021)
    JETP Letters 114, iss. 8, 463-469 (2021)
  15. Hyperfine and nuclear quadrupole splitting of the NV ground state in 4H-SiC
    F.F. Murzakhanov, B.V. Yavkin, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, H.J. von Bardeleben, T. Biktagirov, U. Gerstmann, V.A. Soltamov
    Phys. Rev. B 103, iss. 12, #245203 (2021)
  16. Room temperature coherent control of spin defects in hexagonal boron nitride
    A. Gottscholl, M. Diez, V. Soltamov, Ch. Kasper, A. Sperlich, M. Kianinia, C. Bradac, I. Aharonovich, V. Dyakonov
    Science Advances 7, iss. 14, #3630 (2021)
  17. Spin defects in hBN as promising temperature, pressure and magnetic field quantum sensors
    A. Gottscholl, M. Diez, V. Soltamov, Ch. Kasper, D. Krauße, A. Sperlich, M. Kianinia, C. Bradac, I. Aharonovich, V. Dyakonov
    Nature Communications 12, #4480 (2021)
  18. Creation of Negatively Charged Boron Vacancies in Hexagonal Boron Nitride Crystal by Electron Irradiation and Mechanism of Inhomogeneous Broadening of Boron Vacancy-Related Spin Resonance Lines
    F.F. Murzakhanov, B.V. Yavkin, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, I.E. Mumdzhi, I.N. Gracheva, B.F. Gabbasov, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, V.A. Soltamov
    Nanomaterials 11, iss. 6, #1373 (2021)
  19. Сверхтонкое и квадрупольное взаимодействия в ЭПР изотопов 153Eu2+ и 151Eu2+ в иттрий-алюминиевом гранате
    А.П. Потапов, В.А. Важенин, А.Г. Петросян, К.Л. Ованесян, Г.Р. Асатрян,
    М.Ю. Артемов
    ФТТ 63, вып. 9, 1394-1399 (2021)

2020

  1. Применение высокочастотной ЭПР спектроскопии для идентификации и разделения позиций азота и ванадия в кристаллах и гетероструктурах карбида кремния
    Е.В. Единач, А.Д. Криворучко, А.С. Гурин, М.В. Музафарова, И.В. Ильин,
    Р.А. Бабунц, Н.Г. Романов, А.Г. Бадалян, П.Г. Баранов
    ФТП 54, вып. 1, 103-110 (2020)
    Semiconductors 54, iss. 1, 150–156 (2020)
  2. Спектроскопия оптического детектирования магнитного резонанса в карбиде кремния с использованием развертки температуры
    И.Д. Бреев, А.Н. Анисимов, Р.А. Бабунц, П.Г. Баранов
    Журнал прикладной спектроскопии 87, вып. 1, 25-28 (2020)
    Journal of Applied Spectroscopy 87, вып. 1, 18-21 (2020)
  3. Особенности высокочастотной ЭПР/ЭСЭ/ОДМР спектроскопии NV-дефектов в алмазе
    Р.А. Бабунц, Д.Д. Крамущенко,А.С. Гурин, А.П. Бундакова, М.В. Музафарова, А.Г. Бадалян, Н.Г. Романов, П.Г. Баранов
    ФТТ 62, вып. 11, 1807-1815 (2020)
    Physics of the Solid State 62, iss. 11, 2024-2032 (2020)
  4. Влияние антисайт-дефектов в иттрий-алюминиевом гранате на парамагнитные центры Ce3+ и Tb3+
    Г.Р. Асатрян,Е.В. Единач, Ю.А. Успенская, Р.А. Бабунц, А.Г. Бадалян, Н.Г. Романов, А.Г. Петросян,П.Г. Баранов
    ФТТ 62, вып. 11, 1875-1881 (2020)
    Physics of the Solid State 62, iss. 11, 2110–2115 (2020)
  5. Experimental characterization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC
    H. Singh,A.N. Anisimov, S.S. Nagalyuk, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, D. Suter
    Phys. Rev. B 101, iss. 13, #134110 (2020)
  6. Spin echo studies on Fe3+ ions in GaN: Spin-phonon relaxation and ligand hyperfine interactions
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, N.G. Romanov, M. Savinov, M. Hrabovsky, L. Jastrabik,
    A. Dejneka, D.R. Yakovlev, M. Bayer
    Appl. Phys. Lett. 117, iss. 3, #032106 (2020)
  7. Особенности высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса с модуляцией частоты
    Р.А. Бабунц, А.С. Гурин, Ю.А. Успенская, Г.Р. Асатрян, Д.О. Толмачев, Н.Г. Романов, А.Г. Бадалян, П.Г. Баранов
    Письма ЖТФ 46, вып. 9, 47-50 (2020)
    Technical Physics Letters 46, iss. 5, 454–457 (2020)
  8. Capabilities of Compact High‑Frequency EPR/ESE/ODMR Spectrometers Based on a Series of Microwave Bridges and a Cryogen‑Free Magneto‑optical Cryostat
    R.A. Babunts, A.G. Badalyan, A.S. Gurin, N.G. Romanov, P.G. Baranov, A.V. Nalivkin, L.Yu. Bogdanov, D.O. Korneev
    Applied Magnetic Resonance 51, 1125-1143 (2020)
  9. Парамагнитные центры V2+ в иттрий-алюминиевом гранате
    В.А. Важенин, А.П. Потапов, Г.Р. Асатрян, М.Ю. Артемов
    ФТТ 62, вып. 11, 1882-1887 (2020)
    Physics of the Solid State 62, iss. 11, 2116–2121 (2020)
  10. Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SIC
    А.Н. Анисимов, Р.А. Бабунц, И.Д. Бреев, В.А. Солтамов, Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖЭТФ 112, вып. 12, 813-819 (2020)
    JETP Letters 112, iss. 12, pages 774–779 (2020)
  11. Initialization and read-out of intrinsic spin defects in a van der Waals crystal at room temperature
    A. Gottscholl, M. Kianinia, V. Soltamov, S. Orlinskii, G. Mamin, C. Bradac, C. Kasper,
    K. Krambrock, A. Sperlich, M. Toth, I. Aharonovich and V. Dyakonov
    Nature Materials 19, 540-545 (2020)
  12. A fantastic scenario for ODMR in semiconductors:from spin ensembles to single spins, from boiling helium to boiling water temperatures
    P.G. Baranov
    The EPR newsletter 30, iss. 4, 17-19 (2020)

2019

  1. Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов
    А.Н. Анисимов, Р.А. Бабунц, И.Д. Бреев, А.П. Бундакова, И.В. Ильин,
    М.В. Музафарова, П.Г. Баранов
    Письма в ЖТФ 45, вып. 10, 22-26 (2019)
    Tech. Phys. Lett. 45, iss. 5, 494–498 (2019)
  2. Excitation and coherent control of spin qudit modes in silicon carbide at room temperature
    V.A. Soltamov,C. Kasper, A.V. Poshakinskiy, A.N. Anisimov, E.N. Mokhov, A. Sperlich,
    S.A. Tarasenko, P.G. Baranov, G.V. Astakhov, V. Dyakonov
    Nat. Commun. 10, #1678 (2019)
  3. Spin diagnostics of local polytypic composition of silicon carbide with submicron spatial resolution
    A.N. Anisimov, S.S. Nagalyuk, M.V. Muzafarova, A.P. Bundakova, R.A. Babunts,
    V.A. Soltamov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov
    Appl. Magn. Resonance 50, iss. 1-3, 323-331 (2019)
  4. Парамагнитные ионы в легированном европием искаженном перовските YAlO3
    В.А. Важенин, А.П. Потапов, А.Г. Петросян, Г.Р. Асатрян, А.В. Фокин, М.Ю. Артёмов
    ФТТ 61, вып. 6, 1143-1149 (2019)
    Physics of the Solid State 61, iss. 6, 1067–1073 (2019)
  5. Wideband EPR-spectroscopy of Y3Al5O12:Er3+, (Y0.9Lu0.1)3Al5O12:Er3+ and Y3Al5O12:Fe2+ crystals
    H.R. Asatryan, G.S. Shakurov, A.G. Petrosyan, K.L. Hovannesyan
    Magn. Reson. Solids 21, iss. 4, #19403 (2019)
  6. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института
    им. А.Ф. Иоффе РАН)

    А.А. Лебедев, П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк,
    А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов
    УФН 189, вып. 8, 803-848 (2019)
    Phys. Usp. 62, iss. 8 (2019)
  7. Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе РАН)
    П.Г. Баранов, А.М. Калашникова, В.И. Козуб, В.Л. Коренев, Ю.Г. Кусраев,
    Р.В. Писарев, В.Ф. Сапега, И.А. Акимов, М. Байер, А.В. Щербаков, Д.Р. Яковлев
    УФН 189, вып. 8, 849–880 (2019)
    Phys. Usp. 62, iss. 8 (2019)
  8. Применение высокочастотного ЭПР/ЭСЭ для идентификациипримесного состава и электронной структуры керамик на основе гранатов
    Е.В. Единач, Ю.А. Успенская, А.С. Гурин, Р.А. Бабунц, Г.Р. Асатрян, Н.Г. Романов, А.Г. Бадалян, П.Г. Баранов
    ФТТ 61, вып. 10, 1864–1872 (2019)
    Physics of the Solid State 61, iss. 10, 1820–1828 (2019)
  9. Evidence of the Excitation of Mn2+ Spin‑Dependent Photoluminescence in Manganese‑Doped Yttrium Aluminum Garnets
    E.V. Edinach, D.D. Kramushchenko, A.S. Gurin, Yu.A. Uspenskaya, R.A. Babunts,
    H.R. Asatryan, A.G. Badalyan, N.G. Romanov, P.G. Baranov
    Appl. Magn. Resonance 50, 1315 - 1324 (2019)
  10. Spin-lattice relaxation processes of transitionmetal ions in a heavily cobalt doped ZnO:Phonon heating effect
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, P.G. Baranov, M. Fanciulli, J. Lanc̆ok, M. Hrabovsky,
    L. Jastrabik, A.Dejneka
    Journal of Applied Physics 126, 123903 (2019)
  11. Electronic structure of non-Kramers Tb3+ centers in garnet crystals and evidence of their energy and spin transfer to Ce3+ emitters
    E.V. Edinach, Yu.A. Uspenskaya, A.S. Gurin, R.A. Babunts, H.R. Asatryan,
    N.G. Romanov, A.G. Badalyan, P.G. Baranov
    Physical Review B 100, 104435 (2019)
  12. Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
    И.Д. Бреев, А.Н. Анисимов, А.А. Вольфсон, О.П. Казарова, Е.Н. Мохов
    ФТП 53, вып. 11, 1593 - 1596 (2019)
    Semiconductors 53, iss. 11, 1558–1561 (2019)
  13. Optical confocal spectroscopy of SiC and AlN interfaces using Raman scattering and Optically Detected Magnetic Resonance
    I.D. Breev, A.N. Anisimov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov
    Journal of Physics: Conference Series 1400, 066018 (2019)

2018

  1. Spin and Optical Properties of Silicon Vacancies in Silicon Carbide
    S.A. Tarasenko, A.V. Poshakinskiy, D. Simin, V.A. Soltamov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, V. Dyakonov, G.V. Astakhov
    Phys. Status Solidi B-Basic Res. 255, iss. 1, #1700258 (2018)
  2. Room-Temperature Level Anticrossing and Cross-Relaxation Spectroscopy of Spin Color Centers in SiC Single Crystals and Nanostructures
    A.N. Anisimov, V.A. Soltamov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, G.V. Astakhov, V. Dyakonov
    Appl. Magn. Resonance 49, iss. 1, 85-95 (2018)
  3. Aluminum and gallium nuclei as microscopic probes for pulsed electron-nuclear double resonance diagnostics of electric-field gradient and spin density in garnet ceramics doped with paramagnetic ions
    Y.A. Uspenskaya, G.V. Mamin, R.A. Babunts, A.G. Badalyan, E.V. Edinach, H.R. Asatryan, N.G. Romanov, S.B. Orlinskii, V.M. Khanin, H. Wieczorek, C. Ronda,
    P.G. Baranov
    AIP Advances 8, iss. 3, #035001 (2018)
  4. Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР
    И.В. Ильин, Ю.А. Успенская, Д.Д. Крамущенко, М.В. Музафарова, В.А. Солтамов,
    Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов
    ФТТ 60, вып. 4, 641-659 (2018)
    Physics of the Solid State 60, iss. 4, 644–662 (2018)
  5. Creation of silicon vacancy in silicon carbide by proton beam writing toward quantum sensing applications
    T. Ohshima, T. Satoh, H. Kraus, G.V. Astakhov, V. Dyakonov, P.G. Baranov
    J. Phys. D: Appl. Phys. 51, iss. 33, #333002 (2018)
  6. All-optical quantum thermometry based on spin-level cross-relaxation and multicenter entanglement under ambient conditions in SiC
    A.N. Anisimov, V.A. Soltamov, I.D. Breev, R.A. Babunts, E.N. Mokhov, G.V. Astakhov,
    V. Dyakonov, D.R. Yakovlev, D. Suter, P.G. Baranov
    AIP Advances 8, iss. 8, #085304 (2018)
  7. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней
    А.Н. Анисимов, Р.А. Бабунц, М.В. Музафарова, А.П. Бундакова, В.А. Солтамов,
    П.Г. Баранов
    Письма в ЖТФ 44, вып. 17, 34-41 (2018)
    Technical Physics Letters 44, iss. 9, pp. 772–775 (2018)
  8. Properties of AlN single crystals doped with Beryllium via high temperature diffusion
    V.A. Soltamov, M.K. Rabchinskii, B.V. Yavkin, O.P. Kazarova, S.S. Nagalyuk,
    V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, V.F. Lebedev, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov
    Appl. Phys. Lett. 113, iss. 8, #082104 (2018)
  9. Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом
    А.Н. Анисимов, А.А. Вольфсон, Е.Н. Мохов
    ФТП 52, вып. 9, 1104-1106 (2018)
    Semiconductors 52, iss. 9, 1225-1227 (2018)
  10. EPR and ENDOR in manganese doped SrTiO3: Electric quadrupole interaction and local disorder
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, P.G. Baranov, V.A. Trepakov, M. Hrabovsky, L. Jastrabik,
    A. Dejneka
    Journal of Applied Physics 124, #124101 (2018)
  11. Широкополосная ЭПР-спектроскопия ионов Мо3+ в иттрий-алюминиевом гранате
    Г.С. Шакуров, Г.Р. Асатрян, Л.В. Мингалиева, А.Г. Петросян, К.Л. Ованесян
    ФТТ 60, вып. 10, 2002-2005 (2018)
    Physics of Solid State 60, iss. 10, pp. 2046–2049 (2018)
  12. Spin colour centres in SiC as a material platform for sensing and information processing at ambient conditions
    A. Anisimov, V. Soltamov, P. Baranov, G. Astakhov, V. Dyakonov
    EPJ Web of Conferences 190, 04001 (2018)
  13. Физические основы применения сканирующего зонда со спиновыми центрами в SiC для субмикронного квантового зондирования магнитных полей и температур
    А.Н. Анисимов, В.А. Солтамов, И.Д. Бреев, М.М. Халисов, Р.А. Бабунц, А.В. Анкудинов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖЭТФ 108, вып. 9, 643-649 (2018)
    JETP Letters 108, iss. 9, pp. 610–615 (2018)
  14. Paramagnetic defects and impurities in nanodiamonds as studied by multi-frequency CW and Pulse EPR methods
    V. Soltamov, G. Mamin, S. Orlinskii, P. Baranov
    Book Series: Frontiers in Magnetic Resonance, Vol. 1, Chapter 9, 182-196 (2018)

2017

  1. Paramagnetic Ce3+ optical emitters in garnets: Optically detected magnetic resonance study and evidence of Gd-Ce cross-relaxation effects
    D.O. Tolmachev, A.S. Gurin, Yu.A. Uspenskaya, G.R. Asatryan, A.G. Badalyan,
    N.G. Romanov, A.G. Petrosyan, P.G. Baranov, H. Wieczorek, and C. Ronda
    Phys. Rev. B 95, 224414 (2017)
  2. Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures: Basic and Advanced Applications
    Pavel G. Baranov, Hans Jürgen von Bardeleben, Fedor Jelezko, Jörg Wrachtrup
    Book, Springer Series in Materials Science 253 (2017)
  3. Pulsed electron-nuclear double resonance diagnostics of Ce3+ emitters in scintillating garnets
    A.G. Badalyan, G.V. Mamin, Yu.A. Uspenskaya, E.V. Edinach, H.R. Asatryan,
    N.G. Romanov, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov, V.M. Khanin, H. Wieczorek, and C. Ronda
    Phys. Status Solidi B 254, iss. 5, 1600631 (2017)
  4. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней
    А.Н. Анисимов, Р.А. Бабунц, М.В. Музафарова, А.П. Бундакова, И.В. Ильин,
    В.А. Солтамов, Н.Г. Романов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖТФ 43, вып. 7, 70-77 (2017)
    Technical Physics Letters 43, iss. 4, 355–357 (2017)
  5. Линейка высокочастотных спектрометров электронного парамагнитного резонанса с микроволновым и оптическим каналами регистрации
    Р.А. Бабунц, А.Г. Бадалян, А.С. Гурин, Б.Р. Намозов, Н.Г. Романов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖТФ 43, вып. 8, 63–70 (2017)
    Technical Physics Letters 43, iss. 4, 393–395 (2017)
  6. ENDOR investigations of the Ce3+ ions in YAG: Transferred hyperfine interaction with nearest aluminum ions
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, D.H. Feng, J. Lancok, L. Jastrabik, A. Dejneka, P.G. Baranov, D.R. Yakovlev, M. Bayer
    J. Appl. Phys. 122, iss. 24, #243903 (2017)
  7. Oriented-attachment growth of diamond single crystal from detonation nanodiamond
    A.T. Dideikin, E.D. Eidelman, S.V. Kidalov, D.A. Kirilenko, A.P. Meilakhs, F.M. Shakhov, A.V. Shvidchenko, V.V. Sokolov, R.A. Babunz, A.Ya. Vul
    Diamond and Related Materials 75, 85–90 (2017)
  8. Strain broadening of the 1042-nm zero phonon line of the NV-center in diamond: A promising spectroscopic tool for defect tomography
    T.B. Biktagirov, A.N. Smirnov, V.Y. Davydov, M.W. Doherty, A. Alkauskas, B.C. Gibson, V.A. Soltamov
    Phys. Rev. B 96, 7, #075205 (2017)
  9. Reduction of dislocation density in bulk silicon carbide crystals grown by PVT on profiled seeds
    E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, V.A. Soltamov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS , Mater. Sci. Forum 897, 7-10 (2017)
  10. Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
    Е.Н. Мохов, О.П. Казарова, В.А. Солтамов, С.С. Нагалюк
    ЖТФ 87, вып. 7, 1104-1106 (2017)
    Tech. Phys. 62, iss. 7, 1119-1121 (2017)

2016

  1. Evidence of exchange interaction of localized carriers and transition metals in diluted II-VI nanostructures: ODMR study
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, D.O. Tolmachev, A.S. Gurin, B.R. Namozov, Yu.G. Kusrayev, G. Karczewski, S. Orlinskii, C. De Mello Donega, and J. Schmidt
    Phys. Status Solidi C 13, iss. 7–9, 538–541 (2016)
  2. All-optical dc nanotesla magnetometry using silicon vacancy fine structure in isotopically purified silicon carbide
    D. Simin, V.A. Soltamov, A.V. Poshakinskiy, A.N. Anisimov, R.A. Babunts, D.O. Tolmachev, E.N. Mokhov, M. Trupke, S.A. Tarasenko, A. Sperlich, P.G. Baranov, V. Dyakonov, and G.V. Astakhov
    Phys. Rev. X 6, 031014 (2016)
  3. Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней
    А.Н. Анисимов, Д.О. Толмачев, Р.А. Бабунц, М.В. Музафарова, А.П. Бундакова, И.В. Ильин, В.А. Солтамов, П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, G.V. Astakhov, V. Dyakonov
    Письма в ЖТФ 42, вып. 12, 22-29 (2016)
    Technical Physics Letters 42, iss. 6, 618-621 (2016)
  4. Spin Physics, Spin Chemistry and Spin Technology
    P.G. Baranov, V. Dyakonov
    Applied Magnetic Resonance 47, iss. 7, 655–656 (2016)
  5. The Gd-Ce cross-relaxation effects in ODMR via Ce3+ emission in garnet crystals
    N.G. Romanov, D.O. Tolmachev, A.S. Gurin, Yu.A. Uspenskaya, E.V. Edinach, H.R. Asatryan, A.G. Badalyan, P.G. Baranov, A.G. Petrosyan, H. Wieczorek, C. Ronda
    Applied Magnetic Resonance 47, iss. 7, 737–744 (2016)
  6. Spin centres in SiC for quantum technologies
    G.V. Astakhov, D. Simin, V. Dyakonov, B.V. Yavkin, S.B. Orlinskii, I.I. Proskuryakov, A.N. Anisimov, V.A. Soltamov, P.G. Baranov
    Applied Magnetic Resonance 47, iss. 7, 793–812 (2016)
  7. Optical thermometry based on level anticrossing in silicon carbide
    A.N. Anisimov, D. Simin, V.A. Soltamov, S.P. Lebedev, P.G. Baranov, G.V. Astakhov, V. Dyakonov
    Nature Scientific Reports 6, 33301 (2016)
  8. Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния
    В.А. Солтамов, П.Г. Баранов
    Успехи физических наук 186, вып. 6, 678–684 (2016)
    Phys. Usp. 59, 605–610 (2016)
  9. Высокоспиновые центры европия и гадолиния в иттрий-алюминиевом гранате
    В.А. Важенин, А.П. Потапов, Г.Р. Асатрян, Ю.А. Успенская, А.Г., Петросян, А.Ф. Фокин
    ФТТ 58, вып. 8, 1573-1579 (2016)
    Phys. Solid State 58, iss. 8, 1627–1633 (2016)
  10. Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions
    A.N. Anisimov, R.A. Babunts, S.V. Kidalov, E.N. Mokhov, V.A. Soltamov, P.G. Baranov
    JETP Letters 104, iss. 2, 82-87 (2016)
  11. Zero-field studies of spin–lattice relaxation processes in non-Kramers doublet of LiF:Ni2+
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, A. Dejneka, L. Jastrabik, J. Lančok
    Applied Physics A 122, 1026 (2016)
  12. Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC
    Музафарова М.В., Ильин И.В., Анисимов А.Н., Мохов Е.Н., Солтамов В.А., Баранов П.Г.
    ФТТ 58, вып. 12, 2319-2335 (2016)
    Phys. Solid State 58, iss. 12, 2406–2422 (2016)
  13. Парамагнитный резонанс иттрий-алюминиевого граната, легированного ионами 151Eu2+
    Важенин В.А., Потапов А.П., Асатрян Г.Р., Петросян А.Г., Ованесян К.Л., Фокин А.В., Шакуров Г.С.
    ФТТ 58, вып. 12, 2406-2410 (2016)
    Phys. Solid State 58, iss. 12, 2494–2498 (2016)

2015

  1. Точечные дефекты в карбиде кремния как перспективная основа для спектроскопии одиночных дефектов с контролируемыми квантовыми состояниями при комнатной температуре
    В.А. Солтамов, Д.О. Толмачев, И.В. Ильин, Г.В. Астахов, В.В. Дьяконов, А.А. Солтамова, П.Г. Баранов
    ФТТ 57, вып. 5, 877-885 (2015)
    Phys. Solid State 57, 5, 891-899 (2015)
  2. Проявления спин-зависимой рекомбинации в послесвечении кристаллов оксида цинка
    А.С. Гурин, Н.Г. Романов, Д.О. Толмачев, П.Г. Баранов
    ФТТ 57, вып. 2, 267-271 (2015)
    Phys. Solid State 57, 2, 2280-284 (2015)
  3. Методы диагностики ориентации NV дефектной структуры в алмазе на основе оптического детектирования магнитного резонанса с модуляцией магнитного поля
    Р.А. Бабунц, М.В. Музафарова, А.Н. Анисимов, В.А. Солтамов, П.Г. Баранов
    Письма в ЖТФ 41, вып. 12, 40-47 (2015)
    Tech. Phys. Letters 41, 6, 583-586 (2015)
  4. Люминесценция монокристаллов тиогаллата свинца, активированных ионами церия
    Г.Р. Асатрян, В.В. Бадиков, А.Б. Кулинкин, С.П. Феофилов
    ФТТ 57, вып. 1, 101-105 (2015)
    Phys. Solid State 57, 1, 106-110 (2015)
  5. Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP
    А.С. Власов, А.М. Минтаиров, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, А.И. Денисюк, Р.А. Бабунц
    ФТП 49, вып. 8, 1120-1123 (2015)
    Semiconductors 49, 8, 1095-1098 (2015)
  6. Combined EPR and ODMR study of Ce3+ optical emitters in yttrium aluminium garnet
    A.S. Gurin, D.D. Kramushchenko, Yu.A. Uspenskaya, G.R. Asatryan, A.G. Petrosyan, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, P.G. Baranov
    Journal of Physics: Conference Series 661, 012039 (2015)
  7. Dramatic impact of the giant local magnetic fields on spin-dependent recombination processes in gadolinium based garnets
    N.G. Romanov, D.O. Tolmachev, A.S. Gurin, Yu.A. Uspenskaya, H.R. Asatryan, A.G. Badalyan, P.G. Baranov, H. Wieczorek, C. Ronda
    Applied Physics Letters 106, 262404 (2015)
  8. Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure
    V.A. Soltamov, B. V. Yavkin, D.O. Tolmachev, R.A. Babunts, A.G. Badalyan, V.Yu. Davydov, E.N. Mokhov, I.I. Proskuryakov, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov
    Physical Review Letters 115, 247602 (2015)
  9. Observation of Nano Sized Effect on EPR of Mn4+ and Cr3+ in SrTiO3 Powders
    A.G. Badalyan, D.V. Azamat, V.A. Trepakov, M.V. Makarova, J. Rosa, A. Dejneka, L. Jastrabik
    Ferroelectrics 485, 63-67 (2015)
  10. ODMR Evidence of the Electron Cascade in Multiple Asymmetrical (CdMn)Te Quantum Welles
    A.S. Gurin, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, B.R. Namozov, P.G. Baranov, Yu.G. Kusraev, G. Karczewski
    JETP Letters 102, 4, 230-234 (2015)
  11. High-precision angle-resolved magnetometry with uniaxial quantum centers in silicon carbide
    D. Simin, F. Fuchs, A. Sperlich, P.G. Baranov, G.V. Astakhov, V. Dyakonov
    Physical Review Applied 4, 014009 (2015)
  12. Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в n-Ge:As вблизи фазового перехода изолятор – металл
    А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.Л. Макарова, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов, П.В. Семенихин
    Физика и техника полупроводников 49, вып. 10, 1339-1345 (2015)
    Semiconductors 49, 10, 1294-1301 (2015)
  13. Determination of the diamagnetic and paramagnetic impurity magnetic susceptibility in Ge:As near the metal insulator phase transition
    P.V. Semenikhin, A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.L. Makarova, T.V. Tisnek and S.I. Goloshchapov
    Journal of Physics: Conference Series 661, 012023 (2015)

2014

  1. Excitation and recombination dynamics of vacancy-related spin centers in silicon carbide
    T. C. Hain, F. Fuchs, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, G. V. Astakhov, T. Hertel, and V. Dyakonov
    Journal of Applied Physics 115, 133508 (2014)
  2. Magnetic field and temperature sensing with atomic-scale spin defects in silicon carbide
    H. Kraus, V. A. Soltamov, F. Fuchs, D. Simin, A. Sperlich, P. G. Baranov, G. V. Astakhov and V. Dyakonov
    Nature Scientific Reports 4, 5303 (2014)
  3. Семейство парамагнитных центров ионов Ce3+ в иттрий-алюминиевом гранате
    Г.Р. Асатрян, Д.Д. Крамущенко, Ю.А. Успенская, П.Г. Баранов, А.Г. Петросян
    ФТТ 56, вып. 6, 1106-1111 (2014)
    Phys. Solid State 56, 6, 1150-1156 (2014)
  4. Room-temperature quantum microwave emitters based on spin defects in silicon carbide H. Kraus, V. A. Soltamov, D. Riedel, S. Väth, F. Fuchs, A. Sperlich, P. G. Baranov, V. Dyakonov and G. V. Astakhov
    Nature physics 10, 157-162 (2014)
  5. EPR investigation of the trivalent chromium complexes in SrTiO3
    D.V. Azamat, A. Dejneka, J. Lančok, L. Jastrabik, V.A. Trepakov, Z. Bryknar, E.V. Neverova, A.G. Badalyan
    J. of Phys. Chem. Solids 75, 2, 271–275 (2014)
  6. Room-temperature near-infrared silicon carbide nanocrystalline emitters based on optically aligned spin defects
    A. Muzha, F. Fuchs, N.V. Tarakina, D. Simin, M. Trupke, V.A. Soltamov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, V. Dyakonov, A. Krueger, G.V. Astakhov
    Applied Physics Letters 105, 243112 (2014)
  7. Electron spin-lattice relaxation of low-symmetry Ni2+ centers in LiF
    D. V. Azamat, A. G. Badalyan, A. Dejneka, L. Jastrabik, and J. Lanok
    Applied Physics Letters 104, 252902 (2014)
  8. Defects in Nanodiamonds: Application of High-Frequency cw and Pulse EPR, ODMR
    B.V. Yavkin, V.A. Soltamov, R.A. Babunts, A.N. Anisimov, P.G. Baranov, F.M. Shakhov, S.V. Kidalov, A.Y. Vul`, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii
    Appl. Magn. Reson. 45, 10, 1035-1049 (2014)
  9. Electron paramagnetic resonance based spectroscopic techniques
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, C. de Mello Donega, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, in:
    NANOPARTICLES: Workhorses of Nanoscience, 257-272 (2014)
  10. Low-temperature ordering caused by exchange interaction in the Si:P impurity system near the insulator - Metal phase transition
    P.V. Semenikhin, A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek, S.I. Goloshchapov, N.V. Abrosimov
    AIP Conference Proceedings 1610, 124-128 (2014)

2013

  1. Point defects in SiC as a promising basis for single-defect, single- photon spectroscopy with room temperature controllable quantum states
    P.G. Baranov, V.A. Soltamov, A.A. Soltamova, G.V. Astakhov, V.V. Dyakonov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS , Mater. Sci. Forum 740-742, 425-430 (2013)
  2. EPR and ODMR defect control in AlN bulk crystals
    V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.S. Gurin, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, E.N. Mokhov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov
    Phys. Status Solidi C 10, 449-452 (2013)
  3. Silicon carbide light-emitting diode as a prospective room temperature source for single photons
    F. Fuchs, V.A. Soltamov, S. Vath, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, G.V.  Astakhov, V.V.  Dyakonov
    Nature Scientific Reports 3, #1637 (2013)
  4. Shallow Donors and Deep-Level Color Centers in Bulk AlN Crystals: EPR, ENDOR, ODMR and Optical Studies
    V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A.  Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov, Y.N. Makarov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov
    Appl. Magn. Reson.  44, 1139-1165 (2013)
  5. High-frequency EPR, ESE, and ENDOR spectroscopy of Co- and Mn-doped ZnO quantum dots
    P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, C. de Mello Donega, J. Schmidt
    Phys. Status Solidi B 250, 10, 2137-2140 (2013)
  6. ODMR study of ZnO single crystals containing iron impurity ions
    A. S. Gurin, N.G. Romanov, D.O. Tolmachev, P.G. Baranov, C. Morhain
    Journal of Physics: Conference Series 461, 012032 (2013)
  7. Room Temperature High-Field Spin Dynamics of NV Defects in Sintered Diamonds
    B.V. Yavkin, G.V.  Mamin, S.B. Orlinskii, S.V. Kidalov, F.M. Shakhov, A.Yu. Vul`, A.A. Soltamova, V.A. Soltamov, P.G. Baranov
    Appl. Magn. Reson. 44, 1235-1244 (2013)
  8. Исследование зарядовой компенсации центров хрома в кристалле титаната стронция методом ЭПР
    А.Г. Бадалян, D. Azamat, Р.А. Бабунц, Е.В. Неверова, A. Dejneka, В.А. Трепаков, L. Jastrabik
    ФТТ  55, вып. 7, 1355-1359 (2013)
    Phys. Solid State 55, 7, 1454-1458 (2013)
  9. Pulse-electron paramagnetic resonance of Cr3+ centers in SrTiO3
    D.V. Azamat, A. Dejneka, J. Lancok, V.A. Trepakov, L. Jastrabik, A.G. Badalyan
    J. Appl. Phys.113, #174106 (2013)
  10. ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами
    Д.Д. Крамущенко, И.В. Ильин, В.А. Солтамов, П.Г. Баранов, В.П. Калинушкин, М.И. Студеникин, В.П. Данилов,  Н.Н. Ильичев 
    ФТТ  55, вып.2, 234-242 (2013)
    Phys. Solid State 55, 2, 269-277 (2013)
  11. EPR method for investigation and diagnostics materials promising for quantum electronics (PbGa2S4, ZnSe)
    D.D Kramushchenko, H.R. Asatryan, V.A. Khramtsov, P.G. Baranov, I.V. Ilyin, V.A. Soltamov
    Journal of Physics: Conference Series 461 012031 (2013)
  12. Парамагнитные дефекты в легированном марганцем вольфрамате свинца
    Г.Р. Асатрян, M. Nikl, В.А. Важенин, А.П. Потапов
    ФТТ 55, вып. 1, 102–107 (2013)
    Phys. Solid State 55, 1, 116–122 (2013)
  13. Фоточувствительные ионы висмута в вольфрамате свинца
    В.А. Важенин, А.П. Потапов, Г.Р. Асатрян, M. Nikl
    ФТТ 55, вып. 4, 736-739 (2013)
    Phys. Solid State 55, 4, 803–806 (2013)
  14. Широкополосная ЭПР спектроскопия монокристаллов YAlO3: Tm3+
    Г.Р. Асатрян, А.П. Скворцов, Г.С. Шакуров
    ФТТ 55, вып.5, 958-961 (2013)
    Phys. Solid State 55, 5, 1039–1042 (2013)

2012

  1. Resonant addressing and manipulation of silicon vacancy qubits in silicon carbide
    D. Riedel, F. Fuchs, H. Kraus, S. Vath, A. Sperlich, V. Dyakonov, A.A. Soltamova, P.G. Baranov, V.A. Ilyin, G.V. Astakhov
    Phys. Rev. Lett. 109, #226402 (2012)
  2. Shallow donors and deep level color centers in AlN single crystals: EPR, ODMR and optical studies
    V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, E.N. Mokhov, P.G. Baranov 
    Phys. Status Solidi C 9, 745-748 (2012)
  3. Эффект пространственного ограничения и воздействие избыточного заряда на градиент электрического поля в ZnO
    Ю.С. Кутьин, Г.В.  Мамин, С.Б. Орлинский, А.П. Бундакова, П.Г. Баранов
    Письма в ЖЭТФ 95, вып. 9, 534-539 (2012)
    JETP Lett. 95, 9, 471-475 (2012)
  4. Temperature-scanned magnetic resonance and the evidence of two-way transfer of a nitrogen nuclear spin hyperfine interaction in coupled NV-N pairs in diamond
    R.A. Babunts, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, A.A. Soltamov, A.S. Gurin, A.N. Anisimov, V.L.  Preobrazhenskii, P.G. Baranov
    Письма в ЖЭТФ 95, вып.8, 477-480 (2012)
    JETP Lett. 95, 8, 429-432 (2012)
  5. Room temperature coherent spin alignment of silicon vacancies in 4H- and 6H-SiC
    V.A. Soltamov, A.A. Soltamova, P.G. Baranov, I.I. Proskuryakov
    Phys. Rev. Lett 108, #2264022012 (2012)
  6. ODMR of Mn-related excitations in (Cd,Mn)Te quantum wells
    D.O. Tolmachev, A.S. Gurin, N.G. Romanov, A.G. Badalyan, R.A. Babunts, P.G. Baranov, B.R. Namozov, Yu. G. Kusrayev
    Письма в ЖЭТФ 96, вып.4, 247-251 (2012)
    JETP Lett. 96, 4, 231-235 (2012)
  7. Безрезонаторная схема оптической регистрации высокочастотного магнитного и циклотронного резонансов в полупроводниках и наноструктурах
    Р.А. Бабунц, А.Г. Бадалян, Н.Г. Романов, А.С. Гурин, Д.О. Толмачев, П.Г. Баранов
    Письма в ЖТФ 38, вып.19, 37-43 (2012)
    Tech. Phys. Lett. 38, 10, 887-890 (2012)
  8. High-frequency electron paramagnetic resonance investigation of Mn3+ centers in SrTiO3
    D.V. Azamat, A.G. Badalyan, A. Dejneka, V.A. Trepakov, L. Jastrabik, Z. Frait
    J. Phys. Chem. Solids 73, 822-826 (2012)
  9. Electron paramagnetic resonance studies of manganese centers in SrTiO3: Non-Kramers Mn3+ ions and spin-spin coupled Mn4+ dimers
    D.V. Azamat, A. Dejneka, J.  Lancok, V.A. Trepakov, L. Jastrabik, A.G.  Badalyan
    J. Appl. Phys. 111, #1041192012 (2012)
  10. ЭПР ионов Dy3+ в монокристаллах тиогаллата свинца
    Г.Р. Асатрян, В.В. Бадиков, Д.Д. Крамущенко, В.А. Храмцов
    ФТТ 54, вып.6, 1171-1174 (2012)
    Phys. Solid State 54, 6, 1245-1248 (2012)
  11. The Method of Electron Paramagnetic Resonance for Quantum Electronic Materials Investigation (YAG, YLuAG, YAP, YLuAP, PbGa2S4)
    H. Asatryan, P. Baranov
    International Journal of Modern Physics: Conference Series 15, 16-21 (2012)
  12. ЭПР ионов Се3+ в монокристаллах тиогаллата свинца
    Г.Р. Асатрян, В.В. Бадиков, Д.Д. Крамущенко, В.А. Храмцов
    ФТТ 54, вып.10, 1931–1934 (2012)
    Phys. Solid State 54, 10, 2057-2060 (2012)

2011

  1. Enormously High Concentrations of Fluorescent Nitrogen-Vacancy Centers Fabricated by Sintering of Detonation Nanodiamonds
    P.G. Baranov, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, R.A. Babunts, F.M. Shakhov, S.V. Kidalov, A.Y. Vul`, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, N.I. Silkin
    Small 7, 1533-1537 (2011)
  2. Silicon vacancy in SiC as a promising quantum system for single-defect and single-photon spectroscopy
    P.G. Baranov, A.P. Bundakova, A.A. Soltamova, S.B. Orlinskii, I.V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, J. Schmidt
    Phys. Rev. B 83, #125203 (2011)
  3. Detection and identification of nitrogen centers in nanodiamond: EPR studies
    I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, P.G. Baranov, A.Y. Vul, S.V. Kidalov, F.M. Shakhov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, N.I. Silkin, M.K. Salakhov
    Fuller. Nanotub. Carbon Nanostruct. 19, 44-51 (2011)
  4. Идентификация вакансии азота в монокристалле AlN: исследования методами ЭПР и термолюминесценции
    В.А. Солтамов, И.В. Ильин, А.А. Солтамова, Д.О. Толмачев, Е.Н. Мохов, П.Г.  Баранов
    ФТТ 53, вып.6, 1121-1125 (2011)
    Phys. Solid State 53, 6, 1186-1190 (2011)
  5. Identification of the deep-level defects in AlN single crystals: EPR and TL studies
    V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, E.N. Mokhov, P.G. Baranov
    Diam. Relat. Mat. 20, 1085-1089 (2011)
  6. EPR spectroscopy of weak exchange interactions between Co2+ ions in ZnO
    D.V. Azamat, A. Dejneka, V.A. Trepakov, L. Jastrabik, M. Fanciulli, V.Y. Ivanov, M. Godlewski, V.I. Sokolov, J. Rosa, A.G. Badalyan
    Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett. 5, 138-140 (2011)

2010

  1. Recombination processes in systems based on doped ionic crystals with impurity-related nanostructures
    D.O. Tolmachev, A.G. Badalyan, R.A. Babunts, V.A. Khramtsov, N.G. Romanov, P.G. Baranov, V.V. Dyakonov
    J. Phys.: Condens. Matter 22, #295306 (2010)
  2. Self-Trapped Excitons in Ionic-Covalent Silver Halide Crystals and Nanostructures: High-Frequency EPR, ESE, ENDOR and ODMR Studies
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, O.G. Poluektov, J. Schmidt
    Appl. Magn. Reson. 39, 453-486 (2010)
  3. Identification of the deep level defects in AlN single crystals by electron paramagnetic resonance
    V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov
    J. Appl. Phys. 107, #113515 (2010)
  4. Optically detected magnetic resonance in CdMnSe/ZnSe submonolayer quantum wells
    D.O. Tolmachev, R.A. Babunts, N.G. Romanov, P.G. Baranov, B.R. Namozov, Y.G. Kusrayev, S. Lee, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna
    Phys. Status Solidi B-Basic Res. 247, 1511-1513 (2010)
  5. Semiconductors as Studied by Magnetic Resonance Methods
    P.G. Baranov, H.J. von Bardeleben
    Appl. Magn. Reson. 39, 1-2 (2010)
  6. Dynamical nuclear polarization and confinement effects in ZnO quantum dots
    P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, D.M. Hofmann, C.D. Donega, A. Meijerink, J. Schmidt
    Phys. Status Solidi B-Basic Res. 247, 1476-1479 (2010)
  7. Обнаружение методом электронного парамагнитного резонанса гигантской концентрации азотно-вакансионных дефектов в детонационных наноалмазах, подвергнутых спеканию
    А.А. Солтамова, И.В. Ильин, Ф.М. Шахов, С.В. Кидалов, А.Я. Вуль, Б.В. Явкин, Г.В. Мамин, С.Б. Орлинский, П.Г. Баранов
    Письма в ЖЭТФ 92, вып.2, 106-110 (2010)
    JETP Lett. 92, 2, 102-106 (2010)
  8. Nitrogen centers in nanodiamonds: EPR studies
    A.A. Soltamova, P.G. Baranov, I.V. Ilyin, A.Y. Vul`, S.V. Kidalov, F.M. Shakhov, G.V. Mamin, N.I. Silkin, S.B. Orlinskii, M.K. Salakhov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 645-648, Part 1-2, 1239-1242 (2010)
  9. Deep-level defects in AlN single crystals: EPR studies
    I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, V.A. Soltamov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 645-648, Part 1-2, 1195-1198 (2010)
  10. High-Frequency EPR and ENDOR Spectroscopy on Semiconductor Quantum Dots
    P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, C.D. Donega, J. Schmidt
    Appl. Magn. Reson. 39, 151-183 (2010)
  11. Влияние композиционной неупорядоченности на спектр электронного парамагнитного резонанса термически заселенного возбужденного состояния ионов Er3+ в смешанных гранатах YLuAG
    Г.Р. Асатрян, В.А. Храмцов
    ЖТФ 80, вып.1, 74-78 (2010)
    Tech. Phys. 55, 1, 74-78 (2010)
  12. Два типа активных центров молекулярного примесного иона MnO42- в собственном сегнетоэластике K3Na(CrO4)2 в области структурного локального перехода и его природа
    В.С. Вихнин, Г.Р. Асатрян, Т.И. Максимова, В.А. Храмцов, М. Мацка, Дж. Хануза
    Кристаллогр. 55, вып.5, 870-876 (2010)
    Crystallography Reports 55, 5, 821–826 (2010)
  13. Room-temperature molecular ferromagnetism based on nickel phthalocyanine. Magnetic resonance, optical and XANES spectra.
    A.S. Manukyan, A.A. Mirzakhanyan, T.I. Buyaeva, A.A. Guda, A.V. Soldatov, L.A. Bugaev, H.R. Asatryan, P.G. Baranov, and E.G. Sharoyan
    Armenian Journal of Physics 3, 272-275 (2010)

2009

  1. Dynamic nuclear polarization of 67Zn and 1H spins by means of shallow donors in ZnO nanoparticles
    S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, C.D. Donega, A. Meijerink
    Phys. Rev. B 79, #165316 (2009)
  2. Обнаружение и идентификация азотных центров в наноалмазах методами электронного парамагнитного резонанса
    П.Г. Баранов, И.В. Ильин, А.А. Солтамова, А.Я. Вуль, С.В. Кидалов, Ф.М. Шахов, Г.В. Мамин, С.Б. Орлинский, М.Х. Салахов
    Письма в ЖЭТФ 89, вып.8, 473-477 (2009)
    JETP Lett. 89, 8, 409-413 (2009)
  3. Идентификация рекомбинирующих центров в широкозонных кристаллах и наноструктурах на их основе по спин-зависимому туннельному послесвечению
    Р.А. Бабунц, Н.Г. Романов, Д.О. Толмачев, А.Г. Бадалян, В.А. Храмцов, П.Г. Баранов, D. Rauh, V. Dyakonov
    ФТТ 51, вып.12, 2296-2303 (2009)
    Phys. Solid State 51, 12, 2437-2445 (2009)
  4. Spin-dependent recombination of defects in bulk ZnO crystals and ZnO nanocrystals as studied by optically detected magnetic resonance
    N.G. Romanov, D.O. Tolmachev, A.G. Badalyan, R.A. Babunts, P.G. Baranov, V.V. Dyakonov
    Physica B 404, 23-24, 4783-4786 (2009)
  5. Dynamical nuclear polarization by means of shallow donors in ZnO quantum dots
    P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, C. de Mello Donega, A. Meijerink, H. Blok, J. Schmidt
    Physica B 404, 23-24, 4779-4782 (2009)
  6. Detection and identification of nitrogen defects in nanodiamond as studied by EPR
    A.A. Soltamova, I.V. Ilyin, P.G. Baranov, A.Ya. Vul`, S.V. Kidalov, F.M. Shakhov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, N.I. Silkin, M.K. Salakhov
    Physica B 404, 23-24, 4518-4521 (2009)
  7. Defects in AlN: High-frequency EPR and ENDOR studies
    S.B. Orlinskii, P.G. Baranov, A.P. Bundakova, M. Bickermann, J. Schmidt
    Physica B 404, 23-24, 4873-4876 (2009)
  8. Nonferromagnetic nanocrystalline ZnO:Co thin films doped with Zn interstitials
    C. Knies, M.T. Elm, P.J. Klar, J. Stehr, D.M. Hofmann, N. Romanov, T. Kammermeier, A. Ney
    J. Appl. Phys. 105, #073918 (2009)

2008

  1. Evidence for Mn2+ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, D.O. Tolmachev, R.A. Babunts, B.R. Namozov, Yu.G. Kusrayev, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov
    Письма в ЖЭТФ 88, вып.9, 724-728 (2008)
    JETP Lett. 88, 9, 631-635 (2008)
  2. Identification of the carbon antisite in SiC: EPR of 13C enriched crystals
    P.G. Baranov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, E.N. Mokhov
    Phys. Rev. B 77, #085120 (2008)
  3. Identification of shallow Al donors in Al-doped ZnO nanocrystals: EPR and ENDOR spectroscopy
    S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, V. Lorrmann, I. Riedel, D. Rauh, V. Dyakonov
    Phys. Rev. B 77, #115334 (2008)
  4. Observation of the triplet metastable state of shallow donor pairs in AlN crystals with a negative-U behavior: A high-frequency EPR and ENDOR study
    S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, M. Bickermann, B.M. Epelbaum, A. Winnacker
    Phys. Rev. Lett. 100, #256404 (2008)
  5. Природа структурного локального перехода в молекулярном примесном ионе MnO42- в ферроэластике K3Na(CrO4)2
    В.С. Вихнин, Г.Р. Aсатрян, T.И. Maксимова, M. Maczka, J. Hanuza
    ФТТ 50, вып.9, 1642 – 1649 (2008)
    Phys. Solid State 50, 9, 1707-1715 (2008)

2007

  1. Электронный парамагнитный резонанс ионов Er3+ в поликристаллическом alpha-Al2O3
    Г.Р. Асатрян, Р.И. Захарченя, А.Б. Куценко, Р.А. Бабунц, П.Г. Баранов
    ФТТ 49, вып.6, 1021-1025 (2007)
    Phys. Solid State 49, 6, 1074-1078 (2007)
  2. Electron paramagnetic resonance studies of multi-defect clusters in neutron irradiated silicon carbide
    I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov
    Semicond. Sci. Technol. 22, #017 (2007)
  3. Peculiarities of neutron-transmutation phosphorous doping of 30Si enriched SiC crystals: Electron paramagnetic resonance study
    P.G. Baranov, B.Y. Ber, I.V. Ilyin, A.N. Ionov, E.N. Mokhov, M.V. Muzafarova, M.A. Kaliteevskii, P.S. Kop`ev, A.K. Kaliteevskii, O.N. Godisov, I.M. Lazebnik
    J. Appl. Phys.102, #063713 (2007)
  4. Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов
    П.Г. Баранов, А.П. Бундакова, И.В. Боровых, С.Б. Орлинский, Р. Зондерван, Я. Шмидт
    Письма в ЖЭТФ 86, вып.3, 231-235 (2007)
    JETP Lett. 86, 3, 202-206 (2007)
  5. Recombination processes in systems based on ionic crystals with embedded self-organized nanocrystals
    N.G. Romanov, A.G. Badalyan, D.O. Tolmachev, V.L. Preobrazhenski, P.G. Baranov, K. Nitsch, K. Polak, J. Rosa
    Int. J. Nanoscience 6, 5, 311-314 (2007)
  6. Peculiarities of neutron-transmutation phosphorous doping of SiC enriched with 30Si isotope: Electron paramagnetic resonance study
    I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, P.G. Baranov, B.Ya. Ber, A.N. Ionov, E.N. Mokhov, P.A. Ivanov, M.A. Kaliteevskii, P.S. Kop`ev, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 556-557, 599-602 (2007)
  7. EPR – and optical spectroscopy of MnO42- doped proper ferroelastic K3Na(CrO4)2: local transition and Jahn-Teller effect
    T. Maksimova, V. Vikhnin, H. Asatryan, K. Hermanowicz, M. Maczka and J. Hanuza
    Physica Status Solidi (c), 4, 843-846 (2007)
  8. Local transition of MnO42- – molecular impurity ion in proper ferroelastic K3Na(CrO4)2
    V. Vikhnin, H. Asatryan, T. Maksimova, M. Maczka and J. Hanuza
    Ferroelectrics 359, 28-34 (2007)

2006

  1. EPR investigation of iron-related centers in 57Fe-doped KTaO3
    P.G. Baranov,  A.G. Badalyan, D.V. Azamat, V.A. Trepakov, A.P. Bundakova, E.A. Ruzanova, V.S. Vikhnin, H. Hesse, S.E. Kapphan
    Phys. Rev. B 74, #054111 (2006)
  2. Donor-acceptor pairs in the confined structure of ZnO nanocrystals
    S.B. Orlinskii, H. Blok, J. Schmidt, P.G. Baranov, C. de Mello Donega, A. Meijerink
    Phys. Rev. B 74, #045204 (2006)
  3. Нейтронно-трансмутационное легирование фосфором моноизотопа кремния 30Si
    А.Н. Ионов, П.Г. Баранов, Б.Я. Бер, А.Д. Буланов, О.Н. Годисов, А.В. Гусев, В.Ю. Давыдов, И.В. Ильин, А.К. Калитеевский, М.А. Калитеевский, А.Ю. Сафронов, И.М. Лазебник, H-J. Pohl, H. Riemann, N.V. Abrosimov, П.С. Копьев
    Письма в ЖТФ 32, вып.12, 87-94 (2006)
    Tech. Phys. Lett. 32, 6, 550-553 (2006)
  4. Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса
    П.Г. Баранов, Б.Я. Бер, О.Н. Годисов, И.В. Ильин, А.Н. Ионов, А.К. Калитеевский, М.А. Калитеевский, И.М. Лазебник, А.Ю. Сафронов, Х-Дж. Пол, Х. Риманн, Н.В. Абросимов, П.С. Копьев, А.Д. Буланов, А.В. Гусев
    ФТП 40, вып.8, 930-939 (2006)
    Semicond. 40, 8, 901-910 (2006)
  5. Гигантское изменение интенсивности туннельного послесвечения в возбужденных квантовых точках ZnO, индуцированное переориентацией спинов электронно-дырочных пар в статическом и микроволновом магнитных полях
    П.Г. Баранов, Н.Г. Романов, Д.О. Толмачев, Ц. Мелло Донега, А. Мэяринг, С.Б. Орлинский, Я. Шмидт
    Письма в ЖЭТФ 84, вып.7, 475-479 (2006)
    JETP Lett. 84, 7, 400-403 (2006)
  6. Evidence of the Ground Triplet State of Silicon-Carbon Divacancies (P6, P7 Centers) in 6H-SiC: An EPR Study
    I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, V.I. Sankin, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS,  Parts 1 and 2, Mater. Sci. Forum 527-529, Part 1, 535-538 (2006)
  7. Identification of the triplet state N-V defect in neutron irradiated silicon carbide by Electron Paramagnetic Resonance
    I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, V.I. Sankin, P.G. Baranov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 527-529, Part 1, 555-558 (2006)
  8. Электронный парамагнитный резонанс и оптическая спектроскопия  сегнетоэластиков K3Na(CrO4)2, активированных молекулярными примесными ионами MnO42-.
    Г.Р. Асатрян, В.С. Вихнин, Т.И. Максимова, М. Maczka, K. Hermanovich, J. Hanusa
    ФТТ 48, вып.6, 1035-1037 (2006)
    Phys. Solid State 48, 6, 1099-1101 (2006)

2005

  1. High-frequency EPR and ENDOR spectroscopy on semiconductor nanocrystals
    S.B. Orlinskii, H. Blok, EJJ. Groenen, J. Schmidt, P.G. Baranov, C. de Mello Donega, A. Meijerink
    Magn. Reson. Chem. 43, S140-S144 (2005)
  2. High-temperature stable multi-defect clusters in neutron irradiated silicon carbide: Electron paramagnetic resonance study
    I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, S.G. Konnikov, P.G. Baranov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum, 483-485, 489-492 (2005)
  3. Probing of the wave function of shallow donors and acceptors by EPR in SiC crystals with changed isotopic composition
    M.V. Muzafarova, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, B.Y. Ber, A.N. Ionov, P.S. Kop`ev, M.A. Kaliteevskii, O.N. Godisov, A.K. Kaliteevskii, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 483-485, 507-510 (2005)
  4. Shallow donors in semiconductor nanoparticles: Limit of the effective mass approximation
    S.B. Orlinskii, J. Schmidt, E.J. Groenen, P.G. Baranov, C. De Mello Donegс, A. Meijerink
    Phys. Rev. Lett. 94, #097602 (2005)
  5. Зондирование волновой функции мелких доноров и акцепторов в карбиде кремния и кремнии путем исследования кристаллов с измененным изотопным составом методом электронного парамагнитного резонанса
    П.Г. Баранов, Б.Я. Бер, О.Н. Годисов, И.В. Ильин, А.Н. Ионов, Е.Н. Мохов, М.В. Музафарова, А.К. Калитеевский, М.А. Калитеевский, П.С. Копьев
    ФТТ 47, вып.12, 2127-2141 (2005)
    Phys. Solid State 47, 12, 2219-2232 (2005)
  6. Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР
    П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, М.В. Музафарова, С.Б. Орлинский, Я. Шмидт
    Письма в ЖЭТФ 82, вып.7, 494-497 (2005)
    JETP Lett. 82, 7, 441-443 (2005)
  7. Обнаружение направленного переноса энергии электронно-дырочной рекомбинации от ионной кристаллической матрицы к самоорганизованным нанокристаллам
    П.Г. Баранов, Н.Г. Романов, А.Г. Бадалян, Д.О. Толмачев, В.Л. Преображенский
    Письма в ЖЭТФ 82, вып.11, 822-826 (2005)
    JETP Lett. 82, 11, 727-730 (2005)
  8. Polarons and Charge-Transfer Vibronic Excitons in Ferroelectric Oxides: EPR and Photoluminescence Studies of PbxNbyOz Ceramics.
    V.S. Vikhnin, R.I. Zakharchenya, H.R. Asatryan, A.B. Kutsenko, and S.E. Kapphan
    Appl. Magn. Reson. 28,137-145 (2005)
  9. Magnetic resonance in PbxNbyOz-ceramics as a system containing chemical fluctuation regions
    V.S. Vikhnin, H.R. Asatryan, R.I. Zakharchenya, A.B. Kutsenko, S.E. Kapphan
    ФТТ 47, вып.8, 1477-1481 (2005)
    Phys. Solid State 47, 8, 1535-1539 (2005)

2004

  1. Overhauser effect of 67Zn nuclear spins in ZnO via cross relaxation induced by the zero-point fluctuations of the phonon field
    H. Blok, S.B. Orlinski, J. Schmidt, P.G. Baranov
    Phys. Rev. Lett. 92, #047602 (2004)
  2. Probing the wave function of shallow Li and Na donors in ZnO nanoparticles
    S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, D.M. Hofmann, C. de Mello Donega, A. Meijerink
    Phys. Rev. Lett. 92, #047603 (2004)
  3. Donors in ZnO nanocrystals
    D.M. Hofmann, H. Zhou, D.R. Pfisterer, H. Alves, B.K. Meyer, P.G. Baranov, N.G. Romanov, C. De Mello Donega, A. Meijering, S. Orlinskii, H. Blok, J. Schmidt
    Phys. Status Solidi C-Conf. 1, 4, 908-911 (2004)
  4. Charge Transfer Vibronic Excitons, Bi-Polarons, and Iron Group Impurities in Ferroelectric Oxides: PbxNbyOz—Ceramics
    V.S. Vikhnin, R.I. Zakharchenya, H.R. Asatryan, A.B. Kutsenko, S.E. Kapphan, H. Eickmeier
    Ferroelectrics 307, 67 – 76 (2004)

2003

  1. Association of impurities and vacancies in copper doped potassium tantalate crystals studied by EPR
    A.G. Badalyan, P.G. Baranov, V.A. Trepakov, C.B. Azzoni, P. Galinetto, M.C. Mozzati, L. Jastrabik, J. Rosa
    Ferroelectrics 295, 113-119 (2003)
  2. Ferromagnetic properties of (Zn,Mn,Ge)2 layers on diamagnetic ZnGeP2 single crystal substrates
    G.A. Medvedkin, P.G. Baranov, S.I. Goloshchapov
    J. Phys. Chem. Solids 64, 1691-1695 (2003)
  3. Model of copper centres in KTaO3: Charge transfer, charge compensation, and propagation of superhyperfine field
    V.S. Vikhnin, A.G. Badalyan, P.G. Baranov
    Ferroelectrics 283, 149-165 (2003)
  4. Silicon and carbon vacancies in neutron-irradiated SiC: A high-field electron paramagnetic resonance study
    S.B. Orlinski, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov
    Phys. Rev. B 67, #125207 (2003)
  5. Magnetic resonance in ZnGeP2 and (Zn,Mn)GeP2
    P.G. Baranov, S.I. Goloshchapov, G.A. Medvedkin, T. Ishibashi, K. Sato
    J. Supercond. 16, 131-133 (2003)
  6. Multivacancy clusters in silicon carbide
    I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt
    Physica B 340-342, 128-131 (2003)
  7. Magnetic resonance of Mn-related isolated centers and clusters in chalcopyrite crystal of (Zn,Mn)GeP2
    P.G. Baranov, S.I. Goloshchapov, G.A. Medvedkin, S.B. Orlinskii, V.G. Voevodin
    Physica B 340-342, 878-881 (2003)
  8. A new step in high-frequency EPR of defects in semiconductors
    H. Blok, J.A. Disselhorst, S.B. Orlinskii,J. Schmidt,P.G. Baranov
    Physica B 340-342, 1147-1150 (2003)
  9. Обнаружение сигналов магнитного резонанса с аномальной дисперсией и двух типов изолированных центров марганца в кристалле халькопирита (Zn,Mn)GeP2
    П.Г. Баранов, С.И. Голощапов, Г.А. Медведкин, В.Г. Воеводин
    Письма в ЖЭТФ 77, вып.10, 686-690 (2003)
    JETP Lett. 77, 10, 582-586 (2003)
  10. Электронный парамагнитный резонанс в нейтронно-легированных полупроводниках с измененным изотопным составом
    П.Г. Баранов, А.Н. Ионов, И.В. Ильин, П.С. Копьев, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов
    ФТТ 45, вып.6, 984-995 (2003)
    Phys. Solid State 45, 6, 1030-1041 (2003)
  11. Phosphorus-related shallow and deep defects in 6H-SiC
    P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 433-436, 503-506 (2003)
  12. Oxygen vacancies in ZnO
    F. Leiter, H. Alves, D. Pfisterer, N.G. Romanov, D.M. Hofmann, B.K. Meyer
    Physica B 340-342, 201-204 (2003)
  13. Optically detected magnetic resonance experiments on native defects in ZnGeP2
    D.M. Hofmann, N.G. Romanov, W. Gehlhoff, D. Pfisterer, B.K. Meyer, D. Azamat, A. Hoffmann
    Physica B 340-342, 978-981 (2003)
  14. Optically-Detected Microwave Resonance in InGaAsN/GaAs Quantum Wells and InAs/GaAs Quantum Dots Emitting Around 3 mum
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.L. Preobrazhenski, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, M.M. Sobolev
    Int. J. Nanoscience 2, 6, 469-478 (2003)
  15. ЭПР ионов Се3+ в смешанных иттрий-лютециевых ортоалюминатах
    Г.Р. Асатрян, J. Rosa, J.A. Mares
    ФТТ 45, вып.8, 1390-1395 (2003)
    Phys. Solid State 45, 8, 1459-1464 (2003)

2002

  1. EPR study of shallow and deep phosphorous centers in 6H-SiC
    P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin
    Phys. Rev. B 66, #165206 (2002)
  2. Ligand hyperfine interaction at the neutral silicon vacancy in 4H- and 6H-SiC
    M. Wagner, N.Q. Thinh, N.T. Son, W.M. Chen, E. Janzen, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, C. Hallin, J.L. Lindstrom
    Phys. Rev. B 66, #155214 (2002)
  3. Self-trapped hole in silver chloride crystals: A pulsed EPR/ENDOR study at 95 GHz
    M.T. Bennebroek, A. van Duijn-Arnold, J. Schmidt, O.G. Poluektov, P.G. Baranov
    Phys. Rev. B 66, #054305 (2002)
  4. The neutral silicon vacancy in SiC: Ligand hyperfine interaction
    M. Wagner, N.Q. Thinh, N.T. Son, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, C. Hallin, W.M. Chen, E. Janzen, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Parts 1 and 2, Proceedings Mater. Sci. Forum 389-393, 1, 501-504 (2002)
  5. Electron paramagnetic resonance of copper centres in potassium tantalate single crystals
    A.G. Badalyan, P.G. Baranov, D.V. Azamat, V.A. Trepakov, C.B. Azzoni, P. Galinetto, M.C. Mozzati, L. Jastrabik, J. Rosa
    J. Phys.: Condens. Matter 14, 6855-6863 (2002)
  6. Recent researches of the copper centres in potassium tantalate single crystals
    A.G. Badalyan, P.G. Baranov, V.A. Trepakov, C.B. Azzoni, P. Galinetto, M.C. Mozzati, L. Jastrabik, J. Rosa, M. Hrabovsky
    Ferroelectrics 272, 205-210 (2002)
  7. Hydrogen: A relevant shallow donor in zinc oxide
    D.M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H.J. Zhou, F. Henecker, B.K. Meyer, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov
    Phys. Rev. Lett. 88, #045504 (2002)
  8. Конфайнмент электронно-дырочной рекомбинации в самоорганизованных нанокристаллах AgBr в кристаллической матрице KBr
    П.Г. Баранов, Н.Г. Романов, В.Л. Преображенский, В.А. Храмцов
    Письма в ЖЭТФ 76, вып.7, 542-546 (2002)
    JETP Lett. 76, 7, 465-468 (2002)
  9. Электронный парамагнитный резонанс ионов Er3+, Nd3+ и Ce3+ в монокристаллах YAlO3
    Г.Р. Асатрян, J. Rosa
    ФТТ 44, вып.5, 830-835 (2002)
    Phys. Solid State 44, 5, 864-869 (2002)

2001

  1. Electronic structure of the N donor center in 4H-SiC and 6H-SiC
    A. van Duijn-Arnold, R. Zondervan, J. Schmidt, P.G. Baranov, E.N. Mokhov
    Phys. Rev. B 64, #085206 (2001)
  2. Oriented silver chloride microcrystals and nanocrystals embedded in a crystalline KCl matrix, as studied by means of electron paramagnetic resonance and optically detected magnetic resonance
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Khramtsov, V.S. Vikhnin
    J. Phys.: Condens. Matter 13, 2651-2669 (2001)
  3. Identification of iron in 6H-SiC crystals by electron paramagnetic resonance
    P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, V.A. Khramtsov
    Semicond. Sci. Technol. 16, 39-43 (2001)
  4. Neutral and negatively charged silicon vacancies in neutron irradiated SiC: a high-field electron paramagnetic resonance study
    P.G. Baranov, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt
    Physica B 308-310, 680-683 (2001)
  5. Silver halide micro- and nanocrystals embedded in an alkali halide matrix: suppression of the Jahn-Teller effect in nanoparticles
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Khramtsov, V.S. Vikhnin
    Nanotechnology 12, 540-546 (2001)
  6. Fine structure of excitons and e-h pairs in GaAs/AlAs superlattices at the X-Gamma crossover
    N.G. Romanov, P.G. Baranov
    Nanotechnology 12, 585-590 (2001)
  7. Magnetic resonance in micro- and nanostructures
    P.G. Baranov, N.G. Romanov
    Appl. Magn. Reson. 21, 165-193 (2001)
  8. Парамагнитные дефекты в gamma-облученных кристаллах карбида кремния
    И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов
    ФТП 35, вып.12, 1409-1416 (2001)
    Semiconductors 35, 12, 1347-1354 (2001)
  9. Магнитный резонанс обменно-связанных комплексов меди в кристаллах со структурой перовскита - танталате калия и купратных сверхпроводниках
    П.Г. Баранов, А.Г. Бадалян, Д.В. Азамат
    ФТТ 43, вып.1, 96-107 (2001)
    Phys. Solid State 43, 1, 98-109 (2001)
  10. Intrinsic defects in 6H-SiC generated by electron irradiation at the silicon displacement threshold
    H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 353-356, 509-512 (2001)
  11. The electronic structure of the N donor center in 4H-SiC and 6H-SiC
    A. van Duijn-Arnold, R. Zondervan, J. Schmidt, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 353-356, 525-528 (2001)
  12. EPR of deep Al and deep B in heavily Al-doped as grown 4H-SiC
    I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 353-356, 521-524 (2001)
  13. Identification of iron and nickel in 6H-SiC by electron paramagnetic resonance
    P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, V. Khramtsov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, Mater. Sci. Forum 353-356, 529-532 (2001)

2000

  1. Кристаллы KCl с примесью серебра: от точечных дефектов к ориентированным микрокристаллам AgCl в кристаллической матрице
    П.Г. Баранов, Н.Г. Романов, В.А. Храмцов, А.Г. Бадалян, Р.А. Бабунц
    ФТТ 42, вып.12, 2166-2170 (2000)
    Phys. Solid State 42, 12, 2231-2235 (2000)
  2. Подавление локального эффекта Яна-Теллера в наноструктурах: автолокализованные дырки и экситоны в нанокристаллах AgCl
    П.Г. Баранов, В.С. Вихнин, Н.Г. Романов, В.А. Храмцов
    Письма в ЖЭТФ 72, вып.6, 475-480 (2000)
    Jetp Lett. 72, 6, 329-332 (2000)
  3. Свойства люминесценции эрбия в объемных кристаллах карбида кремния
    Р.А. Бабунц, В.А. Ветров, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, Н.Г. Романов, В.А. Храмцов, П.Г. Баранов
    ФТТ 42, вып.5, 809-815 (2000)
    Phys. Solid State 42, 5, 829-835 (2000)
  4. The spatial distribution of the electronic wave function of the shallow boron acceptor in 4H-and 6H-SiC
    A. van_Duijn-Arnold, J. Mol, R. Verberk, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, 1&2 Mater. Sci. Forum 338-342, 799-803 (2000)
  5. The electronic structure of the Be acceptor centers in 6H-SiC
    A. van_Duijn-Arnold, J. Schmidt, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, in:
    SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, 1&2 Mater. Sci. Forum 338-342, 805-808 (2000)
  6. Oriented silver halide nanocrystals embedded in crystalline alkali halide matrix as studied by EPR and ODMR
    N.G. Romanov, R.A. Babunts, A.G. Badalyan, V.A. Khramtsov, P.G. Baranov, in:
    Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 307-310 (2000)
  7. Regular trends in fine structure and localization of excitons in type II GaAs/AlAs superlattices with a gradient of composition
    P.G. Baranov, N.G. Romanov, A. Hofstaetter, B.K. Meyer, A. Scharmann, W. von Foerster, F.J. Ahlers, K. Pierz, in:
    Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 256-259 (2000)