|
Русский | |
| English | ||
|
Технологическая установка МПЭ RIBER-32P (Riber, France)
для выращивания соединений A3B5 (AlGaAsSb, InGaAsSb, InAsSb).
Ростовая камера установки содержит 8 источников молекулярных пучков, в том числе крекинговый клапанный источник мышьяка.
Ростовая камера имеет горизонтальную геометрию и оснащена квадрупольным масс-спектрометром для анализа остаточной
атмосферы. Установка оснащена также современными диагностическими системами контроля роста, включающими систему
дифракции отраженных быстрых электронов и ИК-пирометрию. Максимальный диаметр пластин 75 мм.
Установка была полностью переоборудована в 2002 году, а в 2012 году выполнена химическая очистка криопанели ростовой камеры. |
|
|
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии STE3526 (производство компании
"Научное и Технологическое оборудование", г. Санкт-Петербург)
содержит 2 камеры роста с блоками молекулярных источников для выращивания
полупроводниковых соединений A3B5 и A2B6,
шлюзовую камеру, камеру подготовки с возможностью предварительного отжига подложек и
буферную камеру с накопителем. Камеры роста имеют прогрессивную вертикальную ростовую
геометрию, наиболее часто применяемую в настоящее время ведущими производителями подобного оборудования.
Максимальный диаметр пластин 2″, также возможно проведение процессов эпитаксии на ¼ пластины.
Используется безприклеечное крепление подложек на держатели. В качестве источников селена и мышьяка
используются вентильные источники с высокотемпературным разложителем фирмы Veeco. |
|
| Технологическая установка МПЭ Сompact 21T ((Riber, France) 2004 года выпуска для роста гетероструктур на основе A3-нитридов (AlGaInN, легированных Si и Mg) с повышенной точностью поддержания технологических параметров и уникальными возможностями одновременного использования плазменного и высокотемпературного (крекинг аммиака) способов активации азота. Установка содержит 11 источников молекулярных пучков. Установка оборудована диагностическими системами контроля роста, включая дифракцию отраженных быстрых электронов, оптическую рефлектометрию, ИК-пирометрию и оптическую спектрометрию для изучения эмиссии N2-плазмы. Максимальный диаметр пластин 75 мм. |
|
Optimisation of InGaN epilayers grown by PA-MBE in COMPACT21
New growth method for InGaN based QW by PA-MBE in Compact 21